半导体元件的形成方法及半导体元件与流程

技术特征：
1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一鳍部，所述第一鳍部包括：第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；在所述第一鳍部上形成虚置栅极结构；去除所述第一半导体层形成通槽，所述第一鳍部剩余的部分为第二鳍部；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层填充所述通槽；在所述隔离层上形成层间介电层；去除所述虚置栅极结构，在所述第二鳍部上形成栅极堆叠。2.根据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层为硅锗层。3.根据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，去除所述第一半导体层形成通槽的工艺为湿法刻蚀工艺。4.根据权利要求3所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，所述第二半导体层为单晶硅层，形成第二半导体层的工艺为外延工艺。5.根据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的工艺为原子层沉积或流体cvd。6.根据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，形成所述虚置栅极结构包括：在所述第一鳍部上形成虚置介电层；在所述虚置介电层上形成虚置栅极；所述虚置介电层和所述虚置栅极构成所述虚置栅极结构。7.根据权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，形成所述栅极堆叠包括：移除所述虚置栅极结构以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽中形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成栅极电极；所述栅极介电层和所述栅极电极构成所述栅极堆叠。8.根据权利要求7所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，还包括：在除所述虚置栅极结构以外的有源区生长外延层。9.一种半导体元件，其特征在于，包括：衬底；隔离层，其位于所述衬底上；第二鳍部，位于所述隔离层上；栅极堆叠，位于所述第二鳍部上，并且所述栅极堆叠至少部分延伸至所述隔离层中直至与所述衬底相接。10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，所述第二鳍部包括：沟道区域，其位于所述栅极堆叠的下方；外延源/漏极区域，位于所述沟道区域两端；所述外延源/漏极区域内形成有外延层。

技术总结
本发明提出一种半导体元件的形成方法及半导体元件，该方法通过在衬底上形成包括第一半导体层及第二半导体层的第一鳍部，然后去除第一半导体层形成通槽，再沉积隔离层填充通槽，最终在衬底上形成隔离层，并且栅极堆叠延伸穿过隔离层与衬底相接，获得的半导体元件具有低漏电及低寄生电容的优点。另外，形成的栅极堆叠至少部分延伸至衬底中，与衬底相接，可提高散热效果，从而避免晶体管与衬底完全隔绝时所导致的自加热效应。时所导致的自加热效应。时所导致的自加热效应。


技术研发人员：黄任生 杨列勇 颜天才 任佳栋
受保护的技术使用者：青岛物元技术有限公司
技术研发日：2022.12.20
技术公布日：2023/3/10