显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着信息社会的进步，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。显示装置的示例包括诸如液晶显示(lcd)装置、场发射显示(fed)装置、发光显示装置等的平板显示装置。
3.发光显示装置可以是包括有机发光二极管元件作为发光元件的有机发光显示装置、包括无机半导体元件作为发光元件的无机发光显示装置、或包括超小型发光二极管元件(或微型发光二极管元件)作为发光元件的发光二极管(led)显示装置。
4.近来，已经开发了用于实现虚拟现实(vr)或增强现实(ar)的头戴式显示器(hmd)。对其应用超小型led元件的led显示装置可以应用于hmd。


技术实现要素：

5.本公开的一个或更多个实施例提供了能够根据超小型发光二极管的发射颜色来改善超小型发光二极管的发光效率的显示装置。
6.然而，本公开的方面不限于这里阐述的那些方面。通过参照下面给出的本公开的具体实施方式，本公开以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
7.根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：分隔壁，在基底上；多个发光元件，分别位于由分隔壁限定的多个发射区域中，多个发光元件在基底的厚度方向上延伸；基体树脂，位于多个发射区域中；以及多个光学图案，位于多个发射区域中的至少一个中，其中，多个发射区域通过分隔壁以rgbg矩阵图案布置。
8.在一个或更多个实施例中，显示装置还包括：光阻挡构件，在分隔壁上；以及填充构件，覆盖多个发射区域和位于多个发射区域中的所述至少一个发射区域中的多个光学图案中的全部，其中，填充构件的折射率比基体树脂或多个光学图案的折射率大。
9.在一个或更多个实施例中，显示装置还包括：光阻挡构件，在分隔壁上；以及粘合构件，覆盖多个发射区域以及包括在至少一个发射区域中的多个光学图案中的全部，其中，粘合构件的折射率比基体树脂或多个光学图案的折射率小。
10.在一个或更多个实施例中，多个发射区域包括在每个像素区域中以rgbg矩阵图案布置的第一发射区域至第三发射区域或者第一发射区域至第四发射区域；在第一发射区域至第四发射区域之中，第一发射区域包括被构造为发射实现红色、绿色和蓝色中的任何一者的波长范围内的第一光的第一发光元件；第二发射区域包括被构造为发射实现红色、绿色和蓝色中的与第一光的颜色不同的一者的波长范围内的第二光的第二发光元件；第三发射区域包括被构造为发射实现红色、绿色和蓝色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的第三光的第三发光元件；以及第四发射区域包括被构造为发射与第一光至
第三光中的任何一者的波长范围相同的波长范围内的第四光的第四发光元件。
11.在一个或更多个实施例中，第一发射区域至第四发射区域具有彼此相同的尺寸或平面面积，根据第一发射区域至第四发射区域中的每个的尺寸或平面面积，在水平方向上或在斜线方向上彼此相邻的第一发射区域与第二发射区域之间的距离、第二发射区域与第三发射区域之间的距离、第一发射区域与第三发射区域之间的距离以及第三发射区域与第四发射区域之间的距离彼此相等。
12.在一个或更多个实施例中，第一发射区域至第四发射区域的尺寸或平面面积彼此不同，并且根据第一发射区域至第四发射区域的尺寸或平面面积，在水平方向上或在斜线方向上彼此相邻的第一发射区域与第二发射区域之间的距离、第二发射区域与第三发射区域之间的距离、第一发射区域与第三发射区域之间的距离以及第三发射区域与第四发射区域之间的距离彼此相同或不同。
13.在一个或更多个实施例中，多个光学图案中的每个的平面面积与第一发射区域至第四发射区域中的每个的平面面积相同或比第一发射区域至第四发射区域中的每个的平面面积大，以完全地覆盖相应的第一发射区域至第四发射区域。
14.在一个或更多个实施例中，多个光学图案中的每个的平面面积比多个发射区域中的每个的平面面积小，其中第一发光元件至第四发光元件分别位于第一发射区域至第四发射区域中。
15.在一个或更多个实施例中，分隔壁的高度或长度与多个发光元件的高度或长度相同。
16.根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：分隔壁，在基底的显示区域中，并且在像素区域中的每个中以rgbg矩阵图案限定第一发射区域至第四发射区域；第一发光元件至第四发光元件，分别位于第一发射区域至第四发射区域中；多个光学图案，位于分别包括第一发光元件至第四发光元件的第一发射区域至第四发射区域中，其中，第一发射区域至第四发射区域的尺寸或平面面积彼此相同或不同。
17.在一个或更多个实施例中，第一发射区域的第一发光元件被构造为发射实现红色、绿色和蓝色中的任何一者的波长范围内的第一光；第二发射区域的第二发光元件被构造为发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光的颜色不同的一者的波长范围内的第二光；第三发射区域的第三发光元件被构造为发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的第三光；以及第四发射区域的第四发光元件被构造为发射实现与第一光至第三光中的任何一者的颜色相同的颜色的波长范围内的第四光。
18.在一个或更多个实施例中，像素区域中的每个中的第一发射区域和第二发射区域沿着作为水平(或行)方向的第一方向在奇数行中交替地布置，第三发射区域和第四发射区域沿着第一方向在偶数行中交替地布置，第一发射区域和第三发射区域沿着第一斜线方向交替地布置，并且第二发射区域和第四发射区域沿着第一斜线方向交替地布置。
19.在一个或更多个实施例中，定位为彼此相邻的第一发射区域和第二发射区域、第三发射区域和第四发射区域、第一发射区域和第三发射区域以及第二发射区域和第四发射区域具有彼此相同的尺寸或平面面积，在水平方向上或在第一斜线方向上彼此相邻的第一发射区域与第二发射区域之间的距离、第二发射区域与第三发射区域之间的距离、第一发射区域与第三发射区域之间的距离和第三发射区域与第四发射区域之间的距离彼此相等。
20.在一个或更多个实施例中，定位为彼此相邻的第一发射区域和第二发射区域、第三发射区域和第四发射区域、第一发射区域和第三发射区域以及第二发射区域和第四发射区域具有彼此相同或不同的尺寸或平面面积，并且根据第一发射区域至第四发射区域的尺寸或平面面积，在水平方向上或在第一斜线方向上彼此相邻的第一发射区域与第二发射区域之间的距离、第二发射区域与第三发射区域之间的距离、第一发射区域与第三发射区域之间的距离和第三发射区域与第四发射区域之间的距离彼此相同或不同。
21.在一个或更多个实施例中，在像素区域中的每个中的第一发射区域至第四发射区域中，第一发射区域的尺寸或平面面积比相邻的第二发射区域的尺寸或平面面积大，第二发射区域的尺寸或平面面积比相邻的第三发射区域的尺寸或平面面积大，并且彼此相邻的第三发射区域和第四发射区域具有彼此相同的尺寸或平面面积；并且与第一发射区域至第四发射区域的平面面积或尺寸对应，第一发光元件的尺寸或平面面积比第二发光元件的尺寸或平面面积大，第二发光元件的尺寸或平面面积比第三发光元件的尺寸或平面面积大，并且第三发光元件和第四发光元件具有彼此相同的尺寸或平面面积。
22.在一个或更多个实施例中，第一发射区域中的光学图案的尺寸或平面面积比第二发射区域中的光学图案的尺寸或平面面积大，第二发射区域中的光学图案的尺寸或平面面积比第三发射区域和第四发射区域中的光学图案的尺寸或平面面积大，并且第三发射区域和第四发射区域中的光学图案的尺寸或平面面积彼此相同。
23.在一个或更多个实施例中，在像素区域中的每个中的第一发射区域至第四发射区域之中：第一发射区域的尺寸或平面面积比相邻的第二发射区域的尺寸或平面面积大，第二发射区域的尺寸或平面面积比相邻的第三发射区域的尺寸或平面面积大，并且第三发射区域的尺寸或平面面积比相邻的第四发射区域的尺寸或平面面积大。
24.在一个或更多个实施例中，与第一发射区域至第四发射区域中的每个的平面面积或尺寸对应，第一发光元件的尺寸或平面面积比第二发光元件的尺寸或平面面积大，第二发光元件的尺寸或平面面积比第三发光元件的尺寸或平面面积大，并且第三发光元件的尺寸或平面面积比第四发光元件的尺寸或平面面积大。
25.在一个或更多个实施例中，在像素区域中的每个中的第一发射区域至第四发射区域之中：第一发射区域的尺寸或平面面积比第二发射区域的尺寸或平面面积大，并且第二发射区域至第四发射区域的尺寸或平面面积彼此相同，与第一发射区域至第四发射区域的平面面积或尺寸对应，第一发光元件的尺寸或平面面积比第二发光元件的尺寸或平面面积大，并且第二发光元件至第四发光元件的尺寸或平面面积彼此相同。
26.在一个或更多个实施例中，第一发光元件被构造为发射实现红色、绿色和蓝色中的任何一者的波长范围内的第一光，第二发光元件被构造为发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光的颜色不同的一者的波长范围内的第二光，第三发光元件被构造为发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的第三光，并且第四发光元件被构造为发射实现与第一光至第三光中的任何一者的颜色相同的颜色的波长范围内的第四光。
27.根据本公开的实施例，显示装置可以改善超小型发光二极管的发射效率。
28.应当注意的是，本公开的效果不限于上述效果，并且本公开的其他效果将通过以下描述而明显。
附图说明
29.通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的实施例的以上和其他方面和特征将变得更加明显。
30.图1是根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的布局图。
31.图2是详细示出图1的区域a的布局图。
32.图3是详细示出图2的区域b中所示的像素的布局图。
33.图4是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
34.图5是图2中所示的显示装置的一个像素的等效电路图。
35.图6是根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
36.图7是根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
37.图8是详细示出图4的发光元件的示例的放大剖视图。
38.图9是详细示出图4的分隔壁的示例的放大剖视图。
39.图10是作为图4的透镜形成区域的区域c的放大剖视图。
40.图11是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
41.图12是详细示出图2的区域b中所示的像素的布局图。
42.图13是示出沿着图12的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
43.图14是示出沿着图12的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
44.图15是示出沿着图12的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
45.图16是作为图15的透镜形成区域的区域c的放大剖视图。
46.图17是详细示出图2的区域b中所示的像素的布局图。
47.图18是示出沿着图17的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
48.图19至图24是详细示出了图2的区域b中所示的像素的各种实施例的布局图。
49.图25是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的实施例的剖视图。
