载流子输运仿真方法、装置、介质及电子设备与流程

1.本发明属于量子仿真计算技术领域，特别是载流子输运仿真方法、装置、介质及电子装置。


背景技术：

2.现代集成电路作为电子信息设备的核心取得了广泛的应用，其稳定性一直得到各界关注。随着现代集成电路工艺特征尺寸的不断缩小，量子效应对集成电路中包括的半导体器件电学性能的影响越来越显著。电学性能由半导体器件中载流子(物理学中将电子和空穴统称为载流子)的输运决定，对半导体器件中载流子输运的研究程度决定了未来集成电路的发展。目前对半导体器件中载流子输运的研究缺乏一个行之有效的方法。


技术实现要素：

3.本发明的目的是提供一种载流子输运仿真方法、装置、介质及电子设备，旨在加强对半导体器件中载流子输运的研究。
4.本技术的一个实施例提供了一种载流子输运仿真方法，该方法包括：
5.确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定半经典模型对应的泊松方程；
6.基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。
7.可选的，所述泊松方程为：
[0008][0009]
其中，所述为含的拉普拉斯算子，所述为所述半导体器件的相对静态介电常数，所述为待确定的静电势，所述ε0为真空介电常数，所述q为载流子电荷量，所述为载流子密度。
[0010]
可选的，所述为：
[0011][0012]
其中，所述为与空间相关的定向有效质量，所述为约化普朗克常数，所述kb为玻尔兹曼常数，所述t为以开尔文为单位的温度，所述f
1/2
为二分之一阶的费米-狄拉克积分，所述为电化学势，所述为导带边缘的能量，所述所述e为元电荷，所述为载流子亲和力。
[0013]
可选的，所述确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，包括：
[0014]
构建半导体器件的几何模型；
[0015]
基于有限体积法将所述几何模型网格化，得到多个第一控制体积；
[0016]
确定每个所述第一控制体积的初始条件和/或边界条件。
[0017]
可选的，所述基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度，包括：
[0018]
基于每个所述第一控制体积的初始条件和/或边界条件、所述泊松方程确定数值矩阵形式的解析方程组；
[0019]
对所述数值矩阵形式的解析方程组进行变换，得到残差形式的解析方程组；
[0020]
基于牛顿迭代算法对所述残差形式的方程组进行求解，得到第一静电势；
[0021]
基于所述第一静电势确定所述半导体器件中的载流子密度。
[0022]
可选的，所述基于所述第一静电势确定所述半导体器件中的载流子密度，包括：
[0023]
将所述第一静电势作为所述待确定的静电势代入所述得到所述半导体器件中的载流子密度。
[0024]
可选的，所述基于所述第一静电势确定所述半导体器件中的载流子密度，包括：
[0025]
基于所述第一静电势确定所述几何模型中静电势密度大于或等于预设阈值的目标区域；
[0026]
基于有限体积法将所述目标区域网格化，得到多个第二控制体积，所述第二控制体积小于所述第一控制体积；
[0027]
基于多个所述第二控制体积确定第二静电势，所述第二静电势的空间分布准确性大于所述第一静电势的空间分布准确性；
[0028]
将所述第二静电势作为所述待确定的静电势代入所述得到所述半导体器件中的载流子密度。
[0029]
本技术的又一实施例提供了一种载流子输运仿真装置，所述装置包括：
[0030]
输入确定单元，用于确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定半经典模型对应的泊松方程；
[0031]
输出确定单元，用于基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。
[0032]
本技术的又一实施例提供了一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行上述任一项中所述的方法。
[0033]
本技术的又一实施例提供了一种电子装置，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述任一项中所述的方法。
