半导体封装的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装，包括：基础结构，包括主体和后绝缘层，所述主体具有其上布置虚设焊盘和连接焊盘的后表面，所述后绝缘层设置在所述后表面上并围绕所述虚设焊盘和所述连接焊盘；以及半导体芯片，设置在所述基础结构上并包括具有面对所述主体的所述后表面的前表面的半导体层、设置在所述半导体层的所述前表面上的测试焊盘和输入/输出焊盘、围绕所述测试焊盘和所述输入/输出焊盘的第一接合绝缘层、设置在所述测试焊盘和所述虚设焊盘之间的第一接合焊盘结构、设置在所述输入/输出焊盘和所述连接焊盘之间的第二接合焊盘结构、以及设置在所述第一接合绝缘层上并围绕所述第一接合焊盘结构和所述第二接合焊盘结构中的每个的至少一部分的第二接合绝缘层，其中所述第一接合焊盘结构包括在所述第一接合绝缘层内与所述测试焊盘接触并具有与所述测试焊盘相反定位的下表面的第一接触部分、接合到所述虚设焊盘的第一接合焊盘、以及设置在所述第一接合焊盘和所述第一接触部分之间并且在平行于所述第一接触部分的所述下表面的第一方向上延伸的第一籽晶层，所述第二接合焊盘结构包括在所述第一接合绝缘层内与所述输入/输出焊盘接触并具有与所述输入/输出焊盘相反定位的下表面的第二接触部分、接合到所述连接焊盘的第二接合焊盘、以及设置在所述第二接合焊盘和所述第二接触部分之间并在所述第一方向上延伸的第二籽晶层，以及所述第二接合绝缘层与所述第一籽晶层和所述第二籽晶层以及所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘中的每个的侧表面接触。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接触部分的所述下表面和所述第二接触部分的所述下表面彼此共面。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一籽晶层在垂直于所述第一方向的第二方向上重叠所述第一接合焊盘，以及所述第二籽晶层在所述第二方向上重叠所述第二接合焊盘。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一籽晶层具有等于或小于所述第一接合焊盘的宽度的宽度，以及所述第二籽晶层具有等于或小于所述第二接合焊盘的宽度的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一籽晶层的所述侧表面与所述第一接合焊盘的所述侧表面间隔开，以及所述第二籽晶层的所述侧表面与所述第二接合焊盘的所述侧表面间隔开。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接合焊盘的宽度大于所述第二接合焊盘的宽度。7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述第一接合焊盘的所述宽度为30μm或更大，以及所述第二接合焊盘的所述宽度为20μm或更小。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘包括cu或cu合金，以及所述测试焊盘和所述输入/输出焊盘包括al或al合金。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述第一籽晶层和所述第二籽晶层包括ti
或ti合金。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述测试焊盘具有拥有堆积表面的突起。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述基础结构还包括：设置在所述主体的与所述后表面相反定位的前表面上的各个元件以及穿透所述主体并电连接到所述各个元件的贯穿通路，其中所述连接焊盘电连接到所述贯穿通路，以及所述虚设焊盘与所述贯穿通路电绝缘。12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述后绝缘层和所述第二接合绝缘层包括硅氧化物或硅氮化物。13.一种半导体封装，包括：基础结构，包括主体和后绝缘层，所述主体具有其上布置虚设焊盘和连接焊盘的后表面，所述后绝缘层设置在所述后表面上并围绕所述虚设焊盘和所述连接焊盘；以及半导体芯片，设置在所述基础结构上并包括具有面对所述主体的所述后表面的前表面的半导体层、设置在所述半导体层的所述前表面上的测试焊盘和输入/输出焊盘、设置在所述测试焊盘和所述虚设焊盘之间的第一接合焊盘结构、设置在所述输入/输出焊盘和所述连接焊盘之间的第二接合焊盘结构、以及设置在所述半导体层的所述前表面上并围绕所述第一接合焊盘结构和所述第二接合焊盘结构中的每个的至少一部分的接合绝缘层，其中所述第一接合焊盘结构包括与所述测试焊盘接触的第一接触部分、接合到所述虚设焊盘的第一接合焊盘、以及在所述第一接合焊盘和所述第一接触部分之间在第一方向上延伸的第一籽晶层，所述第二接合焊盘结构包括与所述输入/输出焊盘接触的第二接触部分、接合到所述连接焊盘的第二接合焊盘、以及在所述第二接合焊盘和所述第二接触部分之间在所述第一方向上延伸的第二籽晶层，所述第一接合焊盘包括在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第一晶粒结构，以及所述第二接合焊盘包括在所述第二方向上延伸的第二晶粒结构。14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述第一晶粒结构和所述第二晶粒结构具有111晶体取向。15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中所述第一晶粒结构和所述第二晶粒结构的至少一部分包括纳米孪晶结构。16.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述第一晶粒结构和所述第二晶粒结构在所述第一方向上具有1μm或更小的宽度。17.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述第一晶粒结构和所述第二晶粒结构在所述第二方向上具有0.5μm或更大的高度。18.一种半导体封装，包括：基础结构，包括主体和后绝缘层，所述主体具有其上设置虚设焊盘的后表面，所述后绝缘层设置在所述后表面上并围绕所述虚设焊盘；以及半导体芯片，设置在所述基础结构上并包括具有面对所述主体的所述后表面的前表面
的半导体层、设置在所述半导体层的所述前表面上的测试焊盘、设置在所述测试焊盘和所述虚设焊盘之间的接合焊盘结构、以及围绕所述接合焊盘结构的至少一部分的接合绝缘层，其中所述接合焊盘结构包括与所述测试焊盘接触并具有与所述测试焊盘相反定位的下表面的接触部分、接合到所述虚设焊盘的接合焊盘、以及设置在所述接合焊盘和所述接触部分之间并且在平行于所述接触部分的所述下表面的第一方向上延伸的籽晶层，以及所述接合绝缘层与所述接合焊盘的侧表面直接接触。19.根据权利要求18所述的半导体封装，其中在所述第一方向上，所述籽晶层具有大于所述接触部分的所述下表面的宽度且小于所述接合焊盘的宽度的宽度。20.根据权利要求18所述的半导体封装，其中所述接合焊盘的至少一部分在垂直于所述第一方向的第二方向上不重叠所述籽晶层。

技术总结
一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片包括围绕第一接合焊盘结构和第二接合焊盘结构中的每个的至少一部分的第二接合绝缘层，其中第一接合焊盘结构包括第一接触部分、第一接合焊盘以及设置在第一接合焊盘和第一接触部分之间并在第一方向上延伸的第一籽晶层，第二接合焊盘结构包括第二接触部分、第二接合焊盘以及设置在第二接合焊盘和第二接触部分之间并在第一方向上延伸的第二籽晶层，并且第二接合绝缘层与第一籽晶层和第二籽晶层以及第一接合焊盘和第二接合焊盘中的每个的侧表面接触。的侧表面接触。的侧表面接触。


技术研发人员：崔朱逸 姜芸炳 朴世哲 尹孝镇 郑泰和 藤崎纯史
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.08.08
技术公布日：2023/2/17