50.图26是用于解释结合图25中所示的显示面板的方法的剖视图。
51.图27是作为图25的内透镜形成区域的区域e的放大剖视图。
52.图28是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的实施例的剖视图。
53.图29是用于解释结合图28中所示的显示面板的方法的剖视图。
54.图30是作为图28的内透镜形成区域的区域f的放大剖视图。
55.图31中的(a)至(e)是光学图案的各种修改的透视图。
56.图32是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的虚拟现实装置的图。
57.图33是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的智能装置的视图。
58.图34是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的车辆仪表板和中央仪表盘的视图。
59.图35是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的透明显示装置的图。
具体实施方式
60.现在将在下文中参照其中示出了本公开的实施例的附图更充分地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达本公
开的范围。
61.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。贯穿说明书，相同的附图标号表示相同的组件。
62.将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离本公开的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
63.本公开的各种实施例的特征中的每个可以组合或者彼此部分地或全部地组合，并且技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施例可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。
64.在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
65.图1是示出根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置的布局图。另外，图2是详细示出图1的区域a的布局图，图3是详细示出图2的区域b中所示的像素的布局图。
66.其中发光二极管设置在通过半导体工艺形成的半导体电路板上的硅上发光二极管(ledos)结构被描述为根据图1至图3的实施例的显示装置的示例。然而，应当注意的是，本说明书的实施例不限于此。
67.另外，根据本公开的一个或更多个实施例的显示装置可以是包括超小型发光二极管(微米或纳米发光二极管)作为发光元件的超小型发光二极管显示装置(微米或纳米发光二极管显示装置)，但是本公开的实施例不限于此。
68.参照图1至图3，第一方向dr1是指显示面板100的水平方向，第二方向dr2是指显示面板100的竖直方向，第三方向dr3是指显示面板100的厚度方向或半导体电路板110的厚度方向。另外，第四方向dr4是指显示面板100的斜线方向，第五方向dr5是指与第四方向dr4交叉的斜线方向。此外，如在这里使用的术语“左”、“右”、“上”和“下”表示当从显示面板100上方观看时的对应方向。例如，术语“右侧”表示在第一方向dr1上的一侧，术语“左侧”表示在第一方向dr1上的另一侧，术语“上侧”表示在第二方向dr2上的一侧，术语“下侧”表示在第二方向dr2上的另一侧。此外，术语“上部”表示在第三方向dr3上的一侧，术语“下部”表示在第三方向dr3上的另一侧。
69.参照图1至图3，根据一个或更多个实施例的显示装置可以包括显示面板100，显示面板100包括显示区域da和非显示区域nda。
70.显示面板100在平面图中可以具有矩形形状，矩形形状具有在第一方向dr1上的长边和在第二方向dr2上的短边。显示面板100的平面形状不限于矩形形状，并且可以具有除矩形之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则的平面形状。
71.显示区域da可以是可以显示图像的区域，非显示区域nda可以是不显示图像的区域。显示区域da的平面形状可以遵循显示面板100的平面形状。在图1中，显示区域da的平面形状是矩形。显示区域da可以设置在显示面板100的中心部分中。非显示区域nda可以设置在显示区域da的外侧。非显示区域nda可以以这样的方式设置，以沿着显示区域da的边缘或外围来包围显示区域da或围绕显示区域da。
72.显示面板100的显示区域da可以包括多个像素px。像素px中的每个可以被定义为允许在每个限定像素区域px_d中将要显示白色光的最小发光单元。
73.设置为允许在每个限定像素区域px_d中显示白色光的最小单元的像素px可以包括多个发射区域ea1、ea2、ea3和ea4。在本公开的描述的实施例中，每个像素px可以包括以以布置结构布置的四个发射区域ea1、ea2、ea3和ea4，但是本公开不限于此。该布置结构可以被称为rgbg矩阵结构(例如，矩阵结构或rgbg结构(例如，结构))。是韩国三星显示有限公司的注册商标。例如，在一个或更多个实施例中，多个像素px中的每个可以仅包括三个发射区域ea1、ea2和ea3。
74.在多个发射区域ea1、ea2、ea3和ea4之中，第一发射区域ea1可以包括被构造为发射第一光的第一发光元件le1，第二发射区域ea2可以包括被构造为发射第二光的第二发光元件le2，第三发射区域ea3可以包括被构造为发射第三光的第三发光元件le3，第四发射区域ea4可以包括被构造为发射第四光的第四发光元件le4。第一光可以是实现红色、绿色和蓝色中的一者的波长范围内的光。第二光可以是实现红色、绿色和蓝色中的与第一光的颜色不同的一者的波长范围内的光。第三光可以是实现红色、绿色和蓝色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的光。另外，第四光可以是与第一光至第三光中的一者的波长范围相同的波长范围内的光。
75.分别包括在以(例如，rgbg)矩阵形式布置的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的第一发光元件le1至第四发光元件le4中的每个在平面图中可以具有菱形形状，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一发光元件le1至第四发光元件le4中的每个可以以除菱形形状之外的多边形形状(诸如三角形或四边形)、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状形成。
76.第一发射区域ea1中的每个是指发射第一光的区域。第一发射区域ea1中的每个可以完整地输出由第一发光元件le1输出的第一光。如上所述，第一光可以是实现红色、绿色和蓝色中的一种的波长范围内的光。例如，第一光可以是红色波长范围内的光。红色波长范围可以近似为600nm至750nm，但是本公开的实施例不限于此。
77.第二发射区域ea2中的每个可以指发射第二光的区域。第二发射区域ea2中的每个可以完整地输出由第二发光元件le2输出的第二光。第二光可以是实现红色、蓝色和绿色中的与第一光的颜色不同的一种颜色的波长范围内的光。例如，第二光可以是蓝色波长范围内的光。蓝色波长范围可以近似为370nm至460nm，但是本公开的实施例不限于此。
78.第三发射区域ea3中的每个是指发射第三光的区域。第三发射区域ea3中的每个可以完整地输出由第三发光元件le3输出的第三光。第三光可以是实现红色、蓝色和绿色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的光。例如，第三光可以是绿色波长范围内的光。绿色波长范围可以近似为480nm至560nm，但是本公开的实施例不限于此。
79.第四发射区域ea4中的每个可以指发射第四光的区域。第四发射区域ea4中的每个可以完整地输出由第四发光元件le4输出的第四光。这里，第四光可以是实现与第一光至第三光中的一者的颜色相同的颜色的波长范围内的光。例如，第四光可以是与第二光相同的蓝色波长范围内的光，第四光可以是与第三光相同的绿色波长范围内的光。本公开的实施例不限于此。
80.第一发射区域ea1和第二发射区域ea2可以沿着作为水平(或行)方向的第一方向dr1在奇数行中交替地布置。第一发射区域ea1和第二发射区域ea2可以根据其中布置有第
一发射区域ea1和第二发射区域ea2的行的位置或顺序以第一发射区域ea1和第二发射区域ea2的顺序交替地布置。可选地，第二发射区域ea2和第一发射区域ea1可以以该顺序交替地布置。
81.另一方面，第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以沿着作为水平(或行)方向的第一方向dr1在偶数行中交替地布置。第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以根据其中布置有第三发射区域ea3和第四发射区域ea4的行的位置或顺序以第三发射区域ea3和第四发射区域ea4的顺序交替地布置。可选地，第四发射区域ea4和第三发射区域ea3可以以该顺序交替地布置。因此，第一发射区域ea1和第二发射区域ea2可以沿着第一方向dr1在奇数行中交替地布置，第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以沿着第一方向dr1在偶数行中交替地布置。
82.第一发射区域ea1和第二发射区域ea2以及第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以沿着作为竖直方向(即，列方向)的第二方向dr2以“之”字形形式布置。具体地，第一发射区域ea1和第三发射区域ea3可以沿着作为第一斜线方向的第四方向dr4交替地布置，第二发射区域ea2和第四发射区域ea4也可以沿着作为第一斜线方向的第四方向dr4交替地布置。另外，第二发射区域ea2和第三发射区域ea3可以沿着作为与第一斜线方向交叉的第二斜线方向的第五方向dr5交替地布置，其他相邻像素px的第四发射区域ea4和第一发射区域ea1可以沿着第五方向dr5交替地布置。
83.每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4的尺寸或平面面积可以彼此相同或不同。同样地，分别形成在第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的第一发光元件le1至第四发光元件le4的尺寸或平面面积可以彼此相同或不同。
84.第一发射区域ea1的面积、第二发射区域ea2的面积、第三发射区域ea3的面积和第四发射区域ea4的面积可以基本上相同，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一发射区域ea1的面积和第二发射区域ea2的面积可以彼此不同，第二发射区域ea2的面积和第三发射区域ea3的面积也可以彼此不同，第三发射区域ea3的面积和第四发射区域ea4的面积可以彼此相同。
85.此外，在水平方向或斜线方向上彼此相邻的第一发射区域ea1与第二发射区域ea2之间的距离、第二发射区域ea2与第三发射区域ea3之间的距离、第一发射区域ea1与第三发射区域ea3之间的距离以及第三发射区域ea3与第四发射区域ea4之间的距离可以基本上相同，但是也可以彼此不同。本公开的实施例不限于此。