[0034]
与现有技术相比，本发明提供的一种载流子输运仿真方法，将半经典模型对应的泊松方程和半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件结合，从而确定该半导体器件中的载流子密度，以实现半导体器件中载流子输运的仿真，进而实现了对半导体器件中载流子输运的研究。
附图说明
[0035]
图1为本发明实施例提供的一种载流子输运仿真方法的计算机终端的硬件结构框图；
[0036]
图2为本发明实施例提供的一种载流子输运仿真方法的流程示意图；
[0037]
图3为本发明实施例提供的一种第一控制体积的结构示意图；
[0038]
图4为本发明实施例提供的一种载流子输运仿真装置的结构示意图。
具体实施方式
[0039]
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
[0040]
本发明实施例首先提供了一种载流子输运仿真方法，该方法可以应用于电子装置，如计算机终端，具体如普通电脑、量子计算机等。
[0041]
下面以运行在计算机终端上为例对其进行详细说明。图1为本发明实施例提供的一种载流子输运仿真方法的计算机终端的硬件结构框图。如图1所示，计算机终端可以包括一个或多个(图1中仅示出一个)处理器102(处理器102可以包括但不限于微处理器mcu或可编程逻辑器件fpga等的处理装置)和用于存储基于载流子输运仿真方法的存储器104，可选地，上述计算机终端还可以包括用于通信功能的传输装置106以及输入输出设备108。本领域普通技术人员可以理解，图1所示的结构仅为示意，其并不对上述计算机终端的结构造成限定。例如，计算机终端还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。
[0042]
存储器104可用于存储应用软件的软件程序以及模块，如本技术实施例中的载流子输运仿真方法对应的程序指令/模块，处理器102通过运行存储在存储器104内的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理，即实现上述的方法。存储器104可包括高速随机存储器，还可包括非易失性存储器，如一个或者多个磁性存储装置、闪存、或者其他非易失性固态存储器。在一些实例中，存储器104可进一步包括相对于处理器102远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至计算机终端。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
[0043]
传输装置106用于经由一个网络接收或者发送数据。上述的网络具体实例可包括计算机终端的通信供应商提供的无线网络。在一个实例中，传输装置106包括一个网络适配器(network interface controller，nic)，其可通过基站与其他网络设备相连从而可与互联网进行通讯。在一个实例中，传输装置106可以为射频(radio frequency，rf)模块，其用于通过无线方式与互联网进行通讯。
[0044]
需要说明的是，真正的量子计算机是混合结构的，它包含两大部分：一部分是经典计算机，负责执行经典计算与控制；另一部分是量子设备，负责运行量子程序进而实现量子计算。而量子程序是由量子语言如qrunes语言编写的一串能够在量子计算机上运行的指令序列，实现了对量子逻辑门操作的支持，并最终实现量子计算。具体的说，量子程序就是一系列按照一定时序操作量子逻辑门的指令序列。
[0045]
在实际应用中，因受限于量子设备硬件的发展，通常需要进行量子计算模拟以验证量子算法、量子应用等等。量子计算模拟即借助普通计算机的资源搭建的虚拟架构(即量
子虚拟机)实现特定问题对应的量子程序的模拟运行的过程。通常，需要构建特定问题对应的量子程序。本发明实施例所指量子程序，即是经典语言编写的表征量子比特及其演化的程序，其中与量子计算相关的量子比特、量子逻辑门等等均有相应的经典代码表示。
[0046]
量子线路作为量子程序的一种体现方式，也称量子逻辑电路，是最常用的通用量子计算模型，表示在抽象概念下对于量子比特进行操作的线路，其组成包括量子比特、线路(时间线)、以及各种量子逻辑门，最后常需要通过量子测量操作将结果读取出来。
