显示设备的制作方法

显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年6月16日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0077900号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.实施方式涉及像素和包括像素的显示设备。


背景技术：

4.近年来，对信息显示的兴趣增加。因此，一直持续对显示设备的研究和开发。


技术实现要素：

5.待由实施方式解决的技术问题是提供一种能够改善制造效率的像素及包括该像素的显示设备。
6.由实施方式解决的技术问题不限于上述技术问题。本领域的技术人员通过下面的描述将清楚地理解没有提及的其他技术问题。
7.根据实施方式的显示设备可以包括像素和堤。像素可以包括子像素和发射区域，发射区域包括与子像素对应的子发射区域，并且堤可以围绕发射区域。像素可以包括：电极，设置在子发射区域中的每个中；至少一个发光元件，设置在子发射区域中的每个中；以及堤图案，设置在电极之下。堤图案可以与电极的一部分重叠。堤图案可以包括：第一堤图案，包括第一谷，第一堤图案设置在发射区域的第一方向上的第一边缘区域中；以及第二堤图案，包括第二谷，第二堤图案设置在发射区域的第一方向上的第二边缘区域中。
8.在实施方式中，第一谷和第二谷可以各自具有在与第一方向相交的第二方向上延伸的狭缝形状。
9.在实施方式中，堤可以包括：第一开口，与像素的发射区域对应；以及第三谷，围绕第一开口。
10.在实施方式中，像素还可以包括与发射区域间隔开的分离区域。电极中的至少一个的端部可以设置在分离区域中。堤还可以包括与分离区域对应的第二开口。
11.在实施方式中，第三谷可以围绕第一开口和第二开口。
12.在实施方式中，第三谷在平面图中可以具有闭合形状。
13.在实施方式中，子像素中的每个可以包括像素电路和发光单元。像素电路可以包括电连接到电极中的至少一个的电路元件。发光单元可以包括电极和至少一个发光元件。
14.在实施方式中，显示设备还可以包括电路元件层和显示元件层。电路元件层可以包括电连接到像素电路和发光单元的线。显示元件层可以与电路元件层重叠并且可以包括发光单元。
15.在实施方式中，电路元件层的线可以设置在发射区域周围并且可以不与发射区域重叠。
16.在实施方式中，堤可以与电路元件层的线重叠。
17.在实施方式中，像素还可以包括设置在子发射区域中的至少一个中并且与至少一个发光元件重叠的光转换层。光转换层可以包括波长转换颗粒和光散射颗粒中的至少一个。
18.在实施方式中，至少一个发光元件可以包括电连接到电极的至少一个彩色发光元件。设置在子发射区域中的至少一个中的光转换层可以包括将从至少一个彩色发光元件发射的第一颜色光转换为第二颜色光的量子点。
19.根据实施方式的像素可以包括：发射区域，包括多个子发射区域；电极，设置在子发射区域中的每个中；至少一个发光元件，设置在子发射区域中的每个中；堤图案，设置在电极之下，堤图案与电极的一部分重叠；以及堤，包括与发射区域对应的第一开口，堤围绕发射区域。堤图案可以包括具有第一谷的第一堤图案和具有第二谷的第二堤图案，第一堤图案设置在发射区域的第一方向上的第一边缘区域中，第二堤图案设置在发射区域的第一方向上的第二边缘区域中。
20.在实施方式中，第一谷和第二谷可以各自具有在与第一方向相交的第二方向上延伸的狭缝形状。
21.在实施方式中，堤可以包括围绕第一开口的第三谷。
22.在实施方式中，像素还可以包括与发射区域间隔开的分离区域。电极中的至少一个的端部可以设置在分离区域中。堤还可以包括与分离区域对应的第二开口。
23.在实施方式中，第三谷可以围绕第一开口和第二开口。
24.在实施方式中，第三谷在平面图中可以具有闭合形状。
25.在实施方式中，像素还可以包括光转换层，光转换层设置在子发射区域中的每个中并且与至少一个发光元件重叠。光转换层可以包括波长转换颗粒和光散射颗粒中的至少一个。
26.在实施方式中，至少一个发光元件可以包括电连接到电极的至少一个彩色发光元件。设置在子发射区域中的至少一个中的光转换层可以包括将从至少一个彩色发光元件发射的第一颜色光转换为第二颜色光的量子点。
27.其他实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
附图说明
28.通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其他方面和特征将变得更加显而易见。
29.图1是示出根据实施方式的发光元件的示意性立体图。
30.图2是示出根据实施方式的发光元件的示意性剖视图。
31.图3是示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
32.图4和图5是示出根据实施方式的子像素的等效电路的示意图。
33.图6是示出根据实施方式的显示区域的示意性平面图。
34.图7是示出根据实施方式的显示区域的示意性平面图。
35.图8是示出根据实施方式的显示区域的示意性平面图。
36.图9和图10是示出根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。
37.图11和图12是示出根据实施方式的提供和对准发光元件的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
38.现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，附图中示出了实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本公开的范围。
39.在以下描述中，除非上下文清楚地仅包括单数，否则单数形式还包括复数形式。
40.在附图中，为了便于描述和清楚起见，可以夸大元件的尺寸、厚度、比例和大小。相同的标号始终表示相同的元件。
41.应当理解，当在说明书中元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它可以直接设置在上述另一元件上、直接连接到或直接联接到上述另一元件，或者居间元件可以设置在它们之间。
42.在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b或者a和b”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
43.在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，短语
“…
中的至少一个”旨在包括“从
…
的群组中选择的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为是指“a、b或者a和b”。
44.如本文中所使用的，“约”、“基本上”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
45.图1是示出根据实施方式的发光元件ld的示意性立体图。图2是示出根据实施方式的发光元件ld的示意性剖视图。例如，图1示出了根据实施方式的可以用作显示设备的光源的发光元件ld的示例，并且图2示出了沿着图1的线i-i'截取的发光元件ld的截面的示例。
46.参考图1和图2，发光元件ld可以包括例如在纵向方向上顺序布置的第一半导体层scl1、有源层act和第二半导体层scl2。发光元件ld还可以包括围绕第一半导体层scl1、有源层act和第二半导体层scl2的外周表面(例如，侧表面)的绝缘薄膜inf。此外，发光元件ld还可以可选地包括设置在第二半导体层scl2上的电极层etl。绝缘薄膜inf可以覆盖电极层etl的外周表面的至少一部分或者可以不覆盖电极层etl的外周表面的至少一部分。此外，根据实施方式，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层scl1的表面(例如，下表面)上的另一电极层。
47.在实施方式中，发光元件ld可以具有在一个方向上延伸的杆(或棒)的形状，并且可以在纵向方向(或厚度方向)上的端部中的每个处具有第一端部ep1和第二端部ep2。第一端部ep1可以包括发光元件ld的第一底表面(或上表面)和/或其周边区域，并且第二端部ep2可以包括发光元件ld的第二底表面(或下表面)和/或其周边区域。例如，电极层etl和/或第二半导体层scl2可以设置在发光元件ld的第一端部ep1处，并且第一半导体层scl1和/或连接到第一半导体层scl1的至少一个电极层可以设置在发光元件ld的第二端部ep2处。
48.在描述实施方式时，棒形状可以包括具有大于1的纵横比的杆状形状或棒状形状，诸如圆形柱或多边形柱，并且截面的形状不受特别限制。例如，发光元件ld的长度l可以大于其直径d(或截面的宽度)。
49.第一半导体层scl1、有源层act、第二半导体层scl2和电极层etl可以顺序设置在从发光元件ld的第二端部ep2到第一端部ep1的方向上。例如，第一半导体层scl1可以设置在发光元件ld的第二端部ep2处，并且电极层etl可以设置在发光元件ld的第一端部ep1处。替代地，至少一个其他电极层可以设置在发光元件ld的第二端部ep2处。
50.第一半导体层scl1可以是第一导电类型的半导体层。例如，第一半导体层scl1可以是包括n型掺杂剂的n型半导体层。例如，第一半导体层scl1可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何半导体材料，并且可以是掺杂有诸如si、ge、sn等掺杂剂的n型半导体层。然而，构成第一半导体层scl1的材料不限于此，并且可以使用各种其他材料来形成第一半导体层scl1。
51.有源层act可以设置在第一半导体层scl1上，并且可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。有源层act的位置可以根据发光元件ld的类型而变化。在实施方式中，有源层act可以发射具有约400nm至约900nm的波长的光，并且可以使用双异质结构。
52.掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以选择性地形成在有源层act的上部分和/或下部分上。例如，包覆层可以由algan层或inalgan层形成。根据实施方式，可以使用诸如algan或alingan的材料来形成有源层act，并且可以使用各种其他材料来形成有源层act。
53.在等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件ld的两端的情况下，发光元件ld可以在电子-空穴对在有源层act中复合的同时发光。通过使用该原理控制由发光元件ld发射的光，发光元件ld可以用作包括显示设备的像素的各种发光设备的光源。
54.第二半导体层scl2可以设置在有源层act上，并且可以是与第一半导体层scl1的第一导电类型不同的第二导电类型的半导体层。例如，第二半导体层scl2可以包括包含p型掺杂剂的p型半导体层。例如，第二半导体层scl2可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料，并且可以是掺杂有诸如mg等的掺杂剂的p型半导体层。然而，构成第二半导体层scl2的材料不限于此，并且可以使用各种其他材料来形成第二半导体层scl2。
55.在实施方式中，第一半导体层scl1和第二半导体层scl2可以在发光元件ld的纵向方向上具有不同的长度(或厚度)。例如，第一半导体层scl1可以在发光元件ld的纵向方向上具有比第二半导体层scl2更长的长度(或更厚的厚度)。因此，相比于第二端部ep2，有源层act可以定位成更靠近第一端部ep1。