86.另外，第一发射区域ea1可以发射第一光，第二发射区域ea2可以发射第二光，第三发射区域ea3可以发射第三光，第四发射区域ea4可以发射与第一光至第三光中的一者相同的光，但是本公开不限于此。例如，第一发射区域ea1可以发射第二光，第二发射区域ea2可以发射第一光，第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以发射第三光。可选地，第一发射区域ea1可以发射第三光，第二发射区域ea2可以发射第二光，第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以发射第一光。可选地，第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的至少一个可以发射第五光。这里，第五光可以是黄色波长范围内的光。也就是说，第五光的主峰波长可以在近似550nm至600nm的范围内，但是本公开的实施例不限于此。
87.在下文中，将参照附图更详细地描述第一发射区域ea1至第四发射区域ea4以及第一发光元件le1至第四发光元件le4中的每个的详细结构和特征(诸如尺寸、平面面积等)。
还将参照附图更详细地描述其中第一发光元件le1至第四发光元件le4的发射波长范围形成为不同的特征。
88.每个限定像素区域px_d的多个发射区域ea1、ea2、ea3和ea4可以由分隔壁pw限定。分隔壁pw可以以这样的方式设置以包围(例如，围绕)分别设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的第一发光元件le1至第四发光元件le4中的每个。分隔壁pw可以与第一发光元件le1至第四发光元件le4中的每个间隔开。在平面图中，分隔壁pw可以具有网状形状或网格形状。
89.在图2和图3中，由分隔壁pw限定的多个发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个具有形成(例如，rgbg)矩阵形式的菱形形状的平面形状，但是本公开的实施例不限于此。例如，由分隔壁pw限定的多个发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个可以具有除菱形形状之外的多边形形状(诸如矩形形状或三角形形状)、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
90.第一焊盘部分pda1可以设置在非显示区域nda中。第一焊盘部分pda1可以设置在显示面板100(在第二方向dr2上)的上侧。第一焊盘部分pda1可以包括连接到外部电路板的第一焊盘pd1。在一个或更多个实施例中，第二焊盘部分pda2可以设置在非显示区域nda中。第二焊盘部分pda2可以设置在半导体电路板110(在第二方向dr2上)的下侧。第二焊盘部分pda2可以包括将要连接到外部电路板的第二焊盘。在一个或更多个实施例中，可以省略第二焊盘部分pda2。
91.图4是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
92.首先参照图4，显示面板100可以包括半导体电路板110、导电连接层130和发光元件层120。
93.半导体电路板110可以包括多个像素电路单元pxc和像素电极111。导电连接层130可以包括连接电极112、第一焊盘pd1、共连接电极cce和第一绝缘层ins1。在一些实施例中，像素电极111可以是导电连接层130的部分。
94.半导体电路板110可以是使用半导体工艺形成的硅晶圆基底。半导体电路板110的多个像素电路单元pxc可以使用半导体工艺形成。
95.多个像素电路单元pxc可以设置在显示区域(图2的da)中。多个像素电路单元pxc中的每个可以连接到对应的像素电极111。也就是说，多个像素电路单元pxc和多个像素电极111可以一一对应地彼此连接。多个像素电路单元pxc中的每个可以在第三方向dr3上与发光元件le1至le4中的对应一个叠置。诸如3t1c结构、2t1c结构、7t1c结构、6t1c结构等的各种其他的修改电路结构可以应用于像素电路单元pxc中的每个。
96.图5是图2中所示的显示装置的一个像素的等效电路图。
97.参照图5，根据一个或更多个实施例的像素的每个像素电路单元pxc可以包括三个晶体管dtr、str1和str2以及一个存储电容器cst。
98.驱动晶体管dtr根据栅电极与源电极之间的电压差来调整从被供应第一电源电压的第一电源线elvdl流到发光元件le中的任何一个的电流。驱动晶体管dtr的栅电极可以连接到第一晶体管str1的第一电极，其源电极可以连接到任何一个发光元件le的第一电极，其漏电极可以连接到第一电源电压被施加到其的第一电源线elvdl。发光元件le的第二电极可以连接到第二电源线elvsl。
99.第一晶体管str1通过扫描线scl的扫描信号而导通，以将数据线dtl连接到驱动晶体管dtr的栅电极。第一晶体管str1的栅电极可以连接到扫描线scl，其第一电极可以连接到驱动晶体管dtr的栅电极，其第二电极可以连接到数据线dtl。
100.第二晶体管str2通过感测信号线ssl的感测信号而导通，以将初始化电压线vil连接到驱动晶体管dtr的源电极。第二晶体管str2的栅电极可以连接到感测信号线ssl，其第一电极可以连接到初始化电压线vil，其第二电极可以连接到驱动晶体管dtr的源电极。
101.在一个或更多个实施例中，第一晶体管str1和第二晶体管str2中的每个的第一电极可以是源电极，其第二电极可以是漏电极。然而，相反的情况也可以是真实的。
102.存储电容器cst形成在驱动晶体管dtr的栅电极与源电极之间。存储电容器cst存储驱动晶体管dtr的栅极电压与源极电压之间的电压差。
103.驱动晶体管dtr以及第一晶体管str1和第二晶体管str2中的每个可以形成为薄膜晶体管(tft)。在一个或更多个实施例中，尽管驱动晶体管dtr以及第一晶体管str1和第二晶体管str2中的每个在图5中被描述为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，但是实施例不限于此。例如，驱动晶体管dtr以及第一晶体管str1和第二晶体管str2中的每个也可以形成为p型mosfet。在一个或更多个实施例中，晶体管dtr、str1和str2中的一些可以形成为n型mosfet，而其他晶体管可以形成为p型mosfet。
104.图6是根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
105.参照图6，每个像素的像素电路单元pxc包括驱动晶体管dtr、开关元件和存储电容器cst。开关元件可以包括第一晶体管str1、第二晶体管str2、第三晶体管str3、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6。
106.驱动晶体管dtr包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管dtr根据施加到栅电极的数据电压来控制在第一电极与第二电极之间流动的漏-源电流(在下文中称为“驱动电流”)。
107.存储电容器cst形成在驱动晶体管dtr的栅电极与第一电源线elvdl之间。存储电容器cst的一个电极可以连接到驱动晶体管dtr的栅电极，而另一电极可以连接到第一电源线elvdl。
108.当第一晶体管str1、第二晶体管str2、第三晶体管str3、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6以及驱动晶体管dtr中的每个的第一电极是源电极时，其第二电极可以是漏电极。可选地，当第一晶体管str1(例如，st1-1、st1-2)、第二晶体管str2、第三晶体管str3(st3-1、st3-2)、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6以及驱动晶体管dtr中的每个的第一电极是漏电极时，其第二电极可以是源电极。
109.第一晶体管str1、第二晶体管str2、第三晶体管str3、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6以及驱动晶体管dtr中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任何一种形成。当第一晶体管str1、第二晶体管str2、第三晶体管str3、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6以及驱动晶体管dtr中的每个的半导体层由多晶硅形成时，用于形成半导体层的工艺可以是低温多晶硅(ltps)工艺。数据线dtl可以连接到第二晶体管str2的第一电极。写入扫描线gwl可以连接到第一晶体管str1(例如，st1-1、st1-2)的栅电极和第二晶体管str2的栅电极。初始化扫描线gil可以连接到第三晶体管str3(例如，st3-1、st3-2)的栅电极。控制扫描线gcl可以连接到第四晶体管str4的
栅电极。发射线el可以连接到第五晶体管str5的栅电极和第六晶体管str6的栅电极。电容器cel可以连接在发光元件le的第一电极与第二电极之间。
110.尽管在图6中，第一晶体管str1、第二晶体管str2、第三晶体管str3、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6以及驱动晶体管dtr均形成为p型mosfet，但是实施例不限于此，它们可以形成为n型mosfet。
111.此外，可以通过考虑驱动晶体管dtr的特性、发光元件le的特性等来设定第一电源线elvdl的第一电源电压、第二电源线elvsl的第二电源电压和初始化电压线vil的第三电源电压。
112.图7是根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
113.根据图7的实施例的像素电路单元pxc与图6的实施例的不同之处在于，驱动晶体管dtr、第二晶体管str2、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6均形成为p型mosfet，而第一晶体管str1和第三晶体管str3均形成为n型mosfet。
114.参照图7，形成为p型mosfet的驱动晶体管dtr、第二晶体管str2、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6中的每个的有源层可以由多晶硅形成，而由n型mosfet形成的第一晶体管str1和第三晶体管str3中的每个的有源层可以由氧化物半导体形成。
115.图7的实施例与图6的实施例的不同之处在于，第二晶体管str2的栅电极和第四晶体管str4的栅电极连接到写入扫描线gwl，并且第一晶体管str1的栅电极连接到控制扫描线gcl。另外，因为在图7中第一晶体管str1和第三晶体管str3均形成为n型mosfet，所以栅极高电压的扫描信号可以被施加到控制扫描线gcl和初始化扫描线gil。相比之下，因为第二晶体管str2、第四晶体管str4、第五晶体管str5和第六晶体管str6均形成为p型mosfet，所以栅极低电压的扫描信号可以被施加到写入扫描线gwl和发射线el。在一个或更多个实施例中，电容器cel可以横跨发光元件le连接。
116.应当注意的是，根据本公开的实施例的像素的等效电路图不限于图5至图7中所示的等效电路图。除了图5至图7中所示的实施例之外，根据本公开的实施例的像素的等效电路图可以以本领域技术人员可以采用的其他已知电路结构形成。
117.图8是详细示出图4的发光元件的示例的放大剖视图。图9是详细示出图4的分隔壁的示例的放大剖视图，图10是作为图4的透镜形成区域的区域c的剖视图。