[0047]
不同于传统电路是用金属线所连接以传递电压信号或电流信号，在量子线路中，线路可看成是由时间所连接，亦即量子比特的状态随着时间自然演化，在这过程中按照哈密顿运算符的指示，一直到遇上逻辑门而被操作。
[0048]
一个量子程序整体上对应有一条总的量子线路，本发明所述量子程序即指该条总的量子线路，其中，该总的量子线路中的量子比特总数与量子程序的量子比特总数相同。可以理解为：一个量子程序可以由量子线路、针对量子线路中量子比特的测量操作、保存测量结果的寄存器及控制流节点(跳转指令)组成，一条量子线路可以包含几十上百个甚至成千上万个量子逻辑门操作。量子程序的执行过程，就是对所有的量子逻辑门按照一定时序执行的过程。需要说明的是，时序即单个量子逻辑门被执行的时间顺序。
[0049]
需要说明的是，经典计算中，最基本的单元是比特，而最基本的控制模式是逻辑门，可以通过逻辑门的组合来达到控制电路的目的。类似地，处理量子比特的方式就是量子逻辑门。使用量子逻辑门，能够使量子态发生演化，量子逻辑门是构成量子线路的基础，量子逻辑门包括单比特量子逻辑门，如hadamard门(h门，阿达马门)、泡利-x门(x门)、泡利-y门(y门)、泡利-z门(z门)、rx门、ry门、rz门等等；多比特量子逻辑门，如cnot门、cr门、iswap门、toffoli门等等。量子逻辑门一般使用酉矩阵表示，而酉矩阵不仅是矩阵形式，也是一种操作和变换。一般量子逻辑门在量子态上的作用是通过酉矩阵左乘以量子态右矢对应的矩阵进行计算。
[0050]
参见图2，图2为本发明实施例提供的一种载流子输运仿真方法的流程示意图，可以包括如下步骤：
[0051]
步骤201：确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定半经典模型对应的泊松方程。
[0052]
其中，载流子为电流的载体；半导体器件中，载流子包括两种类型：电子和空穴。
[0053]
其中，对于随着时间发展变化的物理过程，某一时刻的状态将影响该时刻以后的过程，该时刻的状态便是初始条件；边界条件是指在求解区域边界上所求解的变量或其导数随着时间和地点的变化规律。边界条件包括给定端点值的第一类边界条件，给定梯度值的第二类边界条件，给定端点值和梯度值的第三类边界条件。本发明中所述的边界条件可以为上述三种边界条件中的任意一种，在此不作限定。
[0054]
具体的，泊松方程为：
[0055][0056]
其中，所述为含的拉普拉斯算子，所述为所述半导体器件的相对静态介电常数，所述为待确定的静电势，所述ε0为真空介电常数，所述q为
载流子电荷量，所述为载流子密度。
[0057]
其中，为：
[0058][0059]
其中，所述为与空间相关的定向有效质量，所述为约化普朗克常数，所述kb为玻尔兹曼常数，所述t为以开尔文为单位的温度，所述f
1/2
为二分之一阶的费米-狄拉克积分，所述为电化学势，所述为导带边缘的能量，所述所述e为元电荷，所述为载流子亲和力。
[0060]
其中，ε0、q均为已知的参数，与位置处的半导体器件材料性质相关，例如同一材料中若是各向同性，则si的εr为11.8，gaas的εr为12.8，4h-sic的εr为9.7，gan的εr为9；ε0＝8.854187817
×
10-12
f/m，q＝1.6
×
10-19
c，kb＝1.380649
×
10-23
j/k,与输入的激励电压v和位置相关，电子e与电压v组成的ev为能量的单位；对于各向同性的半导体器件，其空间各个方向的定向有效质量相等，对于各向异性的半导体器件，则定向有效质量与其位置处的物理材料性质有关。
[0061]
具体的，可以构建半导体器件的几何模型；基于有限体积法将所述几何模型网格化，得到多个第一控制体积；确定每个所述第一控制体积的初始条件和/或边界条件。
[0062]
示例性的，如图3所示，图3为本发明实施例提供的一种第一控制体积的结构示意图，图3左边为本发明实施例提供的一种第一控制体积的三维立体图，图3右边为本发明实施例提供的一种第一控制体积的二维平面图。如图3左边所示，第一控制体积的中心p(图中未示出)的西部、东部、背部、南部、底部和顶部的第一控制体积中心分别对应为w、e、n、s、b和t；如图3右边所示，其中，w、e、n、s、b、t分别为第一控制体积的中心p与w、e、n、s、b、t交界面对应的中心点，p的长δx为[b,t]，p的宽δy为[w,e]，p的高δz为[s,n]，p的体积d