56.电极层etl可以设置在第二半导体层scl2上。电极层etl可以保护第二半导体层scl2，并且可以是用于将第二半导体层scl2顺利地连接到电极或线的电极。例如，电极层etl可以是欧姆接触电极或肖特基接触电极。
57.在描述实施方式时，术语“连接(或联接)”通常可以指物理连接(或联接)和/或电连接(或联接)。此外，它通常可以指直接连接(或联接)或者间接连接(或联接)以及一体连接(或联接)或者非一体连接(或联接)。
58.电极层etl可以是基本上透明的或半透明的。因此，从发光元件ld产生的光可以穿
过电极层etl并且发射到发光元件ld的外部。在其他实施方式中，当从发光元件ld产生的光发射到发光元件ld的外部而不穿过电极层etl时，电极层etl可以形成为不透明的。
59.在实施方式中，电极层etl可以包括金属或金属氧化物。例如，电极层etl可以包括诸如铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)和铜(cu)的金属或者其氧化物或合金。电极层etl可以包括透明导电材料，诸如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)、itzo(氧化铟锡锌)、zno(氧化锌)和in2o3(氧化铟)或者它们的混合物。
60.绝缘薄膜inf可以分别在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处暴露电极层etl(或第二半导体层scl2)和第一半导体层scl1(或设置在发光元件ld的第二端部ep2处的另一电极层)。例如，绝缘薄膜inf可以不设置在与发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2对应的两个底表面上。
61.在绝缘薄膜inf覆盖发光元件ld的表面(例如，覆盖第一半导体层scl1、有源层act、第二半导体层scl2和/或电极层etl的外周表面)的情况下，可以防止通过发光元件ld引起的短路缺陷。因此，可以改善发光元件ld的电稳定性。当绝缘薄膜inf设置在发光元件ld的表面上时，可以最小化发光元件ld的表面缺陷，从而可以改善寿命和效率。
62.在实施方式中，发光元件ld可以通过表面处理工艺制造。例如，通过使用疏水材料处理发光元件ld的表面，当将发光元件ld混合在流体溶液(在下文中，称为发光元件墨水或发光元件混合物)中并提供给每个发射区域时，发光元件ld可以均匀地分散在发光元件墨水中而不会不均匀地聚集。
63.绝缘薄膜inf可以包括透明绝缘材料。因此，在有源层act中产生的光可以穿过绝缘薄膜inf以发射到发光元件ld的外部。例如，绝缘薄膜inf可以包括sio2或另一种氧化硅(sio
x
)、si3n4或另一种氮化硅(sin
x
)、al2o3或另一种氧化铝(al
x
oy)、tio2或另一种氧化钛(ti
x
oy)以及氧化铪(hfo
x
)中的至少一种绝缘材料，但实施方式不限于此。
64.绝缘薄膜inf可以由单层或多层形成。例如，绝缘薄膜inf可以由双膜形成。
65.在实施方式中，绝缘薄膜inf可以在与发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2中的至少一个对应的区域中被部分蚀刻(或去除)。例如，绝缘薄膜inf可以蚀刻成在至少一个区域中具有圆形形状，但是绝缘薄膜inf的形状不限于此。
66.在实施方式中，发光元件ld可以具有在纳米至微米的范围内的小尺寸。例如，发光元件ld可以具有在纳米至微米的范围内的直径d(或截面的宽度)和/或长度l。例如，发光元件ld可以具有在几十纳米至几十微米的范围内的直径d和/或长度l。然而，发光元件ld的尺寸可以变化。
67.发光元件ld的结构、形状、尺寸和/或类型可以根据实施方式改变。例如，发光元件ld可以形成为另一种结构和/或形状，诸如核-壳结构。
68.包括发光元件ld的发光设备可以用在需要光源的各种类型的设备中。例如，多个发光元件ld可以布置在显示设备的像素(或子像素)中，并且发光元件ld可以用作像素的光源。发光元件ld也可以用于需要光源的其他类型的设备(诸如照明设备)中。
69.图3是示出根据实施方式的显示设备dd的示意性平面图。图3集中于包括显示区域da的显示面板dp示意性地示出了显示设备dd的结构。显示设备dd还可以包括用于驱动像素pxl的驱动电路(例如，扫描驱动器、数据驱动器和时序控制器)。驱动电路的至少一部分可以形成和/或设置在显示面板dp的内部，或者驱动电路可以设置在显示面板dp的外部。
70.参考图3，显示设备dd可以包括基础层bsl和设置在基础层bsl上的像素pxl。
71.基础层bsl可以是构成显示设备dd的基础构件，并且可以构成例如显示面板dp的基础表面。基础层bsl可以包括用于显示图像的显示区域da和除显示区域da之外的非显示区域na。显示区域da可以构成其上显示图像的屏幕，并且非显示区域na可以是除显示区域da之外的区域。
72.显示面板dp可以具有各种形状。例如，显示面板dp具有矩形板形状，但不限于此。例如，显示面板dp可以具有诸如圆形或椭圆形的形状。此外，显示面板dp可以包括尖角和/或曲化角。
73.为了方便起见，在图3中，显示面板dp示出为具有矩形板形状。此外，在显示面板dp中，水平方向(例如，行方向或x方向)表示为第一方向dr1，竖直方向(例如，列方向或y方向)表示为第二方向dr2，并且厚度方向(或高度方向)表示为第三方向dr3。
74.显示区域da可以具有各种形状。例如，显示区域da可以具有诸如矩形、圆形、椭圆形等的各种形状。在实施方式中，显示区域da可以具有与显示面板dp的形状对应的形状，但是实施方式不限于此。
75.像素pxl可以布置在显示区域da中。例如，显示区域da可以包括其中设置有每个像素pxl的像素区域。
76.每个像素pxl可以包括子像素spx。例如，像素pxl可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。
77.第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以发射不同颜色的光。例如，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以分别各自发射蓝光、绿光和红光。构成像素pxl的子像素spx的数量、类型和/或布置结构可以根据实施方式而变化。
78.每个子像素spx可以包括至少一个光源。在实施方式中，光源可以包括根据图1和图2的实施方式的发光元件ld，例如，具有在纳米至微米的范围内的小尺寸的杆状形状的发光元件ld。各种类型的发光元件可以用作子像素spx的光源。例如，在另一实施方式中，子像素spx的光源可以使用具有不同尺寸范围的无机或有机发光元件，或者可以使用具有核-壳结构的无机发光元件。
79.在实施方式中，每个像素pxl中的子像素spx可以包括发射相同颜色光(第一颜色光)的发光元件ld。包括用于将第一颜色的光转换为第二颜色的光或第三颜色的光的至少一种类型的波长转换颗粒(例如，转换光的颜色和/或波长的颗粒，诸如量子点)的光转换层可以设置在子像素spx中的至少一个的发射区域(在下文中，称为子发射区域)中。例如，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3中的每个可以包括发射蓝光的至少一个蓝色发光元件。包括绿色量子点的光转换层和包括红色量子点的光转换层可以分别设置在与第二子像素spx2和第三子像素spx3对应的第二子发射区域和第三子发射区域中。因此，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以分别发射蓝光、绿光和红光。
80.像素pxl可以具有根据以下描述的实施方式的结构。例如，像素pxl可以具有应用以下描述的实施方式中的一个的结构，或者具有组合实施方式中的两个或多个的结构。
81.非显示区域na可以设置在显示区域da周围。连接到显示区域da的像素pxl的线、内置电路单元和/或焊盘可以设置在非显示区域na中。
82.在实施方式中，非显示区域na可以具有窄的宽度。因此，显示设备dd可以实现为无
边框显示设备。在实施方式中，为了减小非显示区域na，显示面板dp可以基本上不包括扇入区域和/或扇出区域。因此，为像素pxl提供电力和信号所需的所有线可以设置在显示区域da内(例如，设置在子像素spx和/或像素pxl之间)。线可以均匀地分布和/或布置在显示区域da中，以确保整个显示区域da中的均匀可视性。
83.其中减小和/或去除非显示区域na的显示设备dd可以提供与整体尺寸(例如，面积)相比更大的屏幕。此外，可以使用具有减小的非显示区域na的多个显示设备dd来构造拼接显示设备。例如，当通过在第一方向dr1和/或第二方向dr2上布置多个显示设备dd来配置拼接显示设备时，相邻显示设备dd的显示区域da之间的距离可以随着显示设备dd中的每个的非显示区域na减小和/或去除而减小。因此，显示设备dd之间的边界可以是不可见的或者可以被最小化，并且可以实现无缝拼接显示设备。
84.图4和图5是示出根据实施方式的子像素spx的等效电路的示意图。例如，图4和图5示出了包括具有不同结构的发光单元emu的子像素spx。
85.根据实施方式，图4和图5中示出的每个子像素spx可以是包括在图3的每个像素pxl中的子像素spx中的任何一个。此外，设置在显示区域da中的子像素spx可以具有基本上彼此相同或相似的结构。
86.参考图4和图5，子像素spx可以连接到扫描线sl、数据线dl(或子数据线中的任何一个)、第一电源线pl1和第二电源线pl2。此外，子像素spx可以选择性地连接到至少一个其他电源线和/或信号线。例如，子像素spx还可以连接到感测线senl和/或控制线ssl。
87.子像素spx可以包括用于产生具有与每个数据信号对应的亮度的光的发光单元emu。此外，子像素spx还可以包括用于驱动发光单元emu的像素电路pxc。
88.像素电路pxc可以连接到扫描线sl和数据线dl。此外，像素电路pxc可以连接在第一电源线pl1和发光单元emu之间。例如，像素电路pxc可以连接到被提供有第一扫描信号的扫描线sl、被提供有数据信号的数据线dl、被提供有第一电源vdd的电压的第一电源线pl1以及发光单元emu的第一像素电极elt1。
89.像素电路pxc可以选择性地连接到被提供有第二扫描信号的控制线ssl，并且感测线senl与显示周期或感测周期对应地连接到参考电源(或初始化电源)或者感测电路。在实施方式中，第二扫描信号和第一扫描信号可以彼此相同或不同。当第二扫描信号和第一扫描信号相同时，控制线ssl可以与扫描线sl一体。
90.像素电路pxc可以包括至少一个晶体管m和电容器cst。例如，像素电路pxc可以包括第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3和电容器cst。
91.第一晶体管m1可以连接在第一电源线pl1和第二节点n2之间。第二节点n2可以是像素电路pxc和发光单元emu所连接到的节点。例如，第二节点n2可以是第一晶体管m1的一个电极(例如，源电极)和发光单元emu的第一像素电极elt1(例如，阳极电极)所连接到的节点。第一晶体管m1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管m1可以响应于第一节点n1的电压来控制提供给发光单元emu的驱动电流。例如，第一晶体管m1可以是子像素spx的驱动晶体管。
92.在实施方式中，第一晶体管m1还可以包括底部金属层bml(也称为背栅电极或第二栅电极)。在实施方式中，底部金属层bml可以连接到第一晶体管m1的电极(例如，源电极)。
93.在其中第一晶体管m1包括底部金属层bml的实施方式中，可以应用反向偏置技术
(或同步技术)，其中通过向第一晶体管m1的底部金属层bml施加反向偏置电压来使第一晶体管m1的阈值电压在负方向上或正方向上偏移。当底部金属层bml设置在构成第一晶体管m1的沟道的半导体图案之下时，入射在半导体图案上的光被阻挡，从而可以稳定第一晶体管m1的工作特性。
