显示面板的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。


背景技术：

2.目前，在有机发光二极管(active metrix organic light emitting diode，amoled)显示面板设计中，采用屏下摄像头区域(即cup区域)进行显示已是大势所趋，即屏下摄像头区域保留有完整的屏幕显示功能，对于屏幕显示的完整性具有很大的提升。但是，由于屏下摄像头区域与主显示区域(即aa区域)的差异化设计，两个区域的薄膜晶体管在初始压降和寿命的特性上存在较大差异。持续点亮过程中，cup区域和aa区域的亮度差异不一致，使得原本看不出差异的cup区域显现出来，降低了cup区域的显示效果。
3.因此，有必要提供一种技术方案以解决上述问题。


技术实现要素：

4.本发明提供一种显示面板，能够解决现有的显示面板因cup区域和aa区域的薄膜晶体管在初始压降和寿命上存在差异，导致两个区域在持续点亮过程中出现亮度差异，从而影响显示效果的问题。
5.为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
6.本发明实施例提供一种显示面板，包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区围绕所述第二显示区设置，所述显示面板还包括：
7.基底；
8.多个薄膜晶体管，设置于所述基底上，包括对应所述第一显示区设置的第一薄膜晶体管和对应所述第二显示区设置的第二薄膜晶体管；
9.屏蔽层，设置于多个所述薄膜晶体管与所述基底之间，包括对应所述第一显示区设置的第一屏蔽层和对应所述第二显示区设置的第二屏蔽层；
10.其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述第一薄膜晶体管与所述第一屏蔽层存在交叠，所述第二薄膜晶体管与所述第二屏蔽层存在交叠，且所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层均接入固定电位。
11.可选的，在本发明的一些实施例中，所述屏蔽层与所述薄膜晶体管之间设有绝缘层，所述屏蔽层与所述薄膜晶体管绝缘设置。
12.可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影落入所述第一屏蔽层在所述基底上的正投影的范围内，所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影落入所述第二屏蔽层在所述基底上的正投影的范围内。
13.可选的，在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括位于所述第一显示区外围的信号线，所述信号线通过信号连接线与所述屏蔽层电连接，并且所述信号线上的固定电位通过所述信号连接线传输至所述屏蔽层。
14.可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层同层设置
或者异层设置，且所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层通过所述绝缘层隔开，所述信号连接线包括至少一条第一信号连接线和至少一条第二信号连接线，所述第一屏蔽层通过所述第一信号连接线与所述信号线电连接，所述第二屏蔽层通过所述第二信号连接线与所述信号线电连接。
15.可选的，在本发明的一些实施例中，多个所述第一薄膜晶体管对应一个所述第一屏蔽层，多个所述第二薄膜晶体管对应一个所述第二屏蔽层；或者，一个所述第一薄膜晶体管对应一个所述第一屏蔽层，一个所述第二薄膜晶体管对应一个所述第二屏蔽层；
16.其中，所述第一信号连接线与所述第一屏蔽层一一对应设置，所述第二信号连接线与所述第二屏蔽层一一对应设置。
17.可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层为一体结构，或者所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层通过连接件电连接，所述第一屏蔽层和/或所述第二屏蔽层通过所述信号连接线与所述信号线电连接。
18.可选的，在本发明的一些实施例中，所述信号线选自直流电源信号线或初始化信号线。