p
＝[b,t]
×
[w,e]
×
[s,n]，其中，b、t和δx未示出。
[0063]
需要说明的是，几何模型被划分为多个与p类似的第一控制体积，每个第一控制体积可以相等，也可以不等；一般来说，只有端点(或是边缘)处的第一控制体积才存在边界条件，几何模型内部其他的第一控制体积不存在边界条件。
[0064]
可以看出，通过有限体积法可以将几何模型划分成多个控制体积，从而方便后续通过积分形式的守恒方程来构建泊松方程的离散方程，从而实现泊松方程的求解。
[0065]
步骤202：基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。
[0066]
具体的，可以基于每个所述第一控制体积的初始条件和/或边界条件、所述泊松方程确定数值矩阵形式的解析方程组；对所述数值矩阵形式的解析方程组进行变换，得到残差形式的解析方程组；基于牛顿迭代算法对所述残差形式的方程组进行求解，得到第一静电势；基于所述第一静电势确定所述半导体器件中的载流子密度。
[0067]
示例性的，网格化后，包含参数(α
x
、αy、αz)的离散拉普拉斯算子为
[0068][0069]
对于上述图3中的p，由定积分的基本性质：
[0070][0071]
取积分平均上式转化为：
[0072][0073]
运用一阶导的中心差分近似
[0074][0075]
从而可以得出
[0076][0077]
其中的[α
x
]
b,t
、[αy]
w,e
、[αz]
s,n
可由通量守恒计算得到。
[0078]
定义
[0079][0080][0081]
从而上式可以简记为
[0082][0083]
对于泊松方程：
[0084]
α
x
＝-ε
x
，αy＝-εy，αz＝-εz[0085]
对于网格化的多个第一cv(控制体积,control volume)，则可以得到多个上述方
程，将多个上述方程转换到数值矩阵的形式的解析方程组：
[0086][0087]
其中，解析函数离散化为列向量为来自边界条件固定的向量。[m]为关于βi(其中，i＝p，t，b，e，w，n，s)的7对角的矩阵，为的非线性函数，写作残差形式的方程组:
[0088][0089]
上述残差形式的方程组，可以通过牛顿迭代法进行求解，牛顿迭代法如下：
[0090][0091]
其中，j为雅克比矩阵；为给定的初始值；通过不断迭代，直至收敛，可以计算出上述关系的数值解,从而得到第一静电势。
[0092]
可以看出，对于非线性的泊松方程，首先将离散化的方程组写成数值矩阵形式的解析方程组，然后对数值矩阵形式的解析方程组进行变换，得到残差形式的解析方程组，最后通过牛顿迭代算法对残差形式的方程组进行求解，实现了电势的确定。
[0093]
进一步地，将所述第一静电势作为所述待确定的静电势代入所述得到所述半导体器件中的载流子密度。
[0094]
将第一静电势作为代入从而可以得到：
[0095][0096]
在本发明的另一具体实施例中，可以基于所述第一静电势确定所述几何模型中静电势密度大于或等于预设阈值的目标区域；基于有限体积法将所述目标区域网格化，得到多个第二控制体积，所述第二控制体积小于所述第一控制体积；基于多个所述第二控制体积确定第二静电势，所述第二静电势的空间分布准确性大于所述第一静电势的空间分布准确性；将所述第二静电势作为所述待确定的静电势代入所述得到所述半导体器件中的载流子密度。
[0097]
需要说明的是，预设阈值是预先给定的；确定第二静电势的方法可以是与上述半经典模型下求解方式(继续采用泊松方程)相同，也可以是通过其他方式去确定。
[0098]
可以看出，先基于有限体积法对几何模型网格化，得到较大的第一控制体积，这样得到的离散化方程的数量较小，离散化的方程组的维度也较小，从而可以快速求解出一个粗略的电势值；然后根据粗略的电势值找到电势值较大的目标区域，对目标区域再次网格化，得到较小的第二控制体积，由于不是对几何模型所有的区域都进行网格化，这样还是可以保持离散化的方程组的维度较小，从而得到这部分区域的精确的电势值；对于电势较低
