沟槽隔离结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包含硅；在将要形成沟槽隔离结构的区域内，刻蚀所述衬底形成多个间隔的沟槽，所述沟槽之间利用硅柱隔开，所述硅柱为硅，所述硅柱的宽度和所述沟槽的宽度的比例大于或等于0.45:0.55；对所述硅柱进行热氧化处理，使得所述硅柱形成为二氧化硅柱，所述二氧化硅柱在热氧化时，二氧化硅进行膨胀，以使得所述二氧化硅填充满沟槽。2.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，干法刻蚀所述衬底形成多个间隔的沟槽。3.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硅柱的形状为长方体。4.如权利要求3所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述硅柱为多个。5.如权利要求4所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，多个所述硅柱的宽度相同。6.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，多个所述沟槽的宽度相同。7.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，对所述硅柱进行热氧化处理的方法包括：干氧氧化或水汽氧化。8.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括：单晶硅、绝缘体上硅(soi)或绝缘体上层叠硅(ssoi)。9.如权利要求1所述的沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，对多个所述硅柱进行热氧化处理，使得所述硅柱形成为二氧化硅柱，所述二氧化硅柱膨胀，以使得二氧化硅填充满沟槽之后，还包括：研磨所述二氧化硅，使得所述二氧化硅的表面和所述衬底的表面齐平。

技术总结
本发明提供了一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包含硅；在将要形成沟槽隔离结构的区域内，刻蚀衬底形成多个间隔的沟槽，沟槽之间利用硅柱隔开，硅柱为硅，硅柱的宽度和沟槽的宽度的比例大于或等于0.45:0.55；对硅柱进行热氧化处理，使得硅柱形成为二氧化硅柱，二氧化硅柱在热氧化时，二氧化硅进行膨胀，以使得二氧化硅填充满沟槽。本发明在较宽的沟槽隔离结构中，沟槽隔离结构的表面保持了平整，并且沟槽隔离结构的表面和衬底的表面齐平。表面齐平。表面齐平。


技术研发人员：杨继业 王健鹏
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.11.17
技术公布日：2023/3/10