94.第二晶体管m2可以连接在数据线dl和第一节点n1之间。第二晶体管m2的栅电极可以连接到扫描线sl。当从扫描线sl提供栅极导通电压(例如，逻辑高电压或高电平电压)的第一扫描信号时，第二晶体管m2可以导通以连接数据线dl和第一节点n1。
95.对于每个帧周期，相应帧的数据信号可以提供至数据线dl，并且数据信号可以在提供栅极导通电压的第一扫描信号的周期期间通过第二晶体管m2传送到第一节点n1。例如，第二晶体管m2可以是用于将每个数据信号传送到子像素spx的内部的开关晶体管。
96.电容器cst的第一电极可以连接到第一节点n1，并且电容器cst的第二电极可以连接到第二节点n2。电容器cst可以充入与在每个帧周期期间提供给第一节点n1的数据信号对应的电压。
97.第三晶体管m3可以连接在第二节点n2和感测线senl之间。第三晶体管m3的栅电极可以连接到控制线ssl(或扫描线sl)。当从控制线ssl提供栅极导通电压(例如，逻辑高电压或高电平电压)的第二扫描信号(或第一扫描信号)时，第三晶体管m3可以导通以将提供给感测线senl的参考电压(或初始化电压)传送到第二节点n2，或者将第二节点n2的电压传送到感测线senl。第二节点n2的电压可以通过感测线senl传送到感测电路，并且可以被提供给驱动电路(例如，时序控制器)，并且用于补偿像素pxl(或子像素spx)的特性的偏差。
98.尽管在图4和图5中像素电路pxc中所包括的所有晶体管m示出为n型晶体管，但是实施方式不限于此。例如，第一晶体管m1、第二晶体管m2和第三晶体管m3中的至少一个可以改变为p型晶体管。子像素spx的结构和驱动方法可以根据实施方式而变化。
99.发光单元emu可以连接在第一电源vdd和第二电源vss之间，并且可以包括第一像素电极elt1、第二像素电极elt2和至少一个发光元件ld。例如，发光单元emu可以包括通过像素电路pxc和/或第一电源线pl1连接到第一电源vdd的第一像素电极elt1、通过第二电源线pl2连接到第二电源vss的第二像素电极elt2以及连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的至少一个发光元件ld。
100.第一电源vdd和第二电源vss可以具有不同的电势。例如，第一电源vdd可以是高电势像素电源，并且第二电源vss可以是低电势像素电源。第一电源vdd和第二电源vss之间的电势差可以等于或大于发光元件ld的阈值电压。
101.在实施方式中，如图4的实施方式中那样，发光单元emu可以包括在正向方向上并联连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的发光元件ld。例如，发光元件ld的第一端部ep1可以连接到第一像素电极elt1，并且发光元件ld的第二端部ep2可以连接到第二像素电极elt2。在另一实施方式中，发光单元emu可以包括仅串联连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的发光元件ld，或者仅包括在正向方向上连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的单个发光元件ld。
102.在实施方式中，如图5的实施方式中那样，发光单元emu可以包括串联和并联连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的发光元件ld。当发光单元emu包括布置在至少两个串联级中的发光元件ld时，发光单元emu可以包括连接在第一像素电极elt1和第
二像素电极elt2之间的至少一个中间电极iet(也称为第三像素电极)。例如，发光单元emu可以包括顺序连接在像素电路pxc和第二电源线pl2之间的第一像素电极elt1、中间电极iet和第二像素电极elt2。发光单元emu可以包括发光元件ld，发光元件ld包括在正向方向上连接在第一像素电极elt1和中间电极iet之间的至少一个第一发光元件ld1(例如，多个第一发光元件ld1)以及在正向方向上连接在中间电极iet和第二像素电极elt2之间的至少一个第二发光元件ld2(例如，多个第二发光元件ld2)。例如，第一发光元件ld1的第一端部ep1和第二端部ep2可以分别连接到第一像素电极elt1和中间电极iet，并且第二发光元件ld2的第一端部ep1和第二端部ep2可以分别连接到中间电极iet和第二像素电极elt2。
103.每个发光元件ld可以构成每个有效光源。这些有效光源可以聚集以构成子像素spx的光源。
104.发光元件ld可以发射具有与通过像素电路pxc提供的驱动电流对应的亮度的光。在每个帧周期期间，像素电路pxc可以向发光单元emu提供与数据信号对应的驱动电流。提供给发光单元emu的驱动电流可以分流并流过发光元件ld。因此，每个发光元件ld发射具有与流过发光元件ld的电流对应的亮度的光，并且发光单元emu可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
105.在图4和图5中仅示出了在正向方向上连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的发光元件ld(有效光源)，但是实施方式不限于此。例如，除了构成每个有效光源的发光元件ld之外，发光单元emu还可以包括至少一个无效光源。例如，发光单元emu还可以包括至少一个无效发光元件，至少一个无效发光元件在相反方向上布置在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间或者具有浮置在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的至少一个端部。
106.图6是示出根据实施方式的显示区域da的示意性平面图。图6示意性地示出了显示区域da的结构，显示区域da包括沿着第二方向dr2顺序布置在显示区域da中的第一像素pxl1和第二像素pxl2。例如，第一像素pxl1可以设置在显示区域da的第n水平线(例如，第n像素行)和第m竖直线(例如，第m像素列)上，并且第二像素pxl2可以设置在显示区域da的第(n 1)水平线(例如，第(n 1)像素行)和第m竖直线上，其中，n和m可以是正整数。第一像素pxl1和第二像素pxl2可以在显示区域da中设置在相同竖直线上，并且可以在第二方向dr2上彼此竖直相邻。
107.参考图3至图6，显示区域da可以包括像素pxl(其包括第一像素pxl1和第二像素pxl2)以及连接到像素pxl的扫描线sl、数据线dl、感测线senl、第一电源线pl1和第二电源线pl2。此外，显示区域da可以选择性地包括控制线ssl。在实施方式中，每个水平线的控制线ssl可以与相应水平线的扫描线sl一体。在实施方式中，每个水平线的控制线ssl可以与相应水平线的扫描线sl分开形成。每个控制线ssl可以形成为在显示区域da中沿着第一方向dr1延伸，或者可以形成为网格型线，网格型线包括沿着第一方向dr1延伸的第一子控制线和沿着第二方向dr2延伸的第二子控制线。
108.针对每个水平线，可以形成扫描线sl。每个扫描线sl可以连接到设置在相应水平线上的子像素spx的像素电路pxc。
109.在实施方式中，每个扫描线sl可以包括在显示区域da中分别在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的子扫描线。例如，第n扫描线sln可以包括第一子扫描线sln_h和第二子
扫描线sln_v，第一子扫描线sln_h设置在显示区域da的第n水平线上并且在第一方向dr1上延伸，第二子扫描线sln_v在显示区域da中在第二方向dr2上延伸以与第一子扫描线sln_h相交并且连接到第一子扫描线sln_h。类似地，第(n 1)扫描线sln 1可以包括第一子扫描线sln 1_h和第二子扫描线sln 1_v，第一子扫描线sln 1_h设置在显示区域da的第(n 1)水平线上并且在第一方向dr1上延伸，第二子扫描线sln 1_v在显示区域da中在第二方向dr2上延伸以与第一子扫描线sln 1_h相交并且连接到第一子扫描线sln 1_h。
110.当扫描线sl形成在第一方向dr1和第二方向dr2上时，可以自由地改变焊盘和/或驱动电路(例如，扫描驱动器)的位置。例如，即使当显示设备dd是短边驱动型显示设备时，每个扫描信号也可以以水平线为单位提供至像素pxl。
111.数据线dl可以在显示区域da中沿着第二方向dr2延伸，并且针对每个竖直线，可以存在数据线dl。然而，实施方式不限于此。例如，对于每两个相邻的竖直线，可以存在一个数据线dl，并且这两个竖直线可以共享数据线dl。通过将连接到两个竖直线的像素pxl的扫描线sl分离，可以分开每个数据信号输入到像素pxl的时间。
112.每个数据线dl可以连接到设置在相应竖直线上的子像素spx的像素电路pxc。每个数据线dl可以包括连接到构成每个像素pxl的子像素spx的子数据线。例如，第m数据线dlm可以包括连接到设置在第m竖直线上的像素pxl的第一子像素spx1的第一子数据线d1、连接到设置在第m竖直线上的像素pxl的第二子像素spx2的第二子数据线d2以及连接到设置在第m竖直线上的像素pxl的第三子像素spx3的第三子数据线d3。因此，数据信号可以分别提供给每个子像素spx。
113.感测线senl可以在显示区域da中沿着第二方向dr2延伸，并且针对至少一个竖直线，可以形成感测线senl。在实施方式中，可以针对每个竖直线形成感测线senl，并且感测线senl可以公共连接到构成每个像素pxl的子像素spx。可以单独检测每个像素pxl的特性。在实施方式中，感测线senl可以由多个竖直线共享，并且可以检测以单元组织的像素pxl的块的特性。
114.第一电源线pl1和第二电源线pl2可以公共连接到显示区域da的像素pxl。例如，第一电源线pl1可以公共连接到子像素spx的像素电路pxc，并且第二电源线pl2可以公共连接到子像素spx的发光单元emu。
115.在实施方式中，第一电源线pl1和第二电源线pl2中的每个可以形成为网格形状，以防止或最小化第一电源vdd和第二电源vss的电压降(ir降)。因此，具有均匀电平的第一电源vdd的电压和第二电源vss的电压可以传输到像素pxl。
116.例如，第一电源线pl1可以包括在显示区域da中在第一方向dr1上延伸的至少一个第(1-1)子电源线pl1_h(也称为第一水平电源线)以及在显示区域da中在第二方向dr2上延伸并且连接到第(1-1)子电源线pl1_h的至少一个第(1-2)子电源线pl1_v(也称为第一竖直电源线)。至少一个第(1-1)子电源线pl1_h和至少一个第(1-2)子电源线pl1_v可以彼此交叉，并且可以在交叉点中的全部或一些交叉点处彼此连接。
117.类似地，第二电源线pl2可以包括在显示区域da中在第一方向dr1上延伸的至少一个第(2-1)子电源线pl2_h(也称为第二水平电源线)以及在显示区域da中在第二方向dr2上延伸并且连接到第(2-1)子电源线pl2_h的至少一个第(2-2)子电源线pl2_v(也称为第二竖直电源线)。至少一个第(2-1)子电源线pl2_h和至少一个第(2-2)子电源线pl2_v可以彼此
交叉，并且可以在交叉点中的全部或一些交叉点处彼此连接。
118.在实施方式中，可以针对每个水平线或多个水平线形成第(1-1)子电源线pl1_h和第(2-1)子电源线pl2_h。例如，第(1-1)子电源线pl1_h和第(2-1)子电源线pl2_h可以沿着第二方向dr2交替地布置在显示区域da中，其中，像素pxl设置在插置在其之间的每个水平线上。例如，第(1-1)子电源线pl1_h可以定位在位于奇数水平线上的像素行的上区域中，并且第(2-1)子电源线pl2_h可以形成在位于偶数水平线上的像素行的上区域中。一对彼此相邻的第(1-1)子电源线pl1_h和第(2-1)子电源线pl2_h可以彼此间隔开，且像素电路pxc布置在插置在其之间的每个水平线的像素行中。
