封装结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一半封装结构，所述第一半封装结构包括：若干第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面；位于若干所述第一晶片的侧壁面和第二面的第一钝化层，所述第一钝化层具有相对的第三面和第四面，所述第四面高于所述第二面；位于所述第一钝化层内的第一连接层，所述第一连接层包括若干第一导电结构和若干第二导电结构，所述第一导电结构自所述第四面朝向第三面贯穿所述第一钝化层，所述第二导电结构接触所述第二面；位于所述第四面上且与所述第一连接层电连接的第二连接结构；固定于所述第三面的若干第二电子部件，所述第二电子部件与所述第一导电结构电连接。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干第二电子部件焊接于所述第三面；若干第二电子部件包括若干电阻、若干电容、以及第二半封装结构中的至少一种。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干第二电子部件包括：第三晶片和若干导线，所述第三晶片键合于所述第一面和第三面中的至少一者，所述导线与第三面暴露的第一导电结构表面接触并连接所述第三晶片的电路。4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：固定于所述第二连接结构上的第三半封装结构。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一半封装结构还包括：位于所述若干第一晶片中的至少1个第一晶片内的若干第三导电结构，所述第三导电结构自所述第二面朝向所述第一面贯穿所述至少1个第一晶片。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二连接结构包括：再布线层、以及位于所述再布线层上的焊接层；所述再布线层包括：再布线导电层、以及位于所述再布线导电层侧壁面的绝缘层。7.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：形成第一半封装结构，所述第一半封装结构的形成方法包括：提供承载基底；提供若干第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面；将若干所述第一晶片固定在所述承载基底上，所述第一面朝向承载基底；将若干所述第一晶片固定在所述承载基底上之后，形成第一钝化层、以及位于所述第一钝化层内的第一连接层，所述第一钝化层位于部分所述承载基底、以及若干所述第一晶片的侧壁和第二面上，所述第一钝化层具有相对的第三面和第四面，所述第三面固定于所述承载基底，所述第四面高于所述第二面，所述第一连接层包括若干第一导电结构和若干第二导电结构，所述第一导电结构自所述第四面朝向第三面贯穿所述第一钝化层，所述第二导电结构接触所述第二面；在所述第四面上形成与所述第一连接层电连接的第二连接结构；在形成所述第二连接结构之后，去除所述承载基底；提供若干第二电子部件；在去除所述承载基底后，将若干第二电子部件固定于所述第三面，所述第二电子部件与所述第一导电结构电连接。8.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，若干第二电子部件包括：第三晶片和若干导线；将若干第二电子部件固定于所述第三面的方法包括：将所述第三晶片与所述第一面和第三面中的至少一者键合；使所述导线与第三面暴露的第一导电结构表面接触并连接第三晶片的电路。
9.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：提供第三半封装结构；在去除所述承载基底后，将所述第三半封装结构固定于所述第二连接结构上。10.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，将若干所述第一晶片固定在所述承载基底上的方法包括：在所述承载基底上形成粘合层；将若干所述第一晶片的第一面粘附于所述粘合层。11.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一钝化层和第一连接层的形成方法包括：在所述承载基底上形成钝化材料层，所述钝化材料层的表面高于所述第二面；对所述钝化材料层进行刻蚀，形成位于若干所述第一晶片的侧壁和第二面、以及部分所述承载基底上的第一钝化层，所述第一钝化层内具有若干第一开口和若干第二开口，所述第一开口的底部暴露出所述承载基底的表面，所述第二开口的底部暴露出所述第二面；在若干所述第一开口内、若干所述第二开口内、以及所述第四面形成第一连接材料层；平坦化所述第一连接材料层直至暴露出所述第四面，形成所述第一连接层。12.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一半封装结构的形成方法还包括：在形成所述第一钝化层和第一连接层的过程中，在所述若干第一晶片中的至少1个第一晶片内形成若干第三导电结构，所述第三导电结构自所述第二面朝向所述第一面贯穿所述至少1个第一晶片；所述第一钝化层、第一连接层和若干第三导电结构的形成方法包括：在所述承载基底上形成表面高于所述第二面的钝化材料层；对所述钝化材料层和所述若干第一晶片中的至少1个第一晶片进行刻蚀，形成位于若干所述第一晶片的侧壁和第二面、以及部分所述承载基底上的第一钝化层，所述第一钝化层内具有若干第一开口和若干第二开口，所述第一开口的底部暴露出所述承载基底的表面，所述第二开口的底部暴露出所述第二面，并且，在所述至少1个第一晶片内形成若干第三开口，所述第三开口自所述第二面朝向所述第一面贯穿所述至少1个第一晶片；在若干所述第一开口内、若干所述第二开口内、若干所述第三开口内、以及所述第四面形成第一连接材料层；平坦化所述第一连接材料层直至暴露出所述第四面，形成所述第一连接层和若干所述第三导电结构。13.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二连接结构包括：再布线层、以及位于所述再布线层上的焊接层；所述再布线层包括：再布线导电层、以及位于所述再布线导电层侧壁面的再布线绝缘层；所述再布线层的形成方法包括：在所述第四面和第一连接层的表面形成再布线导电材料层；在所述再布线导电材料层表面形成再布线图形化层；以所述再布线图形化层为掩膜，刻蚀所述再布线导电材料层，直至暴露出所述第四面，形成与所述第一连接层电连接的再布线导电层；在所述再布线导电层的侧壁面形成再布线绝缘层；所述焊接层的形成方法包括：在所述再布线层上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成若干焊接凹槽，所述焊接凹槽的底部暴露出所述再布线导电层的表面；在若干所述焊接凹槽内形成初始焊接层；形成所述初始焊接层之后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，对所述初始焊接层进行流平处理，形成位于所述再布线层上的焊接层。14.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述承载基底的过程中，自所述第一面减薄若干所述第一晶片、所述第一钝化层和若干所述第一导电
结构。

技术总结
一种封装结构及其形成方法，封装结构包括：第一半封装结构，所述第一半封装结构包括：若干第一晶片，第一晶片具有相对的第一面和第二面；位于若干所述第一晶片的侧壁面和第二面的第一钝化层，第一钝化层具有相对的第三面和第四面，所述第四面高于所述第二面；位于所述第一钝化层内的第一连接层，所述第一连接层包括若干第一导电结构和若干第二导电结构，所述第一导电结构自所述第四面朝向第三面贯穿所述第一钝化层，所述第二导电结构接触所述第二面；位于第四面上且与第一连接层电连接的第二连接结构；固定于所述第三面的若干第二电子部件，所述第二电子部件与所述第一导电结构电连接。所述封装结构的可灵活外接，应用局限性小、集成度高。集成度高。集成度高。


技术研发人员：刘在福 曾昭孔 郭瑞亮
受保护的技术使用者：苏州通富超威半导体有限公司
技术研发日：2022.09.21
技术公布日：2022/12/1