区域拟合点的数量对拟合精度影响不大，对于电势较高区域拟合点的数量对拟合精度影响较大，我们这里对电势低的非目标区域采用的是较少的拟合点(第一控制体积大于第二控制体积，几何模型非目标区域规模一定，因此相对于第二次网格化，本次网格化后的拟合点较少)，对电势低的非目标区域采用的是较多的拟合点(第二控制体积小于第一控制体积，几何模型的目标区域规模一定，因此相对于第一次网格化，本次网格化后的拟合点更多)，从而实现了在提高电势空间分布准确性的同时，兼顾了计算速度。
[0099]
在本发明的又一具体实施例中，可以基于求解出来的载流子密度确定所述几何模型中载流子密度大于或等于预设阈值的目标区域；基于有限体积法将所述目标区域网格化，得到多个第三控制体积，所述第三控制体积小于所述第一控制体积；基于多个所述第三控制体积确定新的载流子密度，将新的载流子密度作为所述半导体器件中的载流子密度。
[0100]
需要说明的是，本实施例中的预设阈值、目标区域与上一实施例中的预设阈值、目标区域可以相同也可以不同，为了区别，例如上一实施例中的预设阈值为第一预设阈值，目标区域为第一目标区域；本实施例中的预设阈值为第二预设阈值，目标区域为第二目标区域。
[0101]
还需要说明的是，本实施例确定新的载流子密度的方式例如可以为通过泊松方程确定，还可以通过泊松方程与薛定谔方程确定。对于不同的物理仿真模型，薛定谔方程形式是不同的，例如开放物理模型对应的薛定谔方程不同于封闭物理模型对应的薛定谔方程形式。
[0102]
下面以开放量子模型下载流子密度的求解举例说明，具体步骤如下：
[0103]
确定每个所述第三控制体积的初始条件和/或边界条件；确定开放量子模型对应的薛定谔方程；基于每个所述第三控制体积的初始条件和/或边界条件、所述薛定谔方程确定第二静电势。
[0104]
其中，第二控制体积的初始条件和/或边界条件可以与第一控制体积的初始条件和/或边界条件相同，也可以不同，在此不作限定。
[0105]
其中，所述薛定谔方程为：
[0106][0107]
其中，所述(e iη)为能量，所述为含的拉普拉斯算子，所述为约化普朗克常数，所述为与空间相关的定向有效质量，所述为能量对应的单格林函数，所述为狄拉克函数；所述是有效势能函数，所述所述为载流子亲和力，所述为交换相关函数，所述为第二静电势，所述为开放量子模型下的载流子密度。
[0108]
其中，所述为：
[0109][0110]
其中，所述f
we
(μ
we
,e)、所述f
ea
(μ
ea
,e)分别为在所述几何模型的we端口、ea端口的费米函数，所述μ
we
、所述分别为所述we端口、所述ea端口的电化学势，所述
we
,(e)、所述
ea
(e)分别为所述we端口、所述ea端口的展宽函数。
[0111]
通过上述方法可以求解出第二静电势然后将作为代入从而可以得到：
[0112][0113]
与现有技术相比，本发明提供的一种载流子输运仿真方法，将半经典模型对应的泊松方程和半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件结合，从而确定该半导体器件中的载流子密度，以实现半导体器件中载流子输运的仿真，进而实现了对半导体器件中载流子输运的研究。
[0114]
参见图4，图4为本发明实施例提供的一种载流子输运仿真装置的结构示意图，与图2所述的流程相对应，所述装置包括：
[0115]
输入确定单元401，用于确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定半经典模型对应的泊松方程；
[0116]
输出确定单元402，用于基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。
[0117]
具体的，所述泊松方程为：
[0118][0119]
其中，所述为含的拉普拉斯算子，所述为所述半导体器件的相对静态介电常数，所述为待确定的静电势，所述ε0为真空介电常数，所述q为载流子电荷量，所述为载流子密度。
[0120]
具体的，所述为：
[0121][0122]
其中，所述为与空间相关的定向有效质量，所述为约化
普朗克常数，所述kb为玻尔兹曼常数，所述t为以开尔文为单位的温度，所述f
1/
为二分之一阶的费米-狄拉克积分，所述为电化学势，所述为导带边缘的能量，所述所述e为电子，所述为载流子亲和力。
[0123]
具体的，在所述确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件方面，所述输入确定单元401，具体用于：
[0124]