118.结合图4参照图8至图10，像素电极111中的每个可以设置在对应的像素电路单元pxc上。像素电极111中的每个可以是从像素电路单元pxc暴露的暴露电极。例如，像素电极111中的每个可以从像素电路单元pxc的上表面暴露。像素电极111中的每个可以与像素电路单元pxc一体地形成。像素电极111中的每个可以被供应有来自像素电路单元pxc的像素电压或阳极电压。像素电极111可以由铝(al)形成。
119.连接电极112中的每个可以设置在对应的像素电极111上。连接电极112中的每个可以设置在像素电极111上。连接电极112可以包括金属材料以使像素电极111结合到发光元件le1至le4中的每个。例如，连接电极112可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和锡(sn)中的至少一种，或者可以由合金形成。可选地，连接电极112可以包括包含金(au)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和锡(sn)中的任何一种的第一层以及包含金(au)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和锡(sn)中的另一种的第二层。在这种情况下，第二层可以设置在第一层上。
120.共连接电极cce可以与像素电极111和连接电极112间隔开。共连接电极cce可以以
包围像素电极111和连接电极112的方式设置。
121.共连接电极cce可以连接到非显示区域nda中的第一焊盘部分pda1的第一焊盘pd1中的任何一个以接收共电压。共连接电极cce可以包括与连接电极112的材料相同的材料。例如，共连接电极cce可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和锡(sn)中的至少一种。当连接电极112中的每个包括第一层和第二层时，共连接电极cce可以包括与连接电极112中的每个的第一层的材料相同的材料。
122.第一绝缘层ins1可以设置在共连接电极cce上。第一绝缘层ins1可以形成为诸如氧化硅(sio2)层、氧化铝(al2o3)层或氧化铪(hfo
x
)层的无机层。在第一方向dr1或第二方向dr2上，第一绝缘层ins1的宽度wins1可以比共连接电极cce的宽度wcce小。因此，共连接电极cce的上表面的一部分可以不被第一绝缘层ins1覆盖而被暴露。共连接电极cce的上表面的未被第一绝缘层ins1覆盖的暴露部分可以与共电极ce接触。以此方式，共电极ce可以连接到共连接电极cce。
123.分隔壁pw形成在第一绝缘层ins1上，分隔壁pw的宽度wpw可以与第一绝缘层ins1的宽度wins1基本上相同。
124.发光元件层120可以包括发光元件le1、le2、le3和le4、分隔壁pw、第二绝缘层ins2、共电极ce、反射层rf、光阻挡构件bm和光学图案lp。在一个或更多个实施例中，发光元件层120也可以包括反射构件。
125.发光元件层120可以包括由分隔壁pw限定的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4。发光元件le或光学图案lp中的至少一个可以设置在第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的每个中。
126.发光元件le1、le2、le3和le4中的每个可以设置在发射区域ea1至ea4中的每个中的连接电极112上。发光元件le1、le2、le3和le4中的每个在第三方向dr3上的长度(或高度)可以比在水平方向上的长度长。水平方向上的长度表示第一方向dr1上的长度或第二方向dr2上的长度。例如，第一发光元件le1在第三方向dr3上的长度可以近似为1μm至5μm。
127.发光元件le1、le2、le3和le4中的每个包括在第三方向dr3上的第一半导体层sem1、电子阻挡层ebl、活性层mqw、超晶格层slt和第二半导体层sem2。第一半导体层sem1、电子阻挡层ebl、活性层mqw、超晶格层slt和第二半导体层sem2可以沿着第三方向dr3顺序地堆叠。
128.第一半导体层sem1可以设置在连接电极112上。第一半导体层sem1可以是掺杂有第一导电类型掺杂剂(诸如mg、zn、ca、ba等)的半导体层。例如，第一半导体层sem1可以是掺杂有p型mg的p-gan。第一半导体层sem1的厚度可以近似为30nm至200nm。
129.电子阻挡层ebl可以设置在第一半导体层sem1上。电子阻挡层ebl可以是用于抑制或防止太多电子流入到活性层mqw中的层。例如，电子阻挡层ebl可以是掺杂有p型mg的p-algan。电子阻挡层ebl的厚度可以近似为10nm至50nm。可以省略电子阻挡层ebl。
130.活性层mqw可以被划分为第一活性层至第三活性层。第一活性层至第三活性层中的每个可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当第一活性层至第三活性层中的每个包括具有多量子阱结构的材料时，活性层可以具有其中多个阱层和势垒层交替地堆叠的结构。在这种情况下，第一活性层可以包括ingan或gaas，而第二活性层和第三活性层可以包括ingan，但是实施例不限于此。这里，第一活性层可以根据电信号通过电子-空穴对
的复合来发射光。第一活性层可以发射具有在近似600nm至750nm的范围内的主峰波长的第一光，即，在红色波长范围内的光。第二活性层可以根据电信号通过电子-空穴对的复合来发射光。第二活性层可以发射具有在近似480nm至560nm范围内的主峰波长的第三光，即，在绿色波长范围内的光。第三活性层可以根据电信号通过电子-空穴对的复合来发射光。第三活性层可以发射具有在近似370nm至460nm范围内的主峰波长的第二光，即，在蓝色波长范围内的光。因此，第一活性层至第三活性层中的每个可以根据铟的含量而发射不同颜色的光。例如，随着铟的含量减少，由第一活性层至第三活性层中的每个发射的光的波长范围可以移位到蓝色波长范围，而随着铟的含量增加，由第一活性层至第三活性层中的每个发射的光的波长范围可以移位到红色波长范围。第一活性层中的铟(in)的含量可以比第二活性层中的铟(in)的含量高，并且第二活性层中的铟(in)的含量可以比第三活性层中的铟(in)的含量高。例如，第三活性层中的铟(in)的含量可以是15％，第二活性层中的铟(in)的含量可以是25％，第一活性层中的铟(in)的含量可以是35％或更多。这样，因为发射光的颜色可以根据第一活性层至第三活性层中的每个中的铟的含量而变化，所以发光元件le1、le2、le3和le4中的每个的发光元件层120可以根据铟含量而发射相同或不同的光(诸如第一光、第二光和第三光)。
131.超晶格层slt可以设置在活性层mqw上。超晶格层slt可以是减轻第二半导体层sem2与活性层mqw之间的应力的层。例如，超晶格层slt可以由ingan或gan形成。超晶格层slt的厚度可以近似为50nm至200nm。可以省略超晶格层slt。
132.第二半导体层sem2可以设置在超晶格层slt上。第二半导体层sem2可以掺杂有诸如si、ge、se或sn的第二导电类型掺杂剂。例如，第二半导体层sem2可以是掺杂有n型si的n-gan。第二半导体层sem2的厚度可以近似为2μm至4μm。
133.分隔壁pw可以与设置在第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的每个中的发光元件le1至le4中的每个间隔开。分隔壁pw可以以这样的方式设置以包围设置在第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的每个中的发光元件le1至le4。
134.分隔壁pw可以设置在第一绝缘层ins1上。在第一方向dr1和第二方向dr2上，分隔壁pw的宽度wpw可以与第一绝缘层ins1的宽度wins1相同，并且可以比共连接电极cce的宽度wcce小。分隔壁pw可以与发光元件le间隔开。
135.分隔壁pw可以包括第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3。
136.第一分隔壁pw1可以设置在第一绝缘层ins1上。第一分隔壁pw1以与形成发光元件le的工艺相同的工艺形成，因此第一分隔壁pw1的至少一部分可以包括与发光元件le的材料相同的材料。
137.第一分隔壁pw1可以包括沿着第三方向dr3顺序堆叠的多个子分隔壁spw1至spw6。例如，第一分隔壁pw1可以包括第一子分隔壁spw1、第二子分隔壁spw2、第三子分隔壁spw3、第四子分隔壁spw4、第五子分隔壁spw5和第六子分隔壁spw6。
138.第一子分隔壁spw1可以由与发光元件le的第一半导体层sem1的材料相同的材料形成。第一子分隔壁spw1可以通过与形成发光元件le的第一半导体层sem1的工艺相同的工艺形成。第一子分隔壁spw1的厚度tspw1可以与发光元件le的第一半导体层sem1的厚度tsem1基本上相同。
139.第二子分隔壁spw2可以由与发光元件le1至le4的电子阻挡层ebl的材料相同的材
料形成。第二子分隔壁spw2可以以与形成发光元件le1至le4的电子阻挡层ebl的工艺相同的工艺形成。第二子分隔壁spw2的厚度tspw2可以与发光元件le1至le4的电子阻挡层ebl的厚度tebl基本上相同。当省略电子阻挡层ebl时，也可以省略第二子分隔壁spw2。
140.第三子分隔壁spw3可以由与发光元件le1至le4的活性层mqw的材料相同的材料形成。第三子分隔壁spw3可以以与形成发光元件le1至le4的活性层mqw的工艺相同的工艺形成。第三子分隔壁spw3的厚度tspw3可以与发光元件le的活性层mqw的厚度tmqw基本上相同。
141.第四子分隔壁spw4可以由与发光元件le1至le4的超晶格层slt的材料相同的材料形成。第四子分隔壁spw4可以以与形成发光元件le1至le4的超晶格层slt的工艺相同的工艺形成。第四子分隔壁spw4的厚度tspw4可以与发光元件le的超晶格层slt的厚度tslt基本上相同。
142.第五子分隔壁spw5可以由与发光元件le1至le4的第二半导体层sem2的材料相同的材料形成。第五子分隔壁spw5可以通过与发光元件le1至le4的第二半导体层sem2的工艺相同的工艺形成。在显示面板100的制造工艺中，不去除第五子分隔壁spw5，但是去除发光元件le的第二半导体层sem2的一部分，使得第五子分隔壁spw5的厚度tspw5可以比发光元件le1至le4中的每个的第二半导体层sem2的厚度tsem2大。
143.第六子分隔壁spw6可以形成为未掺杂有掺杂剂的半导体层，即，未掺杂的半导体层。例如，第六子分隔壁spw6可以是未掺杂的gan。第六子分隔壁spw6的厚度tspw6可以比发光元件le的第二半导体层sem2的厚度tsem2大。第六子分隔壁spw6的厚度tspw6可以近似为2μm至3μm。
144.第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3用作掩模，以防止第一分隔壁pw1在用于形成发光元件le和分隔壁pw的制造工艺中被蚀刻。
145.第二分隔壁pw2可以设置在第一分隔壁pw1上。第二分隔壁pw2可以形成为诸如氧化硅(sio2)层、氧化铝(al2o3)层或氧化铪(hfo
x
)层的无机层。第二分隔壁pw2的厚度tpw2可以近似为1μm至2μm。
146.第三分隔壁pw3可以设置在第二分隔壁pw2上。第三分隔壁pw3可以包括诸如镍(ni)的导电材料。第三分隔壁pw3的厚度tpw3可以近似为0.01μm至1μm。此外，第一分隔壁pw1的厚度tpw1可以大于第二分隔壁pw2的厚度tpw2和第三分隔壁pw3的厚度tpw3。
147.第二绝缘层ins2可以设置在第一绝缘层ins1的侧表面、共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、像素电极111中的每个的侧表面、连接电极112中的每个的侧表面以及发光元件le1至le4中的每个的侧表面上。第二绝缘层ins2可以形成为诸如氧化硅(sio2)层、氧化铝(al2o3)层或氧化铪(hfo