119.例如，第(1-1)子电源线pl1_h中的任一个可以设置在第一像素pxl1的上区域中(例如，设置在第n扫描线sln的第一子扫描线sln_h附近)。第(2-1)子电源线pl2_h中的任何一个可以设置在第一像素pxl1和第二像素pxl2之间(例如，设置在第(n 1)扫描线sln 1的第一子扫描线sln 1_h附近)。第(1-1)子电源线pl1_h中的任何一个可以设置在第二像素pxl2的下区域中(例如，设置在第(n 2)扫描线的第一子扫描线sln 2_h附近)。第(1-1)子电源线pl1_h和第(2-1)子电源线pl2_h的数量和/或位置可以根据实施方式而变化。
120.在实施方式中，可以针对至少一个竖直线形成第(1-2)子电源线pl1_v和第(2-2)子电源线pl2_v。例如，第(1-2)子电源线pl1_v和第(2-2)子电源线pl2_v可以针对每个竖直线形成，并且可以彼此间隔开，且像素电路pxc布置在插置在其之间的相应竖直线的像素列中。第(1-2)子电源线pl1_v和第(2-2)子电源线pl2_v的数量和/或位置可以根据实施方式而变化。
121.每个像素pxl可以包括子像素spx。例如，每个像素pxl可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。
122.每个子像素spx可以包括像素电路pxc和发光单元emu。例如，第一子像素spx1可以包括第一像素电路pxc1和第一发光单元emu1，第二子像素spx2可以包括第二像素电路pxc2和第二发光单元emu2，并且第三子像素spx3可以包括第三像素电路pxc3和第三发光单元emu3。
123.每个像素pxl的像素电路pxc和发光单元emu可以设置在不同的层上并且可以彼此重叠。例如，像素电路pxc可以设置在其中设置有每个像素pxl的像素区域pxa的像素电路层(例如，图9和图10的像素电路层pcl)中。发光单元emu可以设置在每个像素区域pxa的显示元件层(例如，图9和图10的显示元件层dpl)中以与相应像素pxl的像素电路pxc重叠。
124.在实施方式中，第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3可以沿着第二方向dr2布置在每个像素区域pxa中。例如，第一像素pxl1的第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3可以沿着第二方向dr2以预定顺序布置在其中设置有第一像素pxl1的第一像素区域pxa1中。类似地，第二像素pxl2的第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3可以沿着第二方向dr2以预定顺序布置在其中设置有第二像素pxl2的第二像素区域pxa2中。在实施方式中，第三像素电路pxc3可以在第二方向dr2上位于每个像素区域pxa的中央处，并且第一像素电路pxc1和第二像素电路pxc2可以在第二方向dr2上位于第三像素电路pxc3的两侧上。像素电路pxc的位置和/或布置顺序可以变化。
125.像素电路pxc的布置方向也可以根据实施方式而改变。例如，在实施方式中，第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3可以沿着第一方向dr1以预定顺序
布置在每个像素区域pxa中。
126.第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3可以连接到相应水平线的公共第一电源线pl1和公共扫描线sl，并且可以连接到相应竖直线的不同子数据线。例如，第一像素电路pxc1可以连接到第一子数据线d1，第二像素电路pxc2可以连接到第二子数据线d2，并且第三像素电路pxc3可以连接到第三子数据线d3。
127.第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3可以选择性地连接到感测线senl。例如，第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3可以全部连接到相应竖直线的感测线senl。
128.第一发光单元emu1、第二发光单元emu2和第三发光单元emu3可以电连接在每个像素电路pxc和第二电源线pl2之间。例如，第一发光单元emu1、第二发光单元emu2和第三发光单元emu3可以分别电连接到第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3。第一发光单元emu1、第二发光单元emu2和第三发光单元emu3可以电连接到第二电源线pl2(例如，第(2-1)子电源线pl2_h中的任何一个)。
129.在实施方式中，第一发光单元emu1、第二发光单元emu2和第三发光单元emu3可以沿着第一方向dr1布置在每个像素区域pxa中。例如，第一像素pxl1的第一发光单元emu1、第二发光单元emu2和第三发光单元emu3可以沿着第一方向dr1顺序地布置在其中设置有第一像素pxl1的第一像素区域pxa1中。类似地，第二像素pxl2的第一发光单元emu1、第二发光单元emu2和第三发光单元emu3可以沿着第一方向dr1顺序地布置在其中设置有第二像素pxl2的第二像素区域pxa2中。第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以包括分别与第一发光单元emu1、第二发光单元emu2和第三发光单元emu3的至少一个区域(或部分)对应的子发射区域。因此，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的子发射区域可以沿着第一方向dr1顺序布置。然而，发光单元emu的位置、布置顺序和/或布置方向可以根据实施方式而变化。
130.在图6中所示的实施方式中，子像素spx的像素电路pxc和发光单元emu在不同的方向上布置在每个像素区域pxa中，但是实施方式不限于此。例如，像素电路pxc和发光单元emu的位置和/或布置方向可以根据实施方式而变化。
131.在实施方式中，除了用于连接像素电路pxc和第二电源线pl2的接触部分和/或其周边之外，发光单元emu可以设置成基本上避免与线(例如，位于每个像素pxl周围的信号线和电源线)重叠。例如，当在平面上观察时，发光单元emu可以设置在位于线之间的每个像素区域pxa内。因此，可以防止和/或减少在对准发光元件ld的工艺中可以由线引起的电磁信号的干扰，并且可以改善发光元件ld的对准特性。
132.图7是示出根据实施方式的显示区域da的平面图。例如，图7示出了显示区域da的与图6的区域ar1对应的区域，并且基于发光单元emu示出了子像素spx和包括的子像素spx的像素pxl(例如，第一像素pxl1)的结构。如在图5中所示的实施方式中那样，在图7中，发光单元emu包括串联连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的发光元件ld以及并联连接在第一像素电极elt1和第二像素电极elt2之间的发光元件ld。
133.参考图3至图7，像素pxl可以包括发射区域ea，发射区域ea中设置有子像素spx的发光元件ld。像素pxl的发射区域ea可以包括与构成相应像素pxl的子像素spx对应的子发射区域sea。
134.例如，第一子像素spx1可以包括第一子发射区域sea1，第一子发射区域sea1包括至少一个发光元件ld和设置在发光元件ld附近的电极。第二子像素spx2可以包括第二子发射区域sea2，第二子发射区域sea2位于第一子发射区域sea1附近并且包括至少一个发光元件ld和设置在发光元件ld附近的电极。第三子像素spx3可以包括第三子发射区域sea3，第三子发射区域sea3位于第一子发射区域sea1和/或第二子发射区域sea2附近并且包括至少一个发光元件ld和设置在发光元件ld附近的电极。包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的像素pxl可以包括发射区域ea，发射区域ea包括第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3。
135.在实施方式中，子像素spx可以形成为具有基本上相似或基本上相同的结构。因此，在图7中，描述第一子像素spx1的元件的参考标号和解释适用于其他子像素spx2和spx3。
136.在实施方式中，每个子发射区域sea可以包括发光元件ld和电连接到发光元件ld的电极。在实施方式中，电极可以包括对准电极ale和像素电极elt。每个子发射区域sea可以包括设置在电极之下的堤图案bnp。
137.对准电极ale可以具有各种形状并且可以彼此间隔开。在实施方式中，对准电极ale可以在第一方向dr1上彼此间隔开，并且对准电极ale中的每个可以具有沿着第二方向dr2延伸的形状(例如，棒状形状)。
138.对准电极ale的形状、尺寸、数量、位置和/或相互布置结构可以根据实施方式而变化。此外，对准电极ale可以具有彼此基本上类似或基本上相同的形状和/或尺寸，或者可以具有不同的形状和尺寸。
139.对准电极ale可以包括至少两个彼此间隔开的电极。例如，对准电极ale可以包括第一对准电极ale1和第二对准电极ale2，并且还可以可选地包括第三对准电极ale3。
140.在实施方式中，第一对准电极ale1可以位于每个子发射区域sea的中央处，并且第二对准电极ale2和第三对准电极ale3可以设置在第一对准电极ale1的两侧上。例如，第二对准电极ale2可以设置在第一对准电极ale1的右侧上，并且第三对准电极ale3可以设置在第一对准电极ale1的左侧上。
141.对准电极ale(或者在分离成子像素spx中的每个的对准电极ale之前的对准线)可以在制造工艺中接收用于对准发光元件ld所需的对准信号。因此，可以在对准电极ale之间形成电场，使得发光元件ld可以对准和/或布置在对准电极ale之间。这里，发光元件ld对准和/或布置在对准电极ale之间的表述可以意味着发光元件ld中的每个的至少一部分设置在对准电极ale之间。
142.例如，当对准发光元件ld时，第一对准电极ale1、第二对准电极ale2和第三对准电极ale3(或连接子像素spx的第一对准电极ale1的第一对准线、连接子像素spx的第二对准电极ale2的第二对准线和连接子像素spx的第三对准电极ale3的第三对准线)可以分别接收第一对准信号、第二对准信号和第三对准信号。第一对准信号和第二对准信号可以具有不同的波形、电势和/或相位。因此，可以在第一对准电极ale1和第二对准电极ale2之间形成电场，使得发光元件ld(例如，第一发光元件ld1)可以在第一对准电极ale1和第二对准电极ale2之间对准。第一对准信号和第三对准信号可以具有不同的波形、电势和/或相位。因此，可以在第一对准电极ale1和第三对准电极ale3之间形成电场，使得发光元件ld(例如，
第二发光元件ld2)可以在第一对准电极ale1和第三对准电极ale3之间对准。第三对准信号和第二对准信号可以相同或者可以彼此不同。
143.对准电极ale可以至少设置在每个子发射区域sea中，并且可以通过围绕子发射区域sea的非发射区域nea延伸到分离区域spa。分离区域spa可以是其中在完成发光元件ld的对准之后每个对准线(例如，第一对准线、第二对准线和第三对准线)分离成子像素spx中的每个的对准电极ale(例如，第一对准电极ale1、第二对准电极ale2和第三对准电极ale3)的区域，并且分离区域spa可以设置在每个子发射区域sea的至少一侧上。
144.例如，每个像素pxl可以包括设置在发射区域ea周围的至少一个分离区域spa。构成像素pxl的至少一个电极的端部(例如，对准电极ale的端部中的一个)可以设置在每个分离区域spa中。