构建半导体器件的几何模型；
[0125]
基于有限体积法将所述几何模型网格化，得到多个第一控制体积；
[0126]
确定每个所述第一控制体积的初始条件和/或边界条件。
[0127]
具体的，在所述基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度方面，所述输出确定单元402，具体用于：
[0128]
基于每个所述第一控制体积的初始条件和/或边界条件、所述泊松方程确定数值矩阵形式的解析方程组；
[0129]
对所述数值矩阵形式的解析方程组进行变换，得到残差形式的解析方程组；
[0130]
基于牛顿迭代算法对所述残差形式的方程组进行求解，得到第一静电势；
[0131]
基于所述第一静电势确定所述半导体器件中的载流子密度。
[0132]
具体的，在所述基于所述第一静电势确定所述半导体器件中的载流子密度方面，所述输出确定单元402，具体用于：
[0133]
将所述第一静电势作为所述待确定的静电势代入所述得到所述半导体器件中的载流子密度。
[0134]
具体的，在所述基于所述第一静电势确定所述半导体器件中的载流子密度方面，所述输出确定单元402，具体用于：
[0135]
基于所述第一静电势确定所述几何模型中静电势密度大于或等于预设阈值的目标区域；
[0136]
基于有限体积法将所述目标区域网格化，得到多个第二控制体积，所述第二控制体积小于所述第一控制体积；
[0137]
基于多个所述第二控制体积确定第二静电势，所述第二静电势的空间分布准确性大于所述第一静电势的空间分布准确性；
[0138]
将所述第二静电势作为所述待确定的静电势代入所述得到所述半导体器件中的载流子密度。
[0139]
与现有技术相比，本发明提供的一种载流子输运仿真方法，将半经典模型对应的泊松方程和半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件结合，从而确定该半导体器件中的载流子密度，以实现半导体器件中载流子输运的仿真，进而实现了对半导体器件中载流子输运的研究。
[0140]
本发明的再一实施例提供了一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行上述任一项中方法实施例中的步骤。
[0141]
具体的，在本实施例中，上述存储介质可以被设置为存储用于执行以下步骤的计算机程序：
[0142]
确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定半经典模型
对应的泊松方程；
[0143]
基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。
[0144]
具体的，在本实施例中，上述存储介质可以包括但不限于：u盘、只读存储器(read-only memory，简称为rom)、随机存取存储器(random access memory，简称为ram)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储计算机程序的介质。
[0145]
本发明的再一实施例还提供了一种电子装置，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述任一项中方法实施例中的步骤。
[0146]
具体的，上述载流子装置还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。
[0147]
具体的，在本实施例中，上述处理器可以被设置为通过计算机程序执行以下步骤：
[0148]
确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定半经典模型对应的泊松方程；
[0149]
基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。
[0150]
以上依据图式所示的实施例详细说明了本发明的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本发明的较佳实施例，但本发明不以图面所示限定实施范围，凡是依照本发明的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本发明的保护范围内。