x
)层的无机层。第二绝缘层ins2的厚度可以近似为0.1μm。
148.共电极ce可以设置在发光元件le1至le4中的每个的上表面和侧表面以及分隔壁pw的上表面和侧表面上。也就是说，共电极ce可以被设置为覆盖发光元件le1至le4中的每个的上表面和侧表面以及分隔壁pw的上表面和侧表面。
149.共电极ce可以与设置在第一绝缘层ins1的侧表面、共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、像素电极111中的每个的侧表面、连接电极112中的每个的侧表面以及发光元件le1至le4中的每个的侧表面上的第二绝缘层ins2接触。此外，共电极ce可以与共连接
电极cce的上表面、发光元件le中的每个的上表面和分隔壁pw的上表面接触。
150.共电极ce可以与共连接电极cce的不被第二绝缘层ins2覆盖而暴露的上表面和发光元件le1至le4中的每个的上表面接触。因此，供应到共连接电极cce的共电压可以施加到发光元件le1至le4。也就是说，发光元件le1至le4的一端可以通过连接电极112而被供应有像素电极111的像素电压或阳极电压，另一端可以通过共电极ce被供应有共电压。发光元件le可以根据像素电压与共电压之间的电压差以期望的亮度(例如，设定或预定的亮度)发光。
151.共电极ce可以包括透明导电材料。共电极ce可以由诸如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)的透明导电氧化物(tco)形成。共电极ce的厚度可以近似为0.1μm。
152.反射层rf用来反射从发光元件le1至le4发射的光之中的在上侧方向、下侧方向、左侧方向和右侧方向上而不是在向上方向上行进的光。反射层rf可以包括诸如铝(al)的高反射金属材料。反射层rf的厚度可以近似为0.1μm。
153.反射层rf可以设置在共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、像素电极111中的每个的侧表面、连接电极112中的每个的侧表面以及发光元件le1至le4中的每个的侧表面上。反射层rf可以与设置在共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、像素电极111中的每个的侧表面、连接电极112中的每个的侧表面以及发光元件le1至le4中的每个的侧表面上的共电极ce接触。
154.在一个或更多个实施例中，基体树脂brs可以设置在发光元件le1至le4中的每个中的保护膜上。基体树脂brs可以包括透光有机材料。例如，基体树脂brs可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
155.基体树脂brs还可以包括用于使发光元件le1至le4的光在随机方向上散射的散射体。在这种情况下，散射体可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)或氧化锡(sno2)。另外，有机颗粒可以包括丙烯酸类树脂或聚氨酯类树脂。散射体的直径可以是几纳米至几十纳米。
156.光阻挡构件bm可以设置在分隔壁pw上。光阻挡构件bm可以包括光阻挡材料。例如，光阻挡构件bm可以包括能够阻挡光的有机材料或金属材料，但是不限于此。光阻挡构件bm可以设置在相邻的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4之间，并且防止发射彼此不同波长范围的光的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的发光元件le1至le4之间的颜色混合。另外，光阻挡构件bm可以吸收从外部入射在发光元件层120上的外部光的至少一部分，以减少外部光的反射。光阻挡构件bm设置在分隔壁pw上，并且还可以延伸到发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个。也就是说，光阻挡构件bm的宽度可以比分隔壁pw的宽度大。
157.光学图案lp中的每个可以选择性地设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。光学图案lp中的每个可以直接设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的基体树脂brs上。光学图案lp可以具有在上方向(例如，从发光元件le1至le4朝向每个光学图案lp的方向)上突出的形状。例如，每个光学图案lp的剖面形状可以包括向上凸的透镜形状。每个光学图案lp可以设置在位于光学图案lp的下部的基体树脂brs上。每个光学图案lp的宽度可以等于、大于或小于发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的宽度。光学图案lp中的每个可以在相应的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中使透射通过基体树脂brs的第一光至第三光会
聚。将参照图10描述相应光学图案lp的布置和每个光学图案lp的第一光至第三光的会聚。
158.参照图10，每个光学图案lp可以使透射通过基体树脂brs的第一光至第三光会聚在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。在下文中，为了便于描述，将第一光至第三光统称为光l。
159.从发光元件le1至le4中的每个提供的光l可以完整地穿过基体树脂brs或者可以被基体树脂brs中的散射体反射，并且可以施加到每个光学图案lp。
160.每个光学图案lp的折射率形成为比基体树脂brs的折射率大，使得光l以其穿过基体树脂brs与每个光学图案lp之间的边界并被会聚的程度被折射。为了增大通过每个光学图案lp的光聚集(concentration)，在相对于上方向(第三方向dr3)具有合适角度(例如，设定或预定的角度)的横向方向上倾斜行进的光l必须通过每个光学图案lp在相对于上方向dr3的角度减小所沿的横向方向上传播。为了改变倾斜行进的光l的传播方向，必须调整每个光学图案lp与相邻构件之间的折射率的差和每个光学图案lp的形状。此外，当光学图案lp的折射率被调整为比基体树脂brs的折射率大并且光学图案lp的剖面形状以通常用于光聚集的凸透镜(converging lens)的形状形成时，可以实现将光更可靠地聚集到第二发射区域ea2的中心部分上。因此，通常，凸透镜是指初始角度α为30度或更大的情况。在本公开中，在图10中，初始角度意指其中光学图案lp的与基体树脂brs的上表面接触的下表面同光学图案lp的凸表面相交的接触点处的切线和光学图案lp的与基体树脂brs的上表面接触的下表面之间的角度。
161.图11是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
162.参照图11，分隔壁pw以包围(例如，围绕)设置在第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的发光元件le1至le4中的每个的方式形成，分隔壁pw可以与发光元件le1至le4中的每个间隔开合适的距离(例如，设定或预定的距离)。
163.分隔壁pw以以与形成发光元件le的工艺相同的工艺形成，因此分隔壁pw的至少一部分可以包括与发光元件le1、le2、le3和le4中的每个的材料相同的材料。此外，分隔壁pw以与形成发光元件le1、le2、le3和le4中的每个的工艺相同的工艺形成，因此分隔壁pw可以在与任何一个发光元件le1、le2、le3和le4的高度相同的高度处形成，或者具有与任何一个发光元件le1、le2、le3和le4的在第三方向dr3上的长度相同的长度。
164.分隔壁pw可以包括沿着第三方向dr3顺序地堆叠的多个子分隔壁spw1至spw6，例如，参照图9描述的第一子分隔壁spw1至第六子分隔壁spw6。因此，第一子分隔壁spw1可以通过与第一半导体层sem1的工艺相同的工艺由与发光元件le1至le4的第一半导体层sem1的材料相同的材料形成。第二子分隔壁spw2可以通过与电子阻挡层ebl的工艺相同的工艺由与发光元件le1至le4的电子阻挡层ebl的材料相同的材料形成。第三子分隔壁spw3可以通过与活性层mqw的工艺相同的工艺由与发光元件le1至le4的活性层mqw的材料相同的材料形成。第四子分隔壁spw4可以通过与超晶格层slt的工艺相同的工艺由与发光元件le1至le4的超晶格层slt的材料相同的材料形成。第五子分隔壁spw5可以通过与第二半导体层sem2的工艺相同的工艺由与发光元件le1至le4的第二半导体层sem2的材料相同的材料形成。第六子分隔壁spw6可以形成为未掺杂有掺杂剂的半导体层，即，未掺杂的半导体层。因此，由第一子分隔壁spw1至第六子分隔壁spw6构成的分隔壁pw可以在与发光元件le的高度相同的高度处形成或者在第三方向dr3上具有与发光元件le的长度相同的长度。
165.由分隔壁pw限定的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个填充有包括透光有机材料的基体树脂brs。基体树脂brs利用发光元件le1至le4中的每个的保护膜填充发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的整个空间。光阻挡构件bm设置在分隔壁pw上，每个光学图案lp设置在除了光阻挡构件bm之外的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。
166.图12是详细示出图2的区域b中所示的像素的布局图。图13是示出沿着图12的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
167.参照图12和图13，除了其中在分隔壁pw上形成光阻挡构件bm的区域之外，每个光学图案lp设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。每个光学图案lp可以形成和布置为比发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个大，以覆盖发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的全部。
168.例如，每个光学图案lp可以形成并布置为与发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的平面面积相比具有相同或更大的平面面积，以完全覆盖发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的边缘。在这种情况下，扩展了每个光学图案lp的设定(例如高度、宽度lpd1、lpd2和lpd3、倾斜角、曲率等)的范围或修改范围。因此，每个光学图案lp的形状可以根据发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的面积来修改和应用，因此，可以改善光聚集效率。
169.另外，如图12和图13中所示，每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4可以形成为具有彼此相同的尺寸或平面面积或者不同的尺寸或平面面积。例如，第一发射区域ea1和第二发射区域ea2可以具有彼此相同的尺寸或面积，第三发射区域ea3可以具有与第二发射区域ea2的尺寸或面积不同的尺寸或面积。第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以具有彼此相同的尺寸或面积。因此，设置在第一发射区域ea1和第二发射区域ea2中的光学图案lp的尺寸或面积可以与设置在第三发射区域ea3和第四发射区域ea4中的光学图案lp的尺寸或面积不同。另外，分别形成在第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的第一发光元件le1至第四发光元件le4中的每个的尺寸或平面面积可以彼此相同或不同。也就是说，如图12中所示，分别设置在第一发射区域ea1和第二发射区域ea2中的第一发光元件le1和第二发光元件le2的尺寸或平面面积可以与分别设置在第三发射区域ea3和第四发射区域ea4中的第三发光元件le3和第四发光元件le4的尺寸或平面面积不同。
