固态成像装置的制作方法

技术特征：
1.一种固态成像装置，包括：多个像素，每个所述像素输出入射光的亮度变化；以及检测电路，基于从每个所述像素输出的所述亮度变化输出事件信号，其中，每个所述像素包括：光电转换元件，根据入射光量产生电荷；对数转换电路，连接到所述光电转换元件，并将从所述光电转换元件流出的光电流转换为对应于所述光电流的对数值的电压信号；以及第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接至所述对数转换电路的感测节点。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述第一晶体管的源极连接到等于或高于参考电位并且低于电源电压的第一电位。3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，每个所述像素进一步包括第一电路，所述第一电路基于从所述对数转换电路输出的所述电压信号输出进入所述光电转换元件的所述入射光的所述亮度变化，以及所述检测电路包括第二电路，所述第二电路基于从每个所述像素输出的所述亮度变化输出所述事件信号。4.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述参考电位是负电位或地电位。5.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述第一电位是比在所述对数转换电路正常操作时所述感测节点的电位更低的电位。6.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述对数转换电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接至所述光电转换元件；以及第三晶体管，所述第三晶体管的源极连接至所述光电转换元件，所述第三晶体管的栅极连接至所述第二晶体管的漏极，以及所述感测节点是连接到所述第二晶体管的栅极的配线。7.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中，每个所述像素进一步包括第四晶体管，所述第四晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的源极，并且所述第四晶体管的源极连接至所述光电转换元件。8.根据权利要求7所述的固态成像装置，其中，每个所述像素还包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极连接到所述光电转换元件；以及读出电路，所述读出电路连接到所述第五晶体管的漏极，并且根据在所述光电转换元件中生成的电荷生成像素信号。9.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中，所述第一晶体管通过所述第五晶体管和所述第四晶体管连接至所述感测节点。10.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中，每个所述像素还包括第六晶体管，所述第六晶体管连接到所述第四晶体管的漏极和所述第五晶体管的漏极。11.根据权利要求10所述的固态成像装置，其中，所述第一晶体管通过所述第六晶体管连接至所述感测节点。
12.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中，所述读出电路包括其源极连接到所述第五晶体管的漏极并且其漏极连接到所述第一电位的所述第一晶体管。13.根据权利要求12所述的固态成像装置，其中，每个所述像素还包括第六晶体管，所述第六晶体管连接到所述第四晶体管的漏极和所述第五晶体管的漏极。14.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中，所述第一晶体管通过所述第四晶体管连接至所述感测节点。15.根据权利要求7所述的固态成像装置，其中，每个所述像素还包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极连接至所述第四晶体管的漏极；以及第六晶体管，所述第六晶体管的漏极连接至所述第四晶体管的漏极、所述第三晶体管的源极以及所述第二晶体管的栅极，并且所述第六晶体管的源极连接至所述第五晶体管的漏极，以及所述第一晶体管通过所述第六晶体管连接至所述感测节点。16.根据权利要求15所述的固态成像装置，其中，每个所述像素还包括读出电路，所述读出电路连接到所述第五晶体管的漏极并且根据在所述光电转换元件中生成的电荷生成像素信号，以及所述读出电路包括其源极连接到所述第五晶体管的漏极并且其漏极连接到所述第一电位的所述第一晶体管。17.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，每个所述像素进一步包括第五晶体管，所述第五晶体管的源极连接至所述光电转换元件，以及所述固态成像装置还包括共同连接所述多个像素中的所述第五晶体管的漏极的公共线。18.根据权利要求17所述的固态成像装置，进一步包括：读出电路，所述读出电路连接至所述公共线并且根据在每个所述像素的所述光电转换元件中生成的电荷生成像素信号。19.根据权利要求17所述的固态成像装置，其中，所述第一晶体管连接至所述公共线并且由所述多个像素共享。20.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，包括在所述多个像素的每一个中的所述光电转换元件在半导体基板的元件形成表面上布置成矩阵，以及所述第一晶体管在所述元件形成表面上设置在布置为所述矩阵的所述光电转换元件之间。

技术总结
本发明的目的在于抑制模式切换时的死区时间。根据本发明的一种固态成像装置包括：多个像素(300)，每个像素输出入射光的亮度变化；以及检测电路(305)，基于从每个像素输出的亮度变化来输出事件信号。每个像素包括：光电转换元件(311)，用于根据入射光量产生电荷；对数转换电路(312，313)，连接至光电转换元件，并将从光电转换元件流出的光电流转换为与所述光电流的对数值对应的电压信号；以及第一晶体管(318)，其漏极连接到对数转换电路的感测节点。其漏极连接到对数转换电路的感测节点。其漏极连接到对数转换电路的感测节点。


技术研发人员：井本努 池田裕介 丹羽笃亲 铃木敦史 江藤慎一郎 高宫健一 丸山卓哉 日吉连
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.04.23
技术公布日：2023/2/24