19.可选的，在本发明的一些实施例中，所述屏蔽层选自金属材料、半导体材料或透明导电材料。
20.可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一屏蔽层的厚度范围为500埃-2000埃，所述第二屏蔽层的厚度范围为1000埃-2000埃。
21.本发明的有益效果为：本发明提供的显示面板，通过在第一显示区的第一薄膜晶体管下方和第二显示区的第二薄膜晶体管下方均设置屏蔽层，使得第一显示区和第二显示区的薄膜晶体管的初始压降和寿命都能得到一定程度的改善，从而降低第一显示区和第二显示区的薄膜晶体管在初始压降和寿命上的差异，提升显示效果。
附图说明
22.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1为本发明实施例显示面板的平面示意图；
24.图2为本发明实施例一提供的显示面板的局部剖面示意图；
25.图3为本发明实施例二提供的显示面板的局部剖面示意图；
26.图4为传统显示面板和本发明显示面板在不同区域的薄膜晶体管的初始压降的对比图。
具体实施方式
27.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说
明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
28.请参阅图1-图3，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括第一显示区100和第二显示区200，所述第一显示区100围绕所述第二显示区200设置，所述显示面板的背部对应所述第二显示区200的位置可以设置光学元件，所述光学元件包括但不限于摄像头。
29.所述显示面板还包括基底1和位于所述基底1上的屏蔽层20以及多个薄膜晶体管t，所述屏蔽层20设置于多个所述薄膜晶体管t与所述基底1之间，多个所述薄膜晶体管t包括对应所述第一显示区100设置的第一薄膜晶体管t1和对应所述第二显示区200设置的第二薄膜晶体管t2。所述屏蔽层20包括对应所述第一显示区100设置的第一屏蔽层201和对应所述第二显示区200设置的第二屏蔽层202。
30.其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述第一薄膜晶体管t1与所述第一屏蔽层201存在交叠，所述第二薄膜晶体管t2与所述第二屏蔽层202存在交叠，且所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202均接入固定电位。
31.传统的显示面板的基底为单层或双层的聚酰亚胺材料(pi)，在显示面板的持续点灯过程中，薄膜晶体管下方的pi界面处会逐步诱导产生电荷(pi charge)，导致薄膜晶体管的电学特性偏移，会对薄膜晶体管的初始压降(initial drop)和寿命造成影响。一般为提升屏下摄像头区域的透光效果，会对屏下摄像头区域和主显示区域的薄膜晶体管进行差异化设计，而屏下摄像头区域和主显示区域的薄膜晶体管的分布密度或排布方式等差异使得两个区域的薄膜晶体管在初始压降和寿命的特性上也存在较大差异，具体可体现为两个区域的亮度差异较大。
32.而本发明实施例在所述第一薄膜晶体管t1的下方以及所述第二薄膜晶体管t2的下方均设置所述屏蔽层20，所述屏蔽层20能够屏蔽pi界面处电荷对所述薄膜晶体管t的影响，减小所述显示面板持续点灯亮度压降，使得所述第一显示区100的第一薄膜晶体管t1和所述第二显示区200的第二薄膜晶体管t2的初始压降和寿命都能得到一定程度的改善，从而降低所述第一薄膜晶体管t1和所述第二薄膜晶体管t2在初始压降和寿命上的差异，进而提升显示效果。
33.以下结合具体实施例对本发明的显示面板进行详细描述，具体阐述如下。
34.请参阅图1所示，图1为本发明实施例显示面板的平面示意图。所述显示面板具有第一显示区100和第二显示区200，所述第一显示区100围绕所述第二显示区200设置，所述第二显示区200包括透光显示区200a和过渡显示区200b，所述过渡显示区200b围绕所述透光显示区200a。所述第一显示区100中包括多个第一显示像素和多个第一像素驱动电路(未示出)，所述第一像素驱动电路用于驱动所述第一显示像素发光，所述第一像素驱动电路中包括第一薄膜晶体管。所述第二显示区200中包括多个第二显示像素和多个第二像素驱动(未示出)，所述第二像素驱动电路用于驱动所述第二显示像素发光，所述第二像素驱动电路中包括第二薄膜晶体管。
