半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；常开型gan元件，形成于所述基板上；低压硅场效晶体管，耦接至所述常开型gan元件；以及金属栅极mosfet，形成所述基板上，其中所述金属栅极mosfet的金属栅极与源极耦接至所述低压硅场效晶体管，且所述金属栅极mosfet的漏极耦接至所述常开型gan元件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述金属栅极mosfet的所述源极与所述金属栅极耦接至所述低压硅场效晶体管的源极。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述金属栅极mosfet的所述漏极耦接至所述常开型gan元件的源极。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述金属栅极mosfet还包括：多个第一导电型掺杂区，分别形成于所述金属栅极mosfet的所述金属栅极两侧的所述基板内；以及第二导电型掺杂区，形成于所述金属栅极mosfet的所述源极下方的所述基板内并且与所述金属栅极mosfet的所述金属栅极之间以所述第一导电型掺杂区隔开。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述低压硅场效晶体管的漏极耦接至所述常开型gan元件的源极。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述常开型gan元件包括：缓冲层，形成于所述基板的表面；信道层，形成于所述缓冲层上；障壁层，形成于所述信道层上；源极与漏极，穿过所述障壁层与所述信道层接触；以及栅极，形成于所述障壁层上。7.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；常开型gan元件，形成于所述基板上，其中所述常开型gan元件包括源极、漏极与栅极；以及金属栅极mosfet，形成所述基板上，其中所述金属栅极mosfet的金属栅极耦接至一控制端，所述金属栅极mosfet的源极与所述基板接触并耦接至所述常开型gan元件的所述栅极，且所述金属栅极mosfet的漏极与所述基板接触并耦接至所述常开型gan元件的所述源极。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述金属栅极mosfet与所述常开型gan元件具有相同的接地电位。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述金属栅极mosfet还包括：多个第一导电型掺杂区，分别形成于所述金属栅极mosfet的所述金属栅极两侧的所述基板内；以及第二导电型掺杂区，形成于所述金属栅极mosfet的所述源极下方的所述基板内并且与所述金属栅极mosfet的所述金属栅极之间以所述第一导电型掺杂区隔开。10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述常开型gan元件包括：
缓冲层，形成于所述基板的表面；信道层，形成于所述缓冲层上；障壁层，形成于所述信道层上；所述源极与所述漏极，穿过所述障壁层与所述信道层接触；以及所述栅极，形成于所述障壁层上。

技术总结
本发明提供一种半导体装置；其中半导体装置包括一基板、常开型GaN元件、低压硅场效晶体管与金属栅极MOSFET。低压硅场效晶体管耦接至所述常开型GaN元件，且常开型GaN元件与金属栅极MOSFET形成在同一基板。所述金属栅极MOSFET作为箝制二极管，因此其金属栅极与源极耦接至低压硅场效晶体管，且金属栅极MOSFET的漏极耦接至常开型GaN元件。在另一种半导体装置中，直接使用上述金属栅极MOSFET取代低压硅场效晶体管，以与常开型GaN元件构成共源共栅电路。以与常开型GaN元件构成共源共栅电路。以与常开型GaN元件构成共源共栅电路。


技术研发人员：温文莹
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2022/12/5