光刻设备的制作方法

技术特征：
1.一种光刻设备，其特征在于，包括光源模块、反射式掩模版、反射投影模块及工件台；其中，所述光源模块包括第一光源、第二光源及光源控制组件；所述第一光源用于输出第一预设波长的极紫外光；所述第二光源用于输出第二预设波长的深紫外光，所述第二预设波长大于所述第一预设波长；所述光源控制组件位于所述第一光源及所述第二光源的出光侧，用于控制所述第一光源及所述第二光源的工作状态，以输出目标曝光光线；所述反射式掩模版设置于所述目标曝光光线的反射路径，且具有用于在待光刻的晶圆上成像的掩模图案；所述反射投影模块设置于所述目标曝光光线经所述反射式掩模版反射后的反射路径，包括若干反射镜组成的反射镜组，用于按照预设倍数对所述掩模图案进行缩小，并反射至工件台；所述工件台用于承载待光刻的所述晶圆。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述光源控制组件包括二向分色镜；所述第一光源与所述第二光源以所述二向分色镜为中心对称设置；所述二向分色镜用于反射所述第一光源输出的所述极紫外光，以及透射所述第二光源输出的所述深紫外光，以输出目标曝光光线。3.根据权利要求2所述的光刻设备，其特征在于，所述第一光源输出的曝光光线与所述二向分色镜之间形成的最小夹角为45
°
，且所述第二光源输出的曝光光线与所述二向分色镜之间形成的最小夹角为45
°
。4.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述第一光源及所述第二光源可移动地设置于所述光刻设备中；所述光源控制组件还用于控制所述第一光源及所述第二光源的位置。5.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述第一预设波长的范围为10nm～124nm；所述第二预设波长的范围为125nm～400nm。6.根据权利要求5所述的光刻设备，其特征在于，所述第一预设波长为13.5nm；所述第二预设波长为193nm、248nm或365nm。7.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述反射式掩模版包括：基板；反射层，设置于所述基板的一侧，用于反射深紫外光和/或极紫外光；图案层，设置于所述反射层远离所述基板的一侧；所述图案层具有掩模图案。8.根据权利要求7所述的光刻设备，其特征在于，所述反射式掩模版还包括保护层；所述保护层设置于所述反射层与所述图案层之间。9.根据权利要求8所述的光刻设备，其特征在于，所述反射式掩模版还包括相移层；所述相移层设置于所述保护层与所述图案层之间。10.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述反射式掩模版采用面朝下的方式而设置。

技术总结
本申请涉及一种光刻设备。该光刻设备包括光源模块、反射式掩模版、反射投影模块及工件台；光源模块包括第一光源、第二光源及光源控制组件；第一光源用于输出第一预设波长的极紫外光；第二光源用于输出第二预设波长的深紫外光，所述第二预设波长大于所述第一预设波长；光源控制组件用于控制第一光源及第二光源的工作状态，以输出目标曝光光线；反射式掩模版具有用于在待光刻的晶圆上成像的掩模图案；反射投影模块用于按照预设倍数对掩模图案进行缩小，并反射至工件台；工件台用于承载待光刻的晶圆。该光刻设备能够通过光源控制组件对第一光源及第二光源的工作状态进行控制，无需更换不同的曝光机就可以满足不同光刻过程中对DUV或EUV的需求。DUV或EUV的需求。DUV或EUV的需求。


技术研发人员：林岳明 季明华 黄早红
受保护的技术使用者：上海传芯半导体有限公司
技术研发日：2022.08.22
技术公布日：2023/3/3