35.在一种实施例中，为了提升所述第二显示区200的透光性，所述第二像素驱动电路对应设置于所述过渡显示区200b中，位于所述透光显示区200a的第二显示像素可通过走线
与所述过渡显示区200b中对应的所述第二像素驱动电路电连接。
36.请参阅图2所示，图2为本发明实施例一提供的显示面板的局部剖面示意图。所述显示面板包括基底1以及位于所述基底1上的驱动层2，所述驱动层2包括屏蔽层20、位于所述屏蔽层20上的多层绝缘层以及位于多层绝缘层中的多个薄膜晶体管t。多层所述绝缘层从下至上包括第一缓冲层211、第二缓冲层212、第一栅极绝缘层213、第二栅极绝缘层214、介电层215以及平坦层216。多个所述薄膜晶体管t包括位于所述第一显示区100的第一薄膜晶体管t1和位于所述第二显示区200的第二薄膜晶体管t2。所述第一薄膜晶体管t1和所述第二薄膜晶体管t2均包括有源层221、第一栅极222、第二栅极223、源极224和漏极225。所述显示面板还包括位于所述平坦层216远离所述基底1一侧的搭接线217，所述搭接线217通过贯穿所述平坦层216的过孔与所述漏极225搭接。
37.所述屏蔽层20与所述薄膜晶体管t之间设有所述第一缓冲层211和所述第二缓冲层212，所述屏蔽层20与所述薄膜晶体管t绝缘设置。所述屏蔽层20包括对应所述第一显示区100设置的第一屏蔽层201和对应所述第二显示区200设置的第二屏蔽层202，所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202同层设置。所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202均起到静电屏蔽的作用。所述第一薄膜晶体管t1在所述基底1上的正投影落入所述第一屏蔽层201在所述基底1上的正投影的范围内，所述第二薄膜晶体管t2在所述基底1上的正投影落入所述第二屏蔽层202在所述基底1上的正投影的范围内。
38.所述显示面板还包括位于所述第一显示区100外围的信号线(未示出)，所述信号线与所述屏蔽层20通过信号连接线电连接。所述信号线选自直流电源信号线或初始化信号线，所述直流电源信号线用于发送直流电源信号vdd，所述初始化信号线用于发送初始化信号vi。所述信号线上的固定电位通过所述信号连接线传输至所述屏蔽层20。
39.所述信号连接线包括至少一条第一信号连接线218和至少一条第二信号连接线219，所述第一屏蔽层201通过所述第一信号连接线218与所述信号线电连接，所述第二屏蔽层202通过所述第二信号连接线219与所述信号线电连接。可以理解的是，所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202接收的固定电位相同。
40.在本实施例中，一个所述第一薄膜晶体管t1对应一个所述第一屏蔽层201，一个所述第二薄膜晶体管t2对应一个所述第二屏蔽层202。所述第一薄膜晶体管t1在所述基底1上的正投影落入所述第一屏蔽层201在所述基底1上的正投影，所述第二薄膜晶体管t2在所述基底1上的正投影落入所述第二屏蔽层202在所述基底1上的正投影。其中，所述第一信号连接线218与所述第一屏蔽层201一一对应设置，所述第二信号连接线219与所述第二屏蔽层202一一对应设置。
41.所述第一屏蔽层201选自金属材料、半导体材料或透明导电材料。所述第二屏蔽层202也可以选自金属材料、半导体材料或透明导电材料。示例性的，金属材料可以选自钼、钛和铝中的一种或一种以上的合金，半导体材料可以选自半导体硅材料，透明导电材料可以选自ito、igzo或izo等。
42.在本实施例中，所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202同层设置，在制程工艺中所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202可采用同种材料经同一光罩工艺同时形成。
43.其中，所述第一屏蔽层201实现静电屏蔽作用所需的厚度大于或等于500埃，具体地，所述第一屏蔽层201的厚度范围为500埃-2000埃。
