等离子体处理装置的制作方法

技术特征：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室，其具有上壁部、侧壁部和下壁部，且在内部具有等离子体处理空间；以及磁屏蔽件，其设置于所述侧壁部的外侧的周围，且在上侧具有开口，当令通过所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面的中心点且连结到所述开口的端点的线与所述内表面的角度为θ[
°
]，构成所述磁屏蔽件的磁性材料的初始相对磁导率μi与厚度t[m]之积μi
×
t为pmc[m]时，角度θ[
°
]满足θ＞764
×
pmc-2
179
×
pmc-1
21.3。2.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室，其具有上壁部、侧壁部和下壁部，且在内部具有等离子体处理空间；以及磁屏蔽件，其设置于所述侧壁部的外侧的周围，且在上侧具有开口，当令通过所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面的中心点且连结到所述开口的端点的线与所述内表面的角度为θ[
°
]，构成所述磁屏蔽件的磁性材料的初始相对磁导率μi与厚度t[m]之积μi
×
t为pmc[m]时，角度θ[
°
]满足θ＞4200
×
pmc-2
－96
×
pmc-1
－3.8。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述磁屏蔽件为圆筒形。4.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室，其具有上壁部、侧壁部和下壁部，且在内部具有等离子体处理空间；以及设置于所述侧壁部的外侧的周围的第一磁屏蔽件和第二磁屏蔽件，其中，所述第一磁屏蔽件设置于下侧，所述第二磁屏蔽件设置于上侧，当令通过所述侧壁部的内侧面的中间点且连结到所述第一磁屏蔽件的上端部的端点的线为第一线，通过所述中间点且连结到所述第二磁屏蔽件的下端部的端点的线为第二线，所述第一线相对于通过所述中间点且与所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面平行的面所成的角度θ[
°
]，与所述第二线相对于所述平行的面所成的角度相等，构成所述第一磁屏蔽件和所述第二磁屏蔽件的每一者的磁性材料的初始相对磁导率μi与厚度t[m]之积μi
×
t为pmc[m]时，角度θ[
°
]满足θ＜25.4－0.265
×
p 8.35
×
10-2
×
pmc (-1.58)
×
p2 5.87
×
10-3
×
p
×
pmc (-5.17)
×
10-4
×
pmc2。5.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室，其具有上壁部、侧壁部和下壁部，且在内部具有等离子体处理空间；以及设置于所述侧壁部的外侧的周围的第一磁屏蔽件和第二磁屏蔽件，其中，所述第一磁屏蔽件设置于下侧，所述第二磁屏蔽件设置于上侧，当令通过所述侧壁部的内侧面的中间点且连结到所述第一磁屏蔽件的上端部的端点的线为第一线，通过所述中间点且连结到所述第二磁屏蔽件的下端部的端点的线为第二线，所述第一线相对于通过所述中间点且与所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面平行的面所成的角度θ[
°
]，与所述第二线相对于所述平行的面所成的角度相等，构成所述第一磁屏蔽件和所述第二磁屏蔽件的每一者的磁性材料的初始相对磁导率μi与厚度t
[m]之积μi
×
t为pmc[m]时，角度θ[
°
]满足θ＜53.2－0.208
×
p 1.87
×
10-2
×
pmc (-0.855)
×
p2 1.75
×
10-3
×
p
×
pmc (-1.19)
×
10-4
×
pmc2。6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一磁屏蔽件和所述第二磁屏蔽件分别为圆筒形。7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述侧壁部为圆筒形。8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述pmc[m]为20[m]以上且100[m]以下。

技术总结
本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室，其具有上壁部、侧壁部和下壁部，且在内部具有等离子体处理空间；以及磁屏蔽件，其设置于所述侧壁部的外侧的周围，且在上侧具有开口，当令通过所述上壁部的所述等离子体处理空间侧的内表面的中心点且连结到所述开口的端点的线与所述内表面的角度为θ[


技术研发人员：河田祐纪 早坂直人
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2022.05.31
技术公布日：2022/12/8