145.在实施方式中，分离区域spa可以设置在每个子发射区域sea上方和下方。子像素spx的分离区域spa可以彼此分离，但是实施方式不限于此。例如，位于第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3上方或下方的分离区域spa可以彼此一体。
146.在实施方式中，每个对准电极ale可以具有针对每个子像素spx分离的单独图案。例如，子像素spx中的每个的第一对准电极ale1、第二对准电极ale2和第三对准电极ale3中的每个可以具有分离的单独图案。然而，实施方式不限于此。例如，在其中子像素spx的第二像素电极elt2公共连接到第二电源线pl2的结构中，连接到第二像素电极elt2的对准电极ale(例如，子像素spx的第三对准电极ale3)可以彼此一体地形成，而不在沿第一方向dr1和/或第二方向dr2彼此相邻的子发射区域sea之间断开。
147.在实施方式中，第一对准电极ale1可以通过第一接触部分cnt1连接到设置在像素电路层(例如，图9和图10的像素电路层pcl)中的像素电路pxc和/或第一电源线pl1。第一对准信号可以通过位于像素电路层中的至少一个线(例如，第一电源线pl1)提供给第一对准电极ale1(或第一对准线)。
148.第一接触部分cnt1可以包括至少一个接触孔和/或通孔。在实施方式中，第一接触部分cnt1可以定位在位于每个子发射区域sea周围的非发射区域nea中，但是第一接触部分cnt1的位置不限于此。例如，第一接触部分cnt1可以设置在每个子发射区域sea或分离区域spa中。参考图7，第一接触部分cnt1在第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3中设置在基本上相同的位置处，但是第一接触部分cnt1的位置可以根据每个子像素spx的像素电路pxc和发光单元emu的结构而变化。例如，当每个第一对准电极ale1与连接到第一对准电极ale1的电路元件(例如，图4和图5的第一晶体管m1和/或电容器cst)和/或线(例如，第一电源线pl1)可以电连接时，第一接触部分cnt1的位置可以不受特别限制。
149.在实施方式中，第二对准电极ale2可以通过第二接触部分cnt2连接到位于像素电路层中的第二电源线pl2。第二对准信号可以通过第二电源线pl2提供给第二对准电极ale2(或第二对准线)。
150.类似地，第三对准电极ale3可以通过第三接触部分cnt3连接到位于像素电路层中的第二电源线pl2。第二对准信号也可以通过第二电源线pl2提供给第三对准电极ale3(或第三对准线)。
151.第二接触部分cnt2和第三接触部分cnt3中的每个可以包括至少一个接触孔和/或至少一个通孔。在实施方式中，第二接触部分cnt2和第三接触部分cnt3可以定位在位于每个子发射区域sea周围的非发射区域nea中，但是第二接触部分cnt2和第三接触部分cnt3的位置不限于此。例如，第二接触部分cnt2和第三接触部分cnt3可以设置在每个子发射区域sea或分离区域spa中。参考图7，第二接触部分cnt2和第三接触部分cnt3在第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3中设置在基本上相同的位置处，但是第二接触部分cnt2和第三接触部分cnt3的位置可以根据每个子像素spx的像素电路pxc和发光单元emu的结构而变化。
152.至少一个第一发光元件ld1可以布置在第一对准电极ale1和第二对准电极ale2之间。例如，第一发光元件ld1可以布置在第一对准电极ale1和第二对准电极ale2之间。
153.第一发光元件ld1中的每个可以与第一对准电极ale1和/或第二对准电极ale2重叠或者可以不与第一对准电极ale1和/或第二对准电极ale2重叠。第一发光元件ld1的第一端部ep1可以设置成与第一对准电极ale1相邻，并且第一发光元件ld1的第二端部ep2可以设置成与第二对准电极ale2相邻。
154.第一发光元件ld1的第一端部ep1可以电连接到第一像素电极elt1。在实施方式中，第一发光元件ld1的第一端部ep1可以通过第一像素电极elt1连接到第一对准电极ale1，并且通过第一对准电极ale1电连接到像素电路pxc和/或第一电源线pl1。
155.第一发光元件ld1的第二端部ep2可以电连接到中间电极iet和/或第二像素电极elt2。在实施方式中，第一发光元件ld1的第二端部ep2可以电连接到中间电极iet。第一发光元件ld1的第二端部ep2可以经由中间电极iet、至少一个第二发光元件ld2、第二像素电极elt2和第三对准电极ale3电连接到第二电源线pl2。
156.至少一个第二发光元件ld2可以布置在第一对准电极ale1和第三对准电极ale3之间。例如，第二发光元件ld2可以布置在第一对准电极ale1和第三对准电极ale3之间。
157.第二发光元件ld2中的每个可以与第一对准电极ale1和/或第三对准电极ale3重叠或者可以不与第一对准电极ale1和/或第三对准电极ale3重叠。第二发光元件ld2的第一端部ep1可以设置成与第一对准电极ale1相邻，并且第二发光元件ld2的第二端部ep2可以设置成与第三对准电极ale3相邻。
158.第二发光元件ld2的第一端部ep1可以电连接到中间电极iet。第二发光元件ld2的第二端部ep2可以电连接到第二像素电极elt2。在实施方式中，第二发光元件ld2的第二端部ep2可以通过第二像素电极elt2连接到第三对准电极ale3，并且通过第三对准电极ale3电连接到第二电源线pl2。
159.在实施方式中，每个发光元件ld可以是由具有无机晶体结构的材料形成并且具有超小尺寸(例如，具有在纳米至微米的范围内的尺寸)的无机发光元件。例如，每个发光元件ld可以是通过生长氮化物基半导体而制造成如图1和图2中所示的杆状形状的、具有超小尺寸的无机发光元件。然而，构成每个发光单元emu的发光元件ld的类型、尺寸、形状、结构和/或数量可以改变。
160.发光元件ld可以分散在溶液中，并且可以通过喷墨方法、狭缝涂布方法等提供给每个发射区域ea。当在提供发光元件ld的同时或在提供发光元件ld之后将对准信号施加到子像素spx的对准电极ale(或对准线)时，可以在对准电极ale之间形成电场以对准发光元
件ld。在发光元件ld对准之后，可以通过干燥工艺等去除溶剂。
161.第一像素电极elt1可以设置在第一发光元件ld1的第一端部ep1上，并且可以电连接到第一发光元件ld1的第一端部ep1。例如，第一像素电极elt1可以直接设置在第一发光元件ld1的第一端部ep1上，以与第一发光元件ld1的第一端部ep1接触。
162.在实施方式中，第一像素电极elt1可以与第一对准电极ale1重叠，并且可以通过第四接触部分cnt4电连接到第一对准电极ale1。第一像素电极elt1可以通过第一对准电极ale1电连接到像素电路pxc和/或第一电源线pl1。在其他实施方式中，第一像素电极elt1可以在不经过第一对准电极ale1的情况下电连接到像素电路pxc和/或第一电源线pl1。
163.中间电极iet可以设置在第一发光元件ld1的第二端部ep2和第二发光元件ld2的第一端部ep1上，并且可以电连接到第一发光元件ld1的第二端部ep2和第二发光元件ld2的第一端部ep1。例如，中间电极iet可以直接设置在第一发光元件ld1的第二端部ep2和第二发光元件ld2的第一端部ep1上，以与第一发光元件ld1的第二端部ep2和第二发光元件ld2的第一端部ep1接触。在实施方式中，中间电极iet可以与第一对准电极ale1和第二对准电极ale2中的每个的一部分重叠，但是实施方式不限于此。
164.第二像素电极elt2可以设置在第二发光元件ld2的第二端部ep2上，并且可以电连接到第二发光元件ld2的第二端部ep2。例如，第二像素电极elt2可以直接设置在第二发光元件ld2的第二端部ep2上，并且可以接触第二发光元件ld2的第二端部ep2。
165.在实施方式中，第二像素电极elt2可以与第三对准电极ale3重叠，并且可以通过第五接触部分cnt5电连接到第三对准电极ale3。第二像素电极elt2可以通过第三对准电极ale3电连接到第二电源线pl2。在另一实施方式中，第二像素电极elt2可以在不经过第三对准电极ale3的情况下电连接到第二电源线pl2。
166.像素电极elt(例如，第一像素电极elt1、中间电极iet和第二像素电极elt2)可以至少形成在子发射区域sea中的每个中。在实施方式中，至少一个像素电极elt可以从每个子发射区域sea延伸到非发射区域nea和/或分离区域spa。例如，第一像素电极elt1和第二像素电极elt2可以从每个子发射区域sea延伸到非发射区域nea和分离区域spa，并且可以分别在分离区域spa中电连接到第一对准电极ale1和第三对准电极ale3。中间电极iet可以仅形成在每个子发射区域sea中，或者中间电极iet的一部分可以位于非发射区域nea中。像素电极elt的位置、尺寸、形状和相互布置结构和/或第四接触部分cnt4和第五接触部分cnt5的位置可以根据实施方式而变化。
167.堤图案bnp(也称为图案或壁图案)可以设置在电极之下，以与设置在子发射区域sea中的电极的一部分重叠。例如，堤图案bnp可以包括与设置在像素pxl的子发射区域sea中的对准电极ale部分地重叠的第一堤图案bnp1至第七堤图案bnp7。在实施方式中，至少一个堤图案bnp可以延伸到发射区域ea周围的非发射区域nea，但是实施方式不限于此。
168.第一堤图案bnp1可以位于发射区域ea的第一方向dr1上的第一边缘区域(例如，左边缘区域)中。例如，第一堤图案bnp1可以位于第一子发射区域sea1的左边缘区域中。在实施方式中，第一堤图案bnp1可以与第一子像素spx1的第三对准电极ale3重叠。第一堤图案bnp1可以与第一子像素spx1的第二像素电极elt2重叠或者可以不与第一子像素spx1的第二像素电极elt2重叠。
169.第一堤图案bnp1可以包括第一谷val1。在实施方式中，第一谷val1可以是形成在
第一堤图案bnp1的一部分中的开口或凹槽(或沟槽)。
170.第一谷val1可以位于发射区域ea的第一方向dr1上的第一边缘区域中。例如，第一谷val1可以设置在第一子发射区域sea1的左边缘区域中，以在第一方向dr1上位于第一子像素spx1的电极外部。
171.在实施方式中，第一谷val1可以是在与第一方向dr1相交的第二方向dr2上延伸的狭缝形状的谷。例如，第一谷val1可以在发射区域ea的第一边缘区域中可以确保的空间内形成在第一堤图案bnp1中。
172.第二堤图案bnp2可以位于发射区域ea的第一方向dr1上的第二边缘区域(例如，右边缘区域)中。例如，第二堤图案bnp2可以位于第三子发射区域sea3的右边缘区域中。在实施方式中，第二堤图案bnp2可以与第三子像素spx3的第二对准电极ale2重叠。第二堤图案bnp2可以与第三子像素spx3的中间电极iet重叠或者可以不第三子像素spx3的中间电极iet重叠。
173.第二堤图案bnp2可以包括第二谷val2。在实施方式中，第二谷val2可以是形成在第二堤图案bnp2的一部分中的开口或沟槽(或沟槽)。
174.第二谷val2可以位于发射区域ea的第一方向dr1上的第二边缘区域中。例如，第二谷val2可以设置在第三子发射区域sea3的右边缘区域中，以在第一方向dr1上位于第三子像素spx3的电极外部。
175.在实施方式中，第二谷val2可以是在与第一方向dr1相交的第二方向dr2上延伸的狭缝形状的谷。例如，第二谷val2可以在发射区域ea的第二边缘区域中可以确保的空间内形成在第二堤图案bnp2中。
176.第三堤图案bnp3至第七堤图案bnp7可以设置在第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2之间。例如，第三堤图案bnp3至第七堤图案bnp7可以在第一方向dr1上顺序布置在第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2之间。