170.在一个或更多个实施例中，第一发射区域ea1和第二发射区域ea2可以具有彼此相同的尺寸或面积，第三发射区域ea3的尺寸或面积可以形成为比第二发射区域ea2的尺寸或面积小。另外，第三发射区域ea3和第四发射区域ea4可以具有彼此相同的尺寸或面积。因此，分别设置在第一发射区域ea1和第二发射区域ea2中的光学图案lp的尺寸或面积可以比分别设置在第三发射区域ea3和第四发射区域ea4中的光学图案lp的尺寸或面积大。
171.分别设置在第一发射区域ea1和第二发射区域ea2中的第一发光元件le1和第二发光元件le2的尺寸或平面面积可以比分别设置在第三发射区域ea3和第四发射区域ea4中的第三发光元件le3和第四发光元件le4的尺寸或平面面积大。
172.图12中所示的第一发射区域ea1的第一发光元件le1可以发射实现红色、绿色和蓝色中的任何一者的波长范围内的第一光。另外，第二发射区域ea2的第二发光元件le2可以发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光的颜色不同的一者的波长范围内的第二光。另一方面，第三发射区域ea3的第三发光元件le3可以发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的第三光。另外，第四发射区域ea4的第四发光元
件le4可以发射实现与第一光至第三光中的任何一者的颜色相同的颜色的波长范围内的第四光。
173.图14是示出沿着图12的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
174.参照图14，每个光学图案lp可以选择性地设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。例如，光学图案lp中的每个可以选择性地仅设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的至少一个中。例如，当第一发射区域ea1发射在红色波长范围内的第一光时，光学图案lp可以均仅形成在相应的第一发射区域ea1中，以改善具有最低光提取效率的红光的光聚集和发射效率。以此方式，分别设置在第一发射区域ea1中的光学图案lp可以会聚并且发射穿过第一发射区域ea1的基体树脂brs的第一光。
175.图15是示出沿着图12的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。图16是作为图15的透镜形成区域的区域c的放大剖视图。
176.参照图15和图16，每个光学图案lp可以选择性地仅设置在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2、第三发射区域ea3和第四发射区域ea4中的至少一个中。另外，可以进一步形成覆盖剩余发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的全部以及选择性设置的光学图案lp中的每个的填充构件lr。
177.每个光学图案lp的折射率可以比基体树脂brs的折射率大，填充构件lr的折射率可以比基体树脂brs或每个光学图案lp的折射率大。因为填充构件lr的折射率比基体树脂brs的折射率大，所以当光从基体树脂brs行进到填充构件lr时，可以提高光聚集效率。
178.参照图16，在其中形成有每个光学图案lp的发射区域中，通过基体树脂brs发射的光主要通过每个光学图案lp会聚。
179.当在透射通过基体树脂brs的光l之中，光在相对于上方向dr3具有合适角度(例如，设定或预定的角度)的横向方向上倾斜地行进时，每个光学图案lp可以在相对于上方向dr3的角度减小所沿的横向方向上传播该行进的光(例如，可以将光会聚到第一发射区域ea1的中心部分)。此后，当光通过每个光学图案lp传播到填充构件lr时，所述光可以以在穿过每个光学图案lp与填充构件lr之间的边界的同时被会聚的程度被进一步折射。
180.图17是详细示出图2的区域b中所示的像素的布局图。图18是示出沿着图17的线i-i'截取的显示面板的示例的剖视图。
181.参照图17和图18，每个光学图案lp可以形成并设置为比发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的平面面积小，以覆盖分别设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的发光元件le1、le2、le3和le4中的每个。在这种情况下，每个光学图案lp的设定(诸如高度、宽度lpd1、lpd2、lpd3、倾斜角和曲率)的范围不可避免地变窄，但是可以通过增加光阻挡构件bm的形成面积和高度来改变并应用光聚集效率。
182.图19至图24是详细示出了图2的区域b中所示的像素的各种实施例的布局图。
183.参照图19，每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的每个的尺寸或平面面积可以彼此相同或不同。
184.例如，第一发射区域ea1的尺寸或面积可以比相邻的第二发射区域ea2的尺寸或面积大，第二发射区域ea2的尺寸或面积可以比相邻的第三发射区域ea3的尺寸或面积大。另外，彼此相邻的第三发射区域ea3和第四发射区域ea4的尺寸或面积可以彼此相同。
185.设置在第一发射区域ea1上的光学图案lp可以形成为具有比设置在第二发射区域
ea2上的光学图案lp的尺寸或面积大的尺寸或面积大。另外，设置在第二发射区域ea2上的光学图案lp可以形成为具有比设置在第三发射区域ea3和第四发射区域ea4上的光学图案lp的尺寸或面积大的尺寸或面积。
186.根据第一发射区域ea1至第四发射区域ea4中的每个的尺寸的面积，第一发光元件le1可以形成为具有比相邻的第二发光元件le2的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积，第二发光元件le2可以形成为具有比相邻的第三发光元件le3的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积。另外，第三发光元件le3和第四发光元件le4可以具有相同的尺寸或平面面积。
187.第一发射区域ea1的第一发光元件le1可以发射实现红色的波长范围内的第一光。另外，第二发射区域ea2的第二发光元件le2可以发射实现蓝色的波长范围内的第二光。另一方面，第三发射区域ea3的第三发光元件le3和第四发射区域ea4的第四发光元件le4可以都发射实现绿色的波长范围内的第三光。以此方式，通过被形成为具有最大尺寸或平面面积的第一发射区域ea1的第一发光元件le1实现具有最低光提取效率的红色，从而进一步改善红色光的光提取效率。
188.在一个或更多个实施例中，每个光学图案lp可以选择性地设置在相应的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的至少一个中，填充构件lr可以进一步形成在包括选择性设置的光学图案lp中的每个的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。
189.参照图20，每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4之中的第一发射区域ea1的尺寸或面积可以比相邻的第二发射区域ea2的尺寸或面积大。此外，第二发射区域ea2的尺寸或面积可以比相邻的第三发射区域ea3的尺寸或面积大。另外，第三发射区域ea3的尺寸或面积可以比相邻的第四发射区域ea4的尺寸或面积大。因此，每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4之中的第四发射区域ea4可以具有最小的尺寸或面积。
190.根据第一发射区域ea1至第四发射区域ea4之中的每个的尺寸的面积，第一发光元件le1可以形成为具有比相邻的第二发光元件le2的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积，第二发光元件le2可以形成为具有比相邻的第三发光元件le3的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积。另外，第三发光元件le3可以形成为具有比第四发光元件le4的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积。因此，每个像素px的第一发光元件le1至第四发光元件le4之中的第四发光元件le4可以具有最小的尺寸或面积。
191.图20中所示的第一发光元件le1可以发射实现红色、绿色和蓝色中的任何一种的波长范围内的第一光。另外，第二发光元件le2可以发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光的颜色不同的一者的波长范围内的第二光。另一方面，第三发光元件le3可以发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的第三光。另外，第四发光元件le4可以发射实现与第一光至第三光中的任何一者的颜色相同的颜色的波长范围内的第四光。
192.例如，第一发射区域ea1的第一发光元件le1可以发射实现红色的波长范围内的第一光。另外，第二发射区域ea2的第二发光元件le2可以发射实现蓝色的波长范围内的第二光。另一方面，第三发射区域ea3的第三发光元件le3和第四发射区域ea4的第四发光元件le4可以都发射实现绿色的波长范围内的第三光。
193.如上所述，每个光学图案lp可以选择性地设置在相应的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的至少一个中，填充构件lr可以进一步形成在包括选择性设置的光学图案lp中的每
个的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。
194.参照图21，第一发射区域ea1的尺寸或面积可以比相邻的第二发射区域ea2的尺寸或面积大，第二发射区域ea2的尺寸或面积可以比相邻的第三发射区域ea3的尺寸或面积大。另外，彼此相邻的第三发射区域ea3和第四发射区域ea4的尺寸或面积可以彼此相同。
195.第一发光元件le1可以形成为具有比相邻的第二发光元件le2的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积，第二发光元件le2可以形成为具有比相邻的第三发光元件le3的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积。另外，第三发光元件le3和第四发光元件le4可以具有相同的尺寸或平面面积。
196.第一发光元件le1可以发射实现红色、绿色和蓝色中的任何一者的波长范围内的第一光。另外，第二发光元件le2可以发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光的颜色不同的一者的波长范围内的第二光。另一方面，第三发光元件le3可以发射实现红色、蓝色和绿色中的与第一光和第二光的颜色不同的一者的波长范围内的第三光。另外，第四发光元件le4可以发射实现与第一光至第三光中的任何一者的颜色相同的颜色的波长范围内的第四光。例如，第一发光元件le1可以发射实现红色的波长范围内的第一光。另外，第二发光元件le2可以发射实现绿色的波长范围内的第三光。另一方面，第三发射区域ea3的第三发光元件le3和第四发射区域ea4的第四发光元件le4可以都发射实现蓝色的波长范围内的第二光。
