一种发光二极管衬底结构的制作方法

技术特征：
1.一种发光二极管衬底结构，包括衬底层(1)、外延层(7)、基板(2)、图形化衬底(3)、第一半导体层(8)、第一电极(11)、第二半导体层(10)、第二电极(12)、绝缘层(13)、有源层(9)、保护层(14)，其特征在于：所述衬底层(1)位于最底部，所述外延层(7)位于衬底层(1)的顶部，所述外延层(7)和衬底层(1)之间设有位于图形化衬底(3)顶部设置的多棱柱图形(4)。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管衬底结构，其特征在于：所述衬底层(1)包括位于最底部的基板(2)，所述基板(2)顶部设有图形化衬底(3)，所述图形化衬底(3)的长宽与基板(2)的长宽一致，所述图形化衬底(3)顶部固定有若干多棱柱图形(4)。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管衬底结构，其特征在于：所述多棱柱图形(4)包括若干棱台(5)和棱锥(6)，所述棱台(5)呈阵列的固定在图形化衬底(3)的顶部，所述若干棱台(5)顶部均固定有棱锥(6)，所述棱锥(6)底部与棱台(5)的顶部吻合。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管衬底结构，其特征在于：所述外延层(7)包括位于图形化衬底(3)和多棱柱图形(4)顶部的第一半导体层(8)，所述第一半导体层(8)顶部一侧开设有槽体，所述第一半导体层(8)顶部一侧的槽体内设有垂直于第一半导体层(8)的第二电极(12)。5.根据权利要求1所述的一种发光二极管衬底结构，其特征在于：所述外延层(7)还包括有源层(9)，所述有源层(9)设置在第一半导体层(8)顶部远离槽体的一侧，所述有源层(9)长宽与第一半导体层(8)远离槽体的一侧长宽一致，所述外延层(7)还包括第二半导体层(10)，所述第二半导体层(10)设置在有源层(9)的顶部，所述第二半导体层(10)的长宽与有源层(9)的长宽一致,所述第二半导体层(10)的顶部设有第一电极(11)，且第一电极(11)垂直于第二半导体层(10)。6.根据权利要求1所述的一种发光二极管衬底结构，其特征在于：所述外延层(7)还包括绝缘层(13)，所述绝缘层(13)包裹第一电极(11)和第二电极(12)，且位于第二半导体层(10)和第一半导体层(8)槽体的顶部，所述绝缘层(13)贴合在第二半导体层(10)的顶部和第一半导体层(8)槽体内，所述外延层(7)还包括保护层(14)，所述保护层(14)设置在绝缘层(13)顶部，且与绝缘层(13)吻合。

技术总结
本实用新型公开了一种发光二极管衬底结构，包括衬底层、外延层、基板、图形化衬底、第一半导体层、第一电极、第二半导体层、第二电极、绝缘层、有源层、保护层，所述衬底层位于最底部，所述外延层位于衬底层的顶部，所述外延层和衬底层之间设有位于图形化衬底顶部设置的多棱柱图形，有益效果是：该LED二极管衬底结构设置有图形化衬底，且图形化衬底顶部为若干阵列的多棱柱图形，多棱柱图形为底部是棱台和棱台顶部的棱锥，通过设置棱台和棱锥为不同反射率的材料，且具有不吸光的特性，能够增强光的反射效率和出光效果，有效的提高了LED二极管的发光效率。的发光效率。的发光效率。


技术研发人员：冯磊 李超 谈健 王杰
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
技术研发日：2022.11.21
技术公布日：2023/3/3