177.第三堤图案bnp3可以位于第一子发射区域sea1中，并且可以与第一子像素spx1的第一对准电极ale1重叠。第三堤图案bnp3可以与第一子像素spx1的第一像素电极elt1和/或中间电极iet重叠或者可以不与第一子像素spx1的第一像素电极elt1和/或中间电极iet重叠。
178.第四堤图案bnp4可以位于第一子发射区域sea1和第二子发射区域sea2中，并且可以与第一子像素spx1的第二对准电极ale2和第二子像素spx2的第三对准电极ale3重叠。图7示出了其中第一子像素spx1的第二对准电极ale2和第二子像素spx2的第三对准电极ale3共享一个第四堤图案bnp4的实施方式，但是实施方式不限于此。例如，在实施方式中，第四堤图案bnp4可以划分成设置在每个子发射区域sea中的两个图案。第四堤图案bnp4可以与第一子像素spx1的中间电极iet和/或第二子像素spx2的第二像素电极elt2重叠或可以不与第一子像素spx1的中间电极iet和/或第二子像素spx2的第二像素电极elt2重叠。
179.第五堤图案bnp5可以位于第二子发射区域sea2中，并且可以与第二子像素spx2的第一对准电极ale1重叠。第五堤图案bnp5可以与第二子像素spx2的第一像素电极elt1和/或中间电极iet重叠或者可以不与第二子像素spx2的第一像素电极elt1和/或中间电极iet重叠。
180.第六堤图案bnp6可以位于第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3中，并且可
以与第二子像素spx2的第二对准电极ale2和第三子像素spx3的第三对准电极ale3重叠。图7示出了其中第二子像素spx2的第二对准电极ale2和第三子像素spx3的第三对准电极ale3共享一个第六堤图案bnp6的实施方式，但是实施方式不限于此。例如，在另一实施方式中，第六堤图案bnp6可以划分成设置在每个子发射区域sea中的两个图案。第六堤图案bnp6可以与第二子像素spx2的中间电极iet和/或第三子像素spx3的第二像素电极elt2重叠或者可以不与第二子像素spx2的中间电极iet和/或第三子像素spx3的第二像素电极elt2重叠。
181.第七堤图案bnp7可以位于第三子发射区域sea3中，并且可以与第三子像素spx3的第一对准电极ale1重叠。第七堤图案bnp7可以与第三子像素spx3的第一像素电极elt1和/或中间电极iet重叠或者可以不与第三子像素spx3的第一像素电极elt1和/或中间电极iet重叠。
182.在实施方式中，堤图案bnp可以包括疏水表面。例如，通过使用疏水材料将堤图案bnp本身形成为疏水图案或者通过在堤图案bnp上形成由疏水材料制成的疏水薄膜，堤图案bnp可以具有疏水表面。然而，在实施方式中，堤图案bnp的材料和/或表面性质不受特别限制。
183.非发射区域nea可以设置在每个发射区域ea和/或每个分离区域spa周围。第一堤bnk1可以设置在非发射区域nea中。
184.第一堤bnk1可以包括与每个像素pxl的发射区域ea对应的第一开口opa1并且围绕发射区域ea。此外，第一堤bnk1可以包括与分离区域spa对应的第二开口opa2并且围绕分离区域spa。例如，第一堤bnk1可以包括与每个发射区域ea和每个分离区域spa对应的开口opa。
185.在实施方式中，第一开口opa1可以形成为包括与构成每个像素pxl的子像素spx对应的子发射区域sea(例如，第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3)。例如，每个像素pxl的第一开口opa1可以通过整体开口第一堤bnk1以包括每个像素pxl的子发射区域sea来形成。与其中开口单独地形成为与每个子发射区域sea对应的实施方式相比，发射区域ea的面积和/或体积量可以增加。例如，在用于提供发光元件ld的喷墨工艺或狭缝涂布工艺中，可以增加可以容纳在构成每个喷墨区域的每个发射区域ea中的发光元件墨水的体积量。
186.第一堤bnk1可以包括至少一种光阻挡材料和/或光反射材料。例如，第一堤bnk1可以包括至少一种黑矩阵材料和/或特定颜色的滤色器材料。因此，可以防止相邻像素pxl之间的光泄漏。
187.在向每个像素pxl提供发光元件ld的步骤中，第一堤bnk1可以限定待向其提供发光元件ld的每个发射区域ea。例如，由于像素pxl的发射区域ea通过第一堤bnk1分离和分隔，所以可以向每个发射区域ea提供期望类型和/或数量的发光元件墨水。
188.在实施方式中，第一堤bnk1可以包括疏水性表面。例如，通过使用疏水材料将第一堤bnk1本身形成为疏水图案或者通过在第一堤bnk1上形成由疏水材料制成的疏水薄膜，第一堤bnk1可以具有疏水表面。例如，可以使用具有大接触角的疏水性有机绝缘材料(诸如聚丙烯酸酯)形成第一堤bnk1。因此，第一堤bnk1可以形成为疏水图案。因此，发光元件墨水可以稳定地流入发射区域ea中。
189.在实施方式中，第一堤bnk1可以包括第三谷val3。第三谷val3可以是形成在第一
堤bnk1的一部分中的开口或凹槽(或沟槽)。
190.第三谷val3可以形成为至少围绕发射区域ea。例如，第三谷val3可以至少围绕第一开口opa1，并且当在平面上观察时可以具有闭合形状。
191.此外，第三谷val3还可以围绕位于第一开口opa1周围的至少一个第二开口opa2。例如，第三谷val3可以一次和/或一体地围绕每个像素pxl的发射区域ea和分离区域spa。此外，当在平面上观察时，第三谷val3可以具有闭合形状，诸如多边形形状(例如，具有尖角或圆角的矩形形状)、圆形形状、椭圆形形状等。
192.与上述实施方式中那样，当第一谷val1和第二谷val2形成在第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2中时，在用于提供发光元件ld的喷墨工艺或狭缝涂布工艺中，可以增加可以容纳在每个发射区域ea中的发光元件墨水的体积。因此，可以一次将较大量的发光元件墨水提供到发射区域ea。此外，当发光元件墨水的量增加时，发光元件墨水中包括的发光元件ld的数量也可以增加。
193.当第三谷val3形成在第一堤bnk1中时，可以防止发光元件墨水的溢出。例如，通过在第一堤bnk1中形成第三谷val3，可以防止发光元件墨水溢出到相邻像素区域pxa中。
194.如上所述，通过在第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2以及第一堤bnk1中形成谷val，可以增加可以容纳在发射区域ea中的发光元件墨水的体积量，并且可以防止溢出。因此，可以增加可以一次提供到每个发射区域ea的发光元件墨水的量。当可以一次提供到发射区域ea的发光元件墨水的量增加时，可以一次施加到发射区域ea的发光元件ld的数量也可以增加。因此，可以改善提供和对准发光元件ld的工艺效率。
195.例如，施加发光元件墨水和干燥溶剂的工艺可能必须重复多次，以在每个子发射区域sea中对准足够数量的发光元件ld。通过减少施加发光元件墨水和干燥溶剂的工艺的次数，可以减少提供和对准发光元件ld所需的工艺时间。因此，可以改善像素pxl和包括像素pxl的显示设备dd的制造效率。
196.图8是示出根据实施方式的显示区域da的平面图。例如，图8示出了显示区域da的与图6的区域ar1对应的一个区域，并且示出了图7的修改的实施方式。在图8的实施方式中，与图7的实施方式的组件类似或相同的组件被赋予相同的附图标记，并且将不重复它们的详细描述。
197.参考图8，第一堤图案bnp1、第二堤图案bnp2和第一堤bnk1中的每个可以包括多个谷val。例如，第一堤图案bnp1可以包括两个或更多个第一谷val1，并且第二堤图案bnp2可以包括两个或更多个第二谷val2。第一堤bnk1可以包括两个或更多个第三谷val3。
198.在图7和图8的实施方式中，第一堤图案bnp1、第二堤图案bnp2和第一堤bnk1包括相同数量的谷val，但实施方式不限于此。例如，第一堤图案bnp1、第二堤图案bnp2和第一堤bnk1中的每个可以包括至少一个谷val，并且可以包括相同或不同数量的谷val。形成在第一堤图案bnp1、第二堤图案bnp2和第一堤bnk1中的谷val的数量、尺寸和/或形状可以根据可以用于形成谷val的空间和/或由于谷val而增加的发射区域ea的体积而变化。
199.图9和图10是示出根据实施方式的显示设备dd的剖视图。例如，图9和图10示意性地示出了与图7的线ii-ii'对应的显示区域da和包括显示区域da的显示设备dd的截面。图9和图10示出了关于谷val的结构和/或尺寸(例如，深度)的不同实施方式。
200.在图9和图10中，作为可以设置在显示区域da的像素电路层pcl中的电路元件的示
例，示出了晶体管m(例如，包括底部金属层bml的第一晶体管m1)和电容器cst。在图9和图10中，作为可以设置在显示区域da的像素电路层pcl中的其他元件的示例，示出了位于像素pxl周围的一些线(例如，第(n 1)扫描线sln 1的第二子扫描线sln 1_v、第(1-2)子电源线pl1_v、感测线senl和第m数据线dlm的第一子数据线d1)。设置在每个像素电路pxc中的其他电路元件以及各种信号线和/或电源线也可以设置在像素电路层pcl中。
201.参考图3至图10，显示设备dd可以包括基础层bsl、像素电路层pcl和显示元件层dpl。像素电路层pcl和显示元件层dpl可以设置成在基础层bsl上彼此重叠。例如，像素电路层pcl和显示元件层dpl可以顺序地设置在基础层bsl的表面上。
202.此外，显示设备dd还可以包括设置在显示元件层dpl上的滤色器层cfl和/或封装层enc(或保护层)。在实施方式中，滤色器层cfl和/或封装层enc可以直接形成在基础层bsl的其上形成有像素电路层pcl和显示元件层dpl的表面上，但是实施方式不限于此。
203.基础层bsl可以是刚性衬底、柔性衬底或膜，并且其材料或结构不受特别限制。例如，基础层bsl可以包括至少一种透明或不透明的绝缘材料，并且可以是单层衬底或多层衬底或者单层膜或多层膜。
204.像素电路层pcl可以设置在基础层bsl的一个表面上。像素电路层pcl可以包括构成子像素spx的像素电路pxc(例如，第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3)的电路元件。例如，包括第一像素电路pxc1、第二像素电路pxc2和第三像素电路pxc3的第一晶体管m1的多个电路元件可以形成在像素电路层pcl的每个像素区域pxa中。第一晶体管m1中的每个可以通过图7和图8的第一接触部分cnt1电连接到构成每个子像素spx的发光单元emu的至少一个电极(例如，第一对准电极ale1)。
205.此外，像素电路层pcl可以包括连接到子像素spx的线。例如，像素电路层pcl可以包括电连接到子像素spx中的每个的像素电路pxc和/或发光单元emu的扫描线sl、数据线dl、感测线senl以及第一电源线pl1和第二电源线pl2。
206.在实施方式中，线可以设置在发射区域ea周围，以避免与每个像素pxl的发射区域ea重叠。例如，线可以设置在显示区域da的像素pxl之间。此外，线可以与第一堤bnk1重叠。例如，第一堤bnk1可以形成为覆盖形成在像素电路层pcl中的线的上部分。因此，在对准发光元件ld时，通过防止或减少形成在像素电路层pcl中的线的影响，可以改善发光元件ld的对准特性。
207.像素电路层pcl可以包括绝缘层。例如，像素电路层pcl可以包括依次设置在基础层bsl的一个表面上的缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和/或钝化层psv。
208.像素电路层pcl可以设置在基础层bsl上，并且可以包括第一导电层，第一导电层包括第一晶体管m1的底部金属层bml。例如，第一导电层可以设置在基础层bsl和缓冲层bfl之间，并且可以包括子像素spx中所包括的第一晶体管m1的底部金属层bml。第一晶体管m1的底部金属层bml可以与第一晶体管m1的栅电极ge和半导体图案scp重叠。