197.参照图22，每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4之中的第一发射区域ea1的尺寸或面积可以比相邻的第二发射区域ea2的尺寸或面积大。另外，第二发射区域ea2至第四发射区域ea4的尺寸或面积可以相同。
198.第一发光元件le1可以形成为具有比相邻的第二发光元件le2的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积，第二发光元件le2至第四发光元件le4可以形成为具有相同的尺寸或平面面积。
199.第一发射区域ea1的第一发光元件le1可以发射实现红色的波长范围内的第一光。另外，第二发射区域ea2的第二发光元件le2可以发射实现蓝色的波长范围内的第二光。另一方面，第三发射区域ea3的第三发光元件le3和第四发射区域ea4的第四发光元件le4可以都发射实现绿色的波长范围内的第三光。
200.如上所述，每个光学图案lp可以选择性地设置在相应的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4之中的实现具有最低光提取效率的红色的第一发射区域ea1中，填充构件lr可以进一步形成在包括选择性设置的光学图案lp中的每个的发射区域ea1、ea2、ea3、ea4中的每个中。
201.参照图23，每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4之中的第一发射区域ea1的尺寸或面积可以比相邻的第二发射区域ea2的尺寸或面积大。另外，第二发射区域ea2至第四发射区域ea4的尺寸或面积可以相同。因此，第一发光元件le1可以形成为具有比相邻的第二发光元件le2的尺寸或平面面积大的尺寸或平面面积，第二发光元件le2至第四发光元件le4可以形成为具有相同的尺寸或平面面积。
202.第一发射区域ea1的第一发光元件le1可以发射实现蓝色的波长范围内的第二光。另外，第二发射区域ea2的第二发光元件le2可以发射实现红色的波长范围内的第一光。另一方面，第三发射区域ea3的第三发光元件le3和第四发射区域ea4的第四发光元件le4可以都发射实现绿色的波长范围内的第三光。同样地，每个光学图案lp可以选择性地设置在相
应的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4之中的实现具有最低光提取效率的红色的第二发射区域ea2中，填充构件lr可以进一步形成在包括选择性设置的光学图案lp中的每个的发射区域ea1、ea2、ea3、ea4中的每个中。
203.参照图24，每个像素px的第一发射区域ea1至第四发射区域ea4之中的第一发射区域ea1的尺寸或面积可以比相邻的第二发射区域ea2的尺寸或面积大。另外，第二发射区域ea2至第四发射区域ea4的尺寸或面积可以相同。
204.第一发射区域ea1的第一发光元件le1可以发射实现绿色的波长范围内的第三光。另外，第二发射区域ea2的第二发光元件le2可以发射实现蓝色的波长范围内的第二光。另一方面，第三发射区域ea3的第三发光元件le3和第四发射区域ea4的第四发光元件le4可以都发射实现红色的波长范围内的第一光。具有最低光提取效率的红色通过第三发光元件le3和第四发光元件le4而实现，从而进一步改善红色光的光提取效率。
205.另外，每个光学图案lp可以选择性地设置在实现具有最低光提取效率的红色的第三发光元件le3和第四发光元件le4上，填充构件lr可以进一步形成在包括选择性设置的光学图案lp中的每个的发射区域ea1、ea2、ea3、ea4中的每个中。
206.图25是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的实施例的剖视图。
207.参照图25，显示面板100可以包括半导体电路板110、导电连接层130、发光元件层120和光学图案层140。
208.半导体电路板110可以包括多个像素电路单元pxc和像素电极111。导电连接层130可以包括连接电极112、第一焊盘pd1、共连接电极cce和第一绝缘层ins1。
209.可以在发光元件层120的不与导电连接层130接触的前表面上进一步形成能够保护发光元件层120的发光元件le1、le2、le3和le4并增强硬度的保护层cec。保护层cec可以由未掺杂的gan或ingan形成。
210.光学图案层140包括透明玻璃g、多个光阻挡壁ppw、光阻挡构件bm和基体树脂brs，多个光阻挡壁ppw形成在与发光元件层120的分隔壁pw对应的区域中，光阻挡构件bm设置在光阻挡壁ppw中的每个上，基体树脂brs填充在光阻挡壁ppw之间的作为与发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个对应的前表面区域的区域中。另外，光学图案层140还包括多个内光学图案nlp和粘合构件oc，多个内光学图案nlp设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的前表面上，粘合构件oc形成为在多个内光学图案nlp与发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个之间具有粘合性。
211.粘合构件oc形成在发光元件层120与光学图案层140之间，使得光学图案层140可以固定并粘合到发光元件层120的前表面区域。粘合构件oc可以由光学透明树脂(ocr)、光学透明粘合剂(oca)等形成。粘合构件oc具有比多个内光学图案nlp的折射率低的折射率。
212.光学图案层140的粘合构件oc和形成在粘合构件oc上的多个内光学图案nlp使从发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个发射的光会聚，并且将会聚的光发射到填充在光阻挡壁ppw之间的区域中的基体树脂brs。换言之，光学图案层140允许从发光元件le1、le2、le3和le4发射的光在形成基体树脂brs所沿的向上方向上会聚，而不在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的上部中散射，并且可以输出到外部。
213.在一个或更多个实施例中，内光学图案nlp中的每个可以选择性地设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个中。在一个或更多个实施例中，内光学图案nlp中的每个可以
直接设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的基体树脂brs上。内光学图案nlp可以具有在向下方向上(例如，在朝向发光元件le1至le4的方向上)突出的形状。例如，内光学图案nlp可以形成并设置为具有凸透镜形状的剖面，凸透镜在基体树脂brs的方向上水平地附着并且在朝向发光元件le1至le4的方向上突出。内光学图案nlp可以在被粘合构件oc覆盖的同时通过粘合构件oc设置在发光元件le1至le4的前表面上。内光学图案nlp的宽度可以等于、大于或小于发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的宽度。因此，内光学图案nlp允许发射到发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的上部的光在基体树脂brs的方向上会聚而不被散射。
214.内光学图案nlp的折射率比粘合构件oc的折射率大，使得从发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个发射的光可以以光在穿过粘合构件oc与内光学图案nlp之间的边界的同时被会聚的程度被折射。此外，粘合构件oc的折射率可以比基体树脂brs小。
215.形成在光学图案层140中的基体树脂brs还可以包括用于使通过内光学图案nlp入射的光在随机方向上散射的散射体。在这种情况下，散射体可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)或氧化锡(sno2)。另外，有机颗粒可以包括丙烯酸类树脂或聚氨酯类树脂。散射体的直径可以是几纳米到几十纳米。
216.图26是用于解释结合图25中所示的显示面板的方法的剖视图。
217.参照图26，可以在半导体电路板110上形成导电连接层130和发光元件层120，可以在透明玻璃g上单独形成光学图案层140。另外，可以以使光学图案层140面对(或相对)并粘合到半导体电路板110的发光元件层120的前表面的方式制造显示面板100。
218.例如，可以在半导体电路板110上形成导电连接层130和发光元件层120，可以在发光元件层120的不与导电连接层130接触的前表面上进一步形成能够保护发光元件层120的发光元件le1、le2、le3和le4并增强硬度的保护层cec。
219.另一方面，在单独的透明玻璃g中，在分别与发光元件层120的分隔壁pw对应的区域中形成多个光阻挡构件bm，可以在与相应的光阻挡构件bm对应的区域中形成多个光阻挡壁ppw。因此，每个光阻挡壁ppw可以设置在与发光元件层120的分隔壁pw对应的区域中。
220.在光阻挡壁ppw之间的作为与发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个对应的前表面区域的区域中填充基体树脂brs。基体树脂brs可以选择性地包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。
221.在形成基体树脂brs的区域中设置多个内光学图案nlp。每个内光学图案nlp可以具有粘合到基体树脂brs的平坦表面，并且以在与透明玻璃g相反的方向上突出的凸透镜形状设置。在基体树脂brs的包括多个内光学图案nlp的前表面和光阻挡壁ppw上施加并形成粘合构件oc，从而可以将光学图案层140固定并粘合。
222.因此，光学图案层140可以通过粘合构件oc粘合并安置到半导体电路板110的前表面上同时彼此面对(或相对)，半导体电路板110具有形成在其上的导电连接层130和发光元件层120。
223.图27是作为图25的内透镜形成区域的区域e的放大剖视图。
224.参照图27，从发射区域ea1、ea2、ea3和ea4的发光元件le1至le4发射的光主要通过保护层cec会聚，并且在穿过每个内光学图案nlp时被折射。然后，光通过粘合构件oc以及每
个内光学图案nlp被二次会聚，然后发射到基体树脂brs。
225.如下表1中所示，保护层cec具有最低的透光率，并且可以具有比粘合构件oc或内光学图案nlp的折射率高的折射率。另外，粘合构件oc具有比多个内光学图案nlp的折射率低的折射率。
226.[表1]
[0227] 折射率最佳折射率透镜1.8(高)2.4(1.8
↑
或更大)oc1.5(低)1.1(1.5
↓
或更小)未掺杂的gan2.4
↑
(高)与左侧相同
[0228]
因此，在从保护层cec散射的光(即，穿过保护层cec的光)之中的在内光学图案nlp的横向方向上倾斜行进的光可以在粘合构件oc和基体树脂brs的其中相对于上方向(即，第三方向dr3)的角度减小的方向上会聚。当光通过每个内光学图案nlp行进到基体树脂brs时，所述光可以以其在穿过每个内光学图案nlp与基体树脂brs之间的边界的同时被会聚的程度被进一步折射。
[0229]
图28是示出沿着图3的线i-i'截取的显示面板的实施例的剖视图。
[0230]
参照图28，显示面板100包括半导体电路板110、导电连接层130、发光元件层120和光学图案层140，发光元件层120包括多个内光学图案nlp和粘合构件oc，光学图案层140被构造为使通过基体树脂brs的光会聚并将会聚的光输出到外部。