44.一般所述第二显示区200的第二显示像素中的阴极会进行图案化制程，形成对应第二显示像素的岛状结构，以增加所述第二显示区200的透光性。在对阴极图案化的制程中，激光会对所述第二薄膜晶体管t2造成影响，因此，本实施例的所述第二屏蔽层202除了起到静电屏蔽作用，还可以对所述第二薄膜晶体管t2进行遮光，避免激光对所述第二薄膜晶体管t2造成损伤。为了达到较好的遮光效果，所述第二屏蔽层202的厚度需要大于或等于1000埃，具体地，所述第二屏蔽层202的厚度范围为1000埃-2000埃。
45.进一步的，所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202的厚度相同。
46.在一种实施例中，多个所述第一薄膜晶体管t1对应一个所述第一屏蔽层201，多个所述第二薄膜晶体管t2对应一个所述第二屏蔽层202。其中，所述第一信号连接线218与所述第一屏蔽层201一一对应设置，所述第二信号连接线219与所述第二屏蔽层202一一对应设置。
47.在一种实施例中，所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202为一体结构，即所述屏蔽层20整层的设置于所述第一显示区100和所述第二显示区200内。所述第一屏蔽层201或所述第二屏蔽层202通过一条所述信号连接线与所述信号线电连接。
48.在本实施例中，所述基底1的材料为聚酰亚胺材料(pi)。所述第一薄膜晶体管t1的下方以及所述第二薄膜晶体管t2的下方均设置所述屏蔽层20，能够同时对所述第一薄膜晶体管t1和所述第二薄膜晶体管t2下方pi界面处的静电进行屏蔽，减小所述显示面板持续点灯亮度压降，使得所述第一显示区100的第一薄膜晶体管t1和所述第二显示区200的第二薄膜晶体管t2的初始压降和寿命都能得到一定程度的改善，从而降低所述第一薄膜晶体管t1和所述第二薄膜晶体管t2在初始压降和寿命上的差异，进而提升显示效果。
49.请参阅图3所示，图3为本发明实施例二提供的显示面板的局部剖面示意图。本实施例的显示面板与上述实施例一的显示面板的结构相似，区别仅在于：本实施例的所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202异层设置，且所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202通过所述第一缓冲层211隔开。
50.在本实施例中，一个所述第一薄膜晶体管t1对应一个所述第一屏蔽层201，一个所述第二薄膜晶体管t2对应一个所述第二屏蔽层202。所述第一薄膜晶体管t1在所述基底1上的正投影落入所述第一屏蔽层201在所述基底1上的正投影，所述第二薄膜晶体管t2在所述基底1上的正投影落入所述第二屏蔽层202在所述基底1上的正投影。其中，所述第一信号连接线218与所述第一屏蔽层201一一对应设置，所述第二信号连接线219与所述第二屏蔽层202一一对应设置。
51.或者，多个所述第一薄膜晶体管t1对应一个所述第一屏蔽层201，多个所述第二薄膜晶体管t2对应一个所述第二屏蔽层202。其中，所述第一信号连接线218与所述第一屏蔽层201一一对应设置，所述第二信号连接线219与所述第二屏蔽层202一一对应设置。
52.所述第一屏蔽层201和所述第二屏蔽层202可以通过贯穿所述第一缓冲层211的连接件电连接，也可以不电连接。多个所述连接件可以将多个所述第一屏蔽层201和多个所述第二屏蔽层202连接成整体，所述第一屏蔽层201或所述第二屏蔽层202通过所述信号连接线与所述信号线电连接。
53.本实施例取得的有益效果与上述实施例一取得的有益效果相似，此处不再赘述。
54.请参阅图4，图4为传统显示面板和本发明显示面板在不同区域的薄膜晶体管的初
始压降的对比图。其中，常温initial drop的检测方法为：测量显示面板在w255持续点亮60min前后的亮度变化。如图4所示，本发明通过在显示面板的aa区域和cup区域的薄膜晶体管下方均设置屏蔽层，使得aa区域和cup区域的薄膜晶体管的初始压降差异由-4.17％降低至-0.48％，显著改善aa区域和cup区域的薄膜晶体管在初始压降和寿命上的差异，提升显示效果。
55.以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。