209.此外，第一导电层还可以包括线。例如，第一导电层可以包括在显示区域da中在第二方向dr2上延伸的线中的至少一些。例如，第一导电层可以包括第二子扫描线(例如，图6的第n扫描线sln和第(n 1)扫描线sln 1的第二子扫描线sln_v和sln 1_v)、第(1-2)子电源线pl1_v、第(2-2)子电源线pl2_v、感测线senl和数据线dl。
210.缓冲层bfl可以设置在基础层bsl(包括第一导电层)的表面上。缓冲层bfl可以防
止杂质扩散到每个电路元件中。
211.半导体层可以设置在缓冲层bfl上。半导体层可以包括晶体管m的半导体图案scp。每个半导体图案scp可以包括与相应晶体管m的栅电极ge重叠的沟道区域以及设置在沟道区域的两侧上的第一导电区域和第二导电区域(例如，源极区域和漏极区域)。
212.栅极绝缘层gi可以设置在半导体层上。第二导电层可以设置在栅极绝缘层gi上。
213.第二导电层可以包括晶体管m的栅电极ge。第二导电层还可以包括设置在像素电路pxc中的电容器cst中的每个的电极(例如，每个电容器cst的第一电极ce1)。在实施方式中，每个子像素spx的第一晶体管m1的栅电极ge可以与子像素spx的电容器cst的第一电极ce1一体地或非一体地形成。当设置在显示区域da中的电源线和/或信号线中的至少一个由多个层组成时，第二导电层还可以包括构成电源线和/或信号线的至少一个导电图案。
214.层间绝缘层ild可以设置在第二导电层上。第三导电层可以设置在层间绝缘层ild上。
215.第三导电层可以包括晶体管m的源电极se和漏电极de。每个源电极se可以通过至少一个接触孔ch连接到包括在相应晶体管m中的半导体图案scp的一区域(例如，源极区域)，并且每个漏电极de可以通过至少一个其他接触孔ch连接到包括在相应晶体管m中的半导体图案scp的另一区域(例如，漏极区域)。
216.第三导电层还可以包括设置在像素电路pxc中的电容器cst中的每个的一个电极(例如，每个电容器cst的第二电极ce2)和/或预定线。在实施方式中，每个子像素spx的第一晶体管m1的源电极se可以与子像素spx的电容器cst的第二电极ce2一体地或非一体地形成。此外，第三导电层可以包括在显示区域da中在第一方向dr1上延伸的线中的至少一些。例如，第三导电层可以包括第一子扫描线(例如，图6的第n扫描线sln和第(n 1)扫描线sln 1的第一子扫描线sln_h和sln 1_h以及第(n 2)扫描线的第一子扫描线sln 2_h)、第(1-1)子电源线pl1_h以及第(2-1)子电源线pl2_h。当设置在显示区域da中的至少一个电源线和/或信号线由多个层组成时，第三导电层还可以包括构成至少一个电源线和/或信号线的至少一个导电图案。
217.构成第一导电层至第三导电层的导电图案、电极和线中的每个可以通过包括至少一种导电材料而具有导电性，并且导电材料不受特别限制。例如，构成第一导电层至第三导电层的导电图案、电极和线中的每个可以包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的一种或多种金属，并且还可以包括各种类型的其他导电材料。
218.钝化层psv可以设置在第三导电层上。缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和钝化层psv中的每个可以由单层或多层组成，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和钝化层psv中的每个可以包括各种类型的有机/无机绝缘材料，包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)。在实施方式中，钝化层psv可以包括有机绝缘层，并且可以使像素电路层pcl的表面平坦化。
219.显示元件层dpl可以设置在钝化层psv上。
220.显示元件层dpl可以包括子像素spx的发光单元emu。例如，显示元件层dpl可以包括每个子像素spx的发光单元emu中所包括的对准电极ale、发光元件ld以及像素电极elt。
221.显示元件层dpl还可以包括依次设置在基础层bsl的其上形成有像素电路层pcl的表面上的绝缘图案和/或绝缘层。例如，显示元件层dpl可以包括堤图案bnp、第一绝缘层ins1、第一堤bnk1、第二绝缘层ins2、第三绝缘层ins3和第四绝缘层ins4。显示元件层dpl还可以包括第二堤bnk2和光转换层ccl。
222.堤图案bnp可以设置和/或形成在钝化层psv上。堤图案bnp中的每个可以与至少一个对准电极ale重叠，并且可以在每个发射区域ea中顺序布置在第一方向dr1上。位于发射区域ea的第一方向dr1上的第一边缘区域和第二边缘区域中的第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2可以分别包括第一谷val1和第二谷val2。
223.在实施方式中，如图9中所示，第一谷val1可以形成为蚀刻开口，蚀刻开口具有与第一堤图案bnp1的整个厚度(或高度)相同的深度。在其他实施方式中，如图10中所示，第一谷val1可形成为蚀刻凹槽，蚀刻凹槽具有与第一堤图案bnp1的厚度(或高度)的一部分相等的深度。
224.在实施方式中，当第一堤图案bnp1包括多个第一谷val1时，第一谷val1可以具有相同的形状、尺寸和/或结构，或者可以具有不同的形状、尺寸和/或结构。例如，第一谷val1中的每个的尺寸、形状和/或结构可以根据实施方式而变化。
225.在实施方式中，如图9中所示，第二谷val2可以形成为蚀刻的蚀刻开口，蚀刻开口具有与第二堤图案bnp2的整个厚度(或高度)基本上相同的深度。在另一实施方式中，如图10中所示，第二谷val2可以形成为蚀刻凹槽，蚀刻凹槽具有与第二堤图案bnp2的厚度(或高度)的一部分相等的深度。
226.在实施方式中，在第二堤图案bnp2包括多个第二谷val2的情况下，第二谷val2可以具有相同的形状、尺寸和/或结构，或者可以具有不同的形状、尺寸和/或结构。例如，第二谷val2中的每个的尺寸、形状和/或结构可以根据实施方式而变化。
227.对准电极ale中的每个的一部分可以通过堤图案bnp从发光元件ld的周边向上(例如，在第三方向dr3上)突出。通过堤图案bnp和对准电极ale，反射突起图案可以形成在发光元件ld周围。因此，可以提高子像素spx和包括子像素spx的像素pxl的光效率。
228.堤图案bnp可以包括由无机材料制成的无机绝缘层或由有机材料制成的有机绝缘层。此外，堤图案bnp可以由单层或多层形成。发光单元emu的对准电极ale(例如，构成每个发光单元emu的第一对准电极ale1、第二对准电极ale2和第三对准电极ale3)可以形成在堤图案bnp上。
229.对准电极ale可以包括至少一种导电材料。例如，对准电极ale可以包括各种金属或其合金、导电氧化物和导电聚合物中的至少一种，各种金属诸如为银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钼(mo)、铜(cu)，导电氧化物诸如为ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)、itzo(氧化铟锡锌)、zno(氧化锌)、azo(掺杂铝的氧化锌)、gzo(掺杂镓的氧化锌)、zto(氧化锌锡)、gto(氧化镓锡)和fto(掺杂氟的氧化锡)，导电聚合物诸如为pedot，但实施方式不限于此。例如，对准电极ale可以包括其他导电材料，诸如碳纳米管或石墨烯。对准电极ale可以通过包括各种导电材料中的至少一种而具有导电性。此外，对准电极ale可以包括相同或不同的导电材料。
230.对准电极ale中的每个可以由单层或多层组成。例如，每个对准电极ale可以包括反射电极层，反射电极层包括反射导电材料(例如，金属)。此外，每个对准电极ale还可以包
括设置在反射电极层上方和/或下方的透明电极层以及覆盖反射电极层和/或透明电极层的上部分的导电封盖层中的至少一个。
231.第一绝缘层ins1可以设置在对准电极ale上。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以包括用于将第一对准电极ale1和第三对准电极ale3分别连接到第一像素电极elt1和第二像素电极elt2的多个接触部分(例如，图7的第四接触部分cnt4和第五接触部分cnt5)。在另一实施方式中，第一绝缘层ins1可以形成在其中形成有对准电极ale的显示区域da的整个表面上，并且可以包括暴露第一对准电极ale1和第三对准电极ale3中的每个的一部分的开口。第一对准电极ale1和第三对准电极ale3可以在其中接触部分形成在第一绝缘层ins1中的区域(或其中第一绝缘层ins1开口的区域)中分别连接到第一像素电极elt1和第二像素电极elt2。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以仅局部地设置在其中布置有发光元件ld的区域之下。
232.第一绝缘层ins1可以由单层或多层组成，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以包括至少一种无机绝缘材料，包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)。
233.由于对准电极ale由第一绝缘层ins1覆盖，因此可以在随后的工艺中防止对对准电极ale的损坏。还可以确保对准电极ale的电稳定性。
234.第一堤bnk1可以设置在其中形成有对准电极ale和第一绝缘层ins1的显示区域da中。第一堤bnk1可以具有整体开口的第一开口opa1，以与每个像素pxl的包括子发射区域sea中的每个的发射区域ea对应，并且可以形成为围绕每个像素pxl的发射区域ea。因此，可以限定(或分隔)待向其提供发光元件ld的每个发射区域ea。
235.第一堤bnk1可以包括至少一个第三谷val3。在实施方式中，如图9的实施方式中所示，第三谷val3可以形成为蚀刻开口，蚀刻开口具有与第一堤bnk1的整个厚度(或高度)基本上相同的深度。在其他实施方式中，如图10中所示，第三谷val3可以形成为蚀刻凹槽，蚀刻凹槽具有与第一堤bnk1的厚度(或高度)的一部分相等的深度。
236.在实施方式中，当第一堤bnk1包括多个第三谷val3时，第三谷val3可以具有相同的形状、尺寸和/或结构，或者具有不同的形状、尺寸和/或结构。例如，第三谷val3中的每个的尺寸、形状和/或结构可以根据实施方式而变化。
237.发光元件ld可以提供给由第一堤bnk1围绕的每个发射区域ea。发光元件ld可以通过施加到对准电极ale(或对准线)的对准信号而在对准电极ale之间对准。例如，提供给每个发射区域ea的发光元件ld可以布置在第一子发射区域sea1的第一对准电极ale1、第二对准电极ale2和第三对准电极ale3之间、布置在第二子发射区域sea2的第一对准电极ale1、第二对准电极ale2和第三对准电极ale3之间并且布置在第三子发射区域sea3的第一对准电极ale1、第二对准电极ale2和第三对准电极ale3之间。
238.在实施方式中，布置在子发射区域sea中的发光元件ld可以是相同颜色的发光元件。例如，布置在第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3中的发光元件ld中的全部可以是发射蓝光的蓝色发光元件。
239.第二绝缘层ins2(也称为绝缘图案)可以设置在发光元件ld的一部分上。例如，第二绝缘层ins2可以局部地设置在发光元件ld的包括中央部分的部分上，以暴露对准在一对对准电极ale之间的发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2。当第二绝缘层ins2形成在