[0231]
能够保护发光元件层120的发光元件le1、le2、le3和le4并增强硬度的保护层cec可以进一步形成在发光元件层120的不与导电连接层130接触的前表面上。保护层cec可以由未掺杂的gan或ingan形成。另外，多个内光学图案nlp可以选择性地形成在与发光元件le1、le2、le3和le4的形成区域对应的保护层cec上，粘合构件oc形成为覆盖所有内光学图案nlp。也就是说，粘合构件oc形成在发光元件层120的前表面区域上，使得光学图案层140可以固定并粘合到发光元件层120的包括内光学图案nlp中的每个的前表面区域。这里，粘合构件oc具有比多个内光学图案nlp的折射率低的折射率。
[0232]
光学图案层140包括透明玻璃g、多个光阻挡壁ppw、光阻挡构件bm、和基体树脂brs，多个光阻挡壁ppw形成在与发光元件层120的分隔壁pw对应的区域中，光阻挡构件bm设置在光阻挡壁ppw中的每个上，基体树脂brs填充在光阻挡壁ppw之间的作为与发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个对应的前表面区域的区域中。
[0233]
形成在发光元件层120的前表面上的多个内光学图案nlp使从发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个发射的光会聚并将会聚的光发射到填充在光阻挡壁ppw之间的区域中的基体树脂brs。因此，光学图案层140允许从发光元件le1、le2、le3和le4发射的光在形成基体树脂brs所沿的向上方向上会聚而不在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的上部中散射，并且可以输出到外部。
[0234]
内光学图案nlp中的每个可以选择性地设置在发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个上。内光学图案nlp可以具有在上方向上(例如，在朝向光学图案层140的方向上)突出的形状。例如，内光学图案nlp可以形成并且设置为具有凸透镜形状的剖面，凸透镜在保护层cec的方向上水平地附着并且在朝向光学图案层140的方向上突出。内光学图案nlp可以在被粘合构件oc覆盖的同时通过粘合构件oc设置在发光元件le1至le4的前表面上。内光学图
案nlp的宽度可以等于、大于或小于发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的宽度。因此，内光学图案nlp允许发射到发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个的上部的光在基体树脂brs的方向上会聚而不被散射。
[0235]
内光学图案nlp的折射率比粘合构件oc的折射率大，使得从发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个发射的光可以以在穿过粘合构件oc与内光学图案nlp之间的边界的同时被会聚的程度而被折射。
[0236]
图29是用于解释结合图28中所示的显示面板的方法的剖视图。
[0237]
参照图29，可以在半导体电路板110上形成导电连接层130和包括内光学图案nlp的发光元件层120，可以在透明玻璃g上单独地形成光学图案层140。另外，可以以光学图案层140面对(或相对)并粘合到半导体电路板110的发光元件层120的前表面的方式制造显示面板100。
[0238]
例如，可以在半导体电路板110上形成导电连接层130和发光元件层120，可以在发光元件层120的不与导电连接层130接触的前表面上进一步形成能够保护发光元件层120的发光元件le1、le2、le3和le4并增强硬度的保护层cec。另外，在保护层cec的前表面上设置多个内光学图案nlp，以与发光元件le1、le2、le3和le4对应。每个内光学图案nlp可以具有粘合到保护层cec的平坦表面，并且可以以在朝向光学图案层140的方向上突出的凸透镜形状设置。在包括多个内光学图案nlp的保护层cec的前表面上施加并形成粘合构件oc，以粘合到光学图案层140。
[0239]
另一方面，在单独的透明玻璃g中，在分别与发光元件层120的分隔壁pw对应的区域中形成多个光阻挡构件bm，可以在与相应的光阻挡构件bm对应的区域中形成多个光阻挡壁ppw。因此，每个光阻挡壁ppw可以设置在与发光元件层120的分隔壁pw对应的区域中。在光阻挡壁ppw之间的作为与发射区域ea1、ea2、ea3和ea4中的每个对应的前表面区域的区域中填充基体树脂brs。基体树脂brs可以选择性地包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。因此，可以通过粘合构件oc将光学图案层140粘合并安置到发光元件层120的前表面上同时彼此面对(或相对)，发光元件层120具有形成在其上的多个内光学图案nlp和粘合构件oc。
[0240]
图30是作为图28的内部透镜形成区域的区域f的放大剖视图。
[0241]
参照图30，从发射区域ea1、ea2、ea3和ea4的发光元件le1至le4发射的光主要通过保护层cec会聚，并且在穿过每个内光学图案nlp时被折射。然后，光通过粘合构件oc以及每个内光学图案nlp被二次会聚，然后发射到基体树脂brs。
[0242]
如下表2中所示，保护层cec具有最低的透光率，并且可以具有比粘合构件oc或内光学图案nlp的折射率高的折射率。另外，粘合构件oc具有比多个内光学图案nlp的折射率低的折射率。
[0243]
[表2]
[0244] 折射率最佳折射率oc1.5(低)1.1(1.5
↓
或更小)透镜1.8(高)2.4(1.8
↑
或更大)未掺杂的gan2.4
↑
(高)与左侧相同
[0245]
因此，在从保护层cec散射的光之中的在内光学图案nlp的横向方向上倾斜行进的光(即，穿过保护层cec的光)可以在内光学图案nlp和粘合构件oc的其中相对于上方向(即，
第三方向dr3)的角度减小的方向上会聚。当光通过每个内光学图案nlp和粘合构件oc行进到基体树脂brs时，所述光可以以其在穿过每个内光学图案nlp、粘合构件oc和基体树脂brs之间的边界的同时被会聚的程度被进一步折射。
[0246]
图31中的(a)至(e)是光学图案的各种修改的透视图。
[0247]
参照图31中的(a)至(e)，设置在相应的发射区域ea1、ea2、ea3和ea4上的各个光学图案lp_2a、lp_2b、lp_2c、lp_2d和lp_2e以及内光学图案nlp可以具有向上突出的形状。根据图31中的(a)的实施例的光学图案lp_2a和内光学图案nlp可以具有在上方向上突出的凸透镜形状，根据图31中的(b)的光学图案lp_2b和内光学图案nlp可以具有棱镜形状。多个光学图案lp_2b和内光学图案nlp均可以在第二方向dr2上延伸，并且可以沿着第一方向dr1布置。根据图31中的(c)的光学图案lp_2c和内光学图案nlp可以具有在上方向上突出的半球形形状。根据图31中的(d)的光学图案lp_2d和内光学图案nlp可以具有在上方向上突出的六棱锥形状。根据图31中的(e)的光学图案lp_2e和内光学图案nlp可以具有在上方向上突出的四棱锥形状。
[0248]
图32是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的虚拟现实装置的图。
[0249]
参照图32，根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1可以是以眼镜的形式的装置。根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1包括显示装置10_1、左眼镜片10a、右眼镜片10b、支撑框架20、眼镜腿30a和30b、反射构件40以及显示装置容纳部50。
[0250]
在图32中，示出了包括眼镜腿30a和30b的虚拟现实装置1，但是根据实施例的虚拟现实装置1可以应用于包括允许头戴式显示器佩戴在头部上的头戴带(代替眼镜腿30a和30b)的头戴式显示器。也就是说，根据一个或更多个实施例的虚拟现实装置1不限于图32中所示的虚拟现实装置，并且可以以各种其他形式应用于各种的电子装置。
[0251]
显示装置容纳部50可以包括显示装置10_1和反射构件40。显示在显示装置10_1上的图像可以被反射构件40反射并通过右眼镜片10b提供到用户的右眼。因此，用户可以用右眼观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
[0252]
尽管图32示出了显示装置容纳部件50设置在支撑框架20的右端处，但是本公开的实施例不限于此。例如，显示装置容纳部件50可以设置在支撑框架20的左端处。在这种情况下，显示在显示装置10_1上的图像被反射构件40反射并通过左眼镜片10a提供到用户的左眼。因此，用户可以用左眼观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。可选地，显示装置容纳部50可以设置在支撑框架20的左端和右端两者处。在这种情况下，用户可以用左眼和右眼两者观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
[0253]
图33是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的智能装置的视图。
[0254]
参照图33，根据一个或更多个实施例的显示装置10_2可以应用于作为智能装置的智能手表2。
[0255]
图34是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的车辆仪表板和中央仪表盘的视图。
[0256]
参照图34，示出了根据一个或更多个实施例的显示装置10_a、10_b、10_c、10_d和10_e应用到其的车辆。根据一个或更多个实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆仪表板、车辆的中央仪表盘或设置在车辆仪表板上的中央信息显示器(cid)。可选地，它们可以用作显示装置10_c。可选地，根据一个或更多个实施例的显示装置10_d和10_e可
以应用于代替车辆的侧视镜的室内镜显示器。
[0257]
图35是示出包括根据一个或更多个实施例的显示装置的透明显示装置的图。
[0258]
参照图35，根据一个或更多个实施例的显示装置10_3可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以在显示图像im的同时允许光透射通过透明显示装置。因此，位于透明显示装置的前方的用户不仅可以观看显示在显示装置10_3上的图像im，而且还可以看到位于透明显示装置的后表面上的对象或背景。当显示装置10_3应用于透明显示装置时，显示装置10_3的第一基底可以包括能够透射光的透光部分，或者可以由能够透射光的材料形成。
[0259]
根据本公开的实施例，显示装置可以改善超小型发光二极管的发射效率。
[0260]
然而，本公开的实施例的效果、方面和特征不限于这里阐述的效果、方面和特征。通过参照权利要求书，本公开的实施例的以上和其他效果、方面和特征对于实施例所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
[0261]
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本公开的原理的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，本公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。