半导体设备的制作方法

技术特征：
1.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括真空本体及腔体盖(12)，所述真空本体内设置有朝上具有开口的真空腔体(11)，所述腔体盖(12)用于盖设在所述开口处，以闭合所述真空腔体(11)；所述真空本体具有开口一端内外套设有第一密封圈(13)及第二密封圈(14)的顶部，所述第一密封圈(13)与所述第二密封圈(14)间形成真空外腔体，用于测量真空腔体(11)内部的真空度的第一压力计(15)与所述真空腔体(11)的内部相连接，用于测量第一密封圈(13)和第二密封圈(14)之间的真空度的第二压力计(16)连接至所述第一密封圈(13)和第二密封圈(14)的间隙(18)中。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一密封圈(13)和第二密封圈(14)之间的间隙(18)为沟槽，所述沟槽的宽度和深度均大于等于1cm。3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一密封圈(13)和第二密封圈(14)包括含氟橡胶圈。4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述真空腔体(11)包括刻蚀腔体、薄膜沉积腔体、离子注入腔体、退火腔体、装载腔体和传送腔体中的任意一种。5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述腔体盖(12)上设置有对应所述第一密封圈(13)和第二密封圈(14)的卡槽，当所述腔体盖(12)覆盖所述真空腔体(11)时，所述第一密封圈(13)和第二密封圈(14)对应卡设于所述卡槽内。6.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一密封圈(13)和第二密封圈(14)之间的间隙(18)通过真空管路(19)连接至真空泵，且与所述真空腔体(11)连接至同一真空泵。7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述真空管路(19)上设置有隔离阀(20)。8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述真空管路(19)包括不锈钢管、铝合金管和钛合金管的任意一种。9.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述隔离阀(20)包括气动阀和/或电磁阀。10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括与所述第一压力计(15)和第二压力计(16)相连接，以基于所述第一压力计(15)和第二压力计(16)的检测结果判定所述半导体设备的泄漏情况的控制器。

技术总结
本申请提供一种半导体设备。设备包括真空本体及腔体盖，真空本体内设置有真空腔体，腔体盖用于盖设在开口处，真空本体具有开口一端内外套设有第一密封圈及第二密封圈的顶部，第一密封圈与第二密封圈间形成真空外腔体，用于测量真空腔体内部的真空度的第一压力计与真空腔体的内部相连接，用于测量第一密封圈和第二密封圈之间的真空度的第二压力计连接至第一密封圈和第二密封圈的间隙中。本申请可以有效提高真空腔体的密封性，确保半导体设备的真空度满足工艺要求，有助于提高生产良率；可以实现对检测设备的漏率的实时在线检测，进而判断密封圈是否出现损坏，达到及时止损的效果。达到及时止损的效果。达到及时止损的效果。


技术研发人员：沈峰 张学权 王立志
受保护的技术使用者：杭州富芯半导体有限公司
技术研发日：2022.10.13
技术公布日：2023/3/3