发光元件ld上时，发光元件ld可以稳定地固定，并且设置在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2上的像素电极elt可以彼此稳定地分离。
240.第二绝缘层ins2可以由单层或多层组成，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第二绝缘层ins2可以包括各种类型的有机/无机绝缘材料，包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al
x
oy)、光刻胶(pr)等。
241.像素电极elt(例如，第一像素电极elt1、第二像素电极elt2和中间电极iet)可以形成在发光元件ld的两端(例如，第一端部ep1和第二端部ep2)上。例如，第一像素电极elt1可以设置在第一发光元件ld1的第一端部ep1上，并且中间电极iet可以设置在第一发光元件ld1的第二端部ep2上。中间电极iet可以设置在第二发光元件ld2的第一端部ep1上，并且第二像素电极elt2可以设置在第二发光元件ld2的第二端部ep2上。
242.像素电极elt可以形成在相同或不同的层上。例如，第一像素电极elt1、第二像素电极elt2和中间电极iet的位置和/或形成顺序可以根据实施方式而变化。
243.在图9和图10的实施方式中，每个中间电极iet可以首先形成在第二绝缘层ins2上。中间电极iet可以通过直接接触第一发光元件ld1的第二端部ep2和第二发光元件ld2的第一端部ep1而连接在第一发光元件ld1和第二发光元件ld2之间，但是实施方式不限于此。此后，第三绝缘层ins3可以形成在每个发射区域ea中以覆盖中间电极iet，并且第一像素电极elt1和第二像素电极elt2可以形成在其中形成有第三绝缘层ins3的每个子发射区域sea中。第一像素电极elt1和第二像素电极elt2可以同时或顺序形成。在实施方式中，第一像素电极elt1可以通过直接接触第一发光元件ld1的第一端部ep1而连接到第一发光元件ld1的第一端部ep1，并且第二像素电极elt2可以通过直接接触第二发光元件ld2的第二端部ep2而连接到第二发光元件ld2的第二端部ep2。
244.根据实施方式，可以首先形成第一像素电极elt1和第二像素电极elt2，并且可以形成至少一个绝缘层以覆盖第一像素电极elt1和第二像素电极elt2。此后，每个中间电极iet可以形成在绝缘层上。在其他实施方式中，每个子像素spx的第一像素电极elt1和第二像素电极elt2以及中间电极iet可以同时形成在相同的层上。可以省略第三绝缘层ins3。
245.如图4中所示，当每个子像素spx包括具有并联结构的发光单元emu时，子像素spx可以不包括中间电极iet。第一像素电极elt1可以设置在发光元件ld的第一端部ep1上，并且第二像素电极elt2可以设置在发光元件ld的第二端部ep2上。
246.像素电极elt可以包括至少一种导电材料。在实施方式中，像素电极elt可以包括透明导电材料，使得从发光元件ld发射的光可以透射。
247.在实施方式中，显示设备dd可以包括设置在子发射区域sea中以位于发光元件ld的顶部上的光转换层ccl。光转换层ccl可以包括设置在每个子发射区域sea中的波长转换颗粒(例如，量子点qd)和光散射颗粒sct中的至少一个。
248.显示设备dd可以包括与子发射区域sea对应的开口，并且还可以包括围绕子发射区域sea的第二堤bnk2。第二堤bnk2可以限定(或分隔)其中待形成每个光转换层ccl的每个子发射区域sea。
249.第二堤bnk2可以包括光阻挡材料和/或光反射材料(包括黑矩阵材料等)。因此，可以防止子像素spx之间的光学干涉。第二堤bnk2和第一堤bnk1可以包括相同的材料或者可以包括不同的材料。由于第二堤bnk2设置在子发射区域sea周围，所以每个发射区域ea中的
除了子发射区域sea之外的其余区域(例如，子发射区域sea之间的区域)可以是非发射区域nea。
250.光转换层ccl可以包括波长转换颗粒(或颜色转换颗粒)和/或光散射颗粒sct，波长转换颗粒(或颜色转换颗粒)转换从发光元件ld发射的光的波长和/或颜色，光散射颗粒sct散射从发光元件ld发射的光以增加光输出效率。例如，在每个子发射区域sea中，每个光转换层ccl可以包括波长转换颗粒和/或光散射颗粒sct，波长转换颗粒包括至少一种类型的量子点qd(例如，红色量子点、绿色量子点和/或蓝色量子点)。
251.例如，第一光转换层ccl1、第二光转换层ccl2和第三光转换层ccl3可以分别设置在第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3中。与每个子像素spx的颜色对应的滤色器cf可以设置在第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3中。
252.在实施方式中，在第一子发射区域sea1中，可以设置发射第一颜色(例如，蓝色)的光的发光元件ld、设置在发光元件ld上并且至少包括光散射颗粒sct的第一光转换层ccl1。第一滤色器cf1(例如，蓝色滤色器)可以设置在第一光转换层ccl1上并且选择性地透射第一颜色的光。因此，第一子像素spx1可以发射第一颜色光。
253.在实施方式中，在第二子发射区域sea2中，可以设置发射第一颜色的光的发光元件ld、设置在发光元件ld上并且包括将第一颜色的光转换为第二颜色(例如，绿色)的光的波长转换颗粒(例如，绿色量子点)以及光散射颗粒sct的第二光转换层ccl2。第二滤色器cf2(例如，绿色滤色器)可以设置在第二光转换层ccl2上并且选择性地透射第二颜色的光。因此，第二子像素spx2可以发射第二颜色光。
254.在实施方式中，在第三子发射区域sea3中，可以设置发射第一颜色的光的发光元件ld、设置在发光元件ld上并且包括将第一颜色的光转换为第三颜色(例如，红色)的光的波长转换颗粒(例如，红色量子点)以及光散射颗粒sct的第三光转换层ccl3。第三滤色器cf3(例如，红色滤色器)可以设置在第三光转换层ccl3上并且选择性地透射第三颜色的光。因此，第三子像素spx3可以发射第三颜色光。
255.第四绝缘层ins4可以设置在光转换层ccl和滤色器cf之间。例如，第四绝缘层ins4可以设置在显示元件层dpl的最上层上，以覆盖光转换层ccl和第二堤bnk2。
256.在实施方式中，第四绝缘层ins4可以包括有机和/或无机绝缘层，并且可以使显示元件层dpl的表面基本上平坦化。第四绝缘层ins4可以保护发光单元emu和/或光转换层ccl。
257.滤色器层cfl可以设置在第四绝缘层ins4上。
258.滤色器层cfl可以包括与子像素spx的颜色对应的滤色器cf。例如，滤色器层cfl可以包括设置在第一子像素spx1的第一发光单元emu1上的第一滤色器cf1、设置在第二子像素spx2的第二发光单元emu2上的第二滤色器cf2以及设置在第三子像素spx3的第三发光单元emu3上的第三滤色器cf3。
259.在实施方式中，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以设置成在子发射区域sea之间的非发射区域nea中彼此重叠，以阻止子像素spx之间的光学干涉。在其他实施方式中，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以由分别在第一子发射区域sea1、第二子发射区域sea2和第三子发射区域sea3中彼此分离布置的单独图案形成。单
独的光阻挡图案等可以设置在第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3之间。
260.封装层enc可以设置在滤色器层cfl上。封装层enc可以包括至少一个有机和/或无机绝缘层(包括第五绝缘层ins5)。第五绝缘层ins5可以形成在显示区域da的整个表面上，以覆盖像素电路层pcl、显示元件层dpl和/或滤色器层cfl。
261.第五绝缘层ins5可以由单层或多层组成，并且可以包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第五绝缘层ins5可以包括各种类型的有机/无机绝缘材料，包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)或氧化铝(al
x
oy)。
262.在实施方式中，第五绝缘层ins5可以由多个层形成。例如，第五绝缘层ins5可以包括至少两个无机绝缘层和插置在至少两个无机绝缘层之间的至少一个有机绝缘层。然而，第五绝缘层ins5的材料和/或结构可以变化。此外，根据实施方式，至少一个外涂层、填充层和/或上衬底可以进一步设置在第五绝缘层ins5上。
263.图11和图12是示出根据实施方式的提供和对准发光元件ld的方法的剖视图。例如，图11和图12是依次示出将发光元件ld提供给图9的发射区域ea并且在对准电极ale之间对准发光元件ld的方法的示意性剖视图。
264.参考图11，可以形成堤图案bnp、对准电极ale和第一绝缘层ins1中的每个，并且可以将其中混合有发光元件ld的发光元件墨水ink提供给由第一堤bnk1围绕的每个发射区域ea。例如，其中形成有堤图案bnp、对准电极ale、第一绝缘层ins1和第一堤bnk1的显示设备dd(例如，正在制造的显示设备dd)可以设置在喷墨印刷装置prt之下，并且喷墨头ihd可以设置在每个像素pxl的发射区域ea上方，同时喷墨印刷装置prt的喷墨头ihd在第一方向dr1等上移动。当喷墨头ihd的喷嘴nzl布置在发射区域ea的中央时，可以通过将与发光元件ld混合的发光元件墨水ink施加到发射区域ea来将发光元件ld提供到发射区域ea。
265.参考图11和图12，通过在提供发光元件ld的同时或者在提供发光元件ld之后将对准信号施加到对准电极ale，可以在对准电极ale之间对准发光元件ld。在发光元件ld对准之后，可以通过干燥工艺等去除与发光元件墨水ink混合的溶剂。
266.在实施方式中，至少一个谷val可以形成在第一堤图案bnp1、第二堤图案bnp2和/或第一堤bnk1中。因此，可以增加可以容纳在每个发射区域ea中的发光元件墨水ink的体积量，并且可以可靠地防止发光元件墨水ink溢出到周边像素pxl的发射区域ea中的问题。因此，可以增加可以一次施加的发光元件墨水ink的量，从而可以一次将更多数量的发光元件ld提供给每个发射区域ea。因此，可以改善像素pxl和包括像素pxl的显示设备dd的制造效率。
267.在根据实施方式的像素和包括像素的显示设备中，第一堤可以形成为一体地围绕每个像素的包括子发射区域的发射区域。因此，可以增加可以容纳在每个发射区域中的发光元件墨水(或发光元件混合物)的体积量。
268.在根据实施方式的像素和包括像素的显示设备中，第一谷和第二谷可以形成在位于每个发射区域的第一边缘区域和第二边缘区域中的第一堤图案和第二堤图案中。因此，可以进一步增加可以容纳在每个发射区域中的发光元件墨水的体积量。
269.在实施方式中，第一堤可以包括围绕每个发射区域的第三谷。可以防止发光元件墨水溢出。
270.根据上述实施方式，可以减少将发光元件提供和对准到每个发射区域所需的工艺
时间，并且可以改善像素和包括像素的显示设备的制造效率。
271.根据实施方式的效果不受上述内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
272.本文中已经公开了实施方式，并且尽管采用了术语，但是它们仅以一般和描述性的意义来使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如将对于本领域普通技术人员显而易见的，除非另外特别指出，否则结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。