半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底表面具有字线、位线、有源柱以及存储结构；所述位线沿第一方向延伸，所述字线沿第二方向延伸，所述第一方向为垂直所述基底表面的方向或平行于所述基底表面的方向中的一者，所述第二方向为垂直于所述基底表面的方向或平行于所述基底表面的方向中的另一者；有源柱，所述有源柱包括沿平行于所述基底表面的方向间隔排布的第一有源柱以及第二有源柱，所述第一有源柱包括沿第三方向依次排布的第一区以及第二区，所述第二有源柱包括沿所述第三方向依次排布的第三区以及第四区，所述第二区与所述第三区沿平行于所述基底表面的方向正对；部分所述存储结构环绕所述第一有源柱的第一区，部分所述位线与所述第二区远离所述存储结构的一端电连接；部分所述存储结构环绕所述第二有源柱的第四区，部分所述位线与所述第三区远离所述存储结构的一端电连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区的第一有源柱包括沿所述第三方向依次排布的第一源漏区、第一沟道区以及第二源漏区，部分所述位线与所述第二源漏区的第一有源柱电连接；所述第三区的第二有源柱包括沿所述第三方向延伸的第三源漏区、第二沟道区以及第四源漏区，部分所述位线与所述第三源漏区的第二有源柱电连接。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向，所述第二方向为平行于所述基底表面的方向，所述第一沟道区与所述第二沟道区沿所述第二方向正对。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源柱与所述第二有源柱沿所述第二方向排布，所述字线电连接沿所述第二方向排布的所述第一有源柱以及所述第二有源柱；所述字线环绕所述第一沟道区以及所述第二沟道区。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第三方向，与所述第一有源柱电连接的所述位线与所述字线的间距小于等于所述第一有源柱的靠近所述位线一侧的端部与所述字线侧面的宽度。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源柱环绕部分所述位线；或者，所述位线环绕部分所述第一有源柱。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第三方向，与所述第二有源柱电连接的所述位线与所述字线的间距小于等于所述第二有源柱的靠近所述位线一侧的端部与所述字线侧面的宽度。8.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向为平行于所述基底表面的方向，所述第二方向为垂直于所述基底表面的方向；所述第二源漏区与所述第三源漏区沿所述第一方向正对。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源柱与所述第二有源柱沿所述第一方向排布，所述位线电连接沿所述第一方向排布的所述第一有源柱以及所述第二有源柱。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源柱环绕所述字线，所
述第二有源柱环绕所述字线。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述字线的宽度为所述有源柱宽度的1/3倍～2/3倍。12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿平行于所述基底表面的方向，所述第一有源柱与所述第二有源柱等间距排布。13.根据权利要求1或12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源柱沿垂直于所述基底表面的方向排布，相邻的所述第一有源柱沿所述垂直于所述基底表面的方向的第一间距大于相邻的所述第一有源柱与所述第二有源柱的第二间距。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源柱沿垂直于所述基底表面的方向排布，相邻的所述第一有源柱沿所述垂直于所述基底表面的方向的第一间距大于等于3倍的相邻的所述第一有源柱与所述第二有源柱的第二间距。15.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线包括第一字线与第二字线；沿所述第一方向，所述第一字线与所述第二字线分别位于所述第一有源柱的相对的两侧；沿所述第一方向，所述第一字线与所述第二字线分别位于所述第二有源柱相对的两侧。

技术总结
本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：位线沿第一方向延伸，字线沿第二方向延伸，第一方向为垂直基底表面的方向或平行于基底表面的方向中的一者，第二方向为垂直于基底表面的方向或平行于基底表面的方向中的另一者；第一有源柱包括沿第三方向依次排布的第一区以及第二区，第二有源柱包括沿第三方向依次排布的第三区以及第四区，第二区与第三区沿平行于基底表面的方向正对；部分存储结构环绕第一有源柱的第一区，部分位线与第二区远离存储结构的一端电连接；部分存储结构环绕第二有源柱的第四区，部分位线与第三区远离存储结构的一端电连接。本公开实施例提供的半导体结构至少可以降低寄生电容以及提高集成度。体结构至少可以降低寄生电容以及提高集成度。体结构至少可以降低寄生电容以及提高集成度。


技术研发人员：邵光速
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.09.05
技术公布日：2022/11/29