用于差分信号端口的高隔离转换设计的制作方法

用于差分信号端口的高隔离转换设计


背景技术：

1.一些设备(例如，雷达)使用电磁信号来检测和跟踪对象。例如，许多设备包括印刷电路板(pcb)上的单片式微波集成电路(mmic)，用于微波和/或雷达信号的模拟信号处理，诸如功率放大、混合等。基板集成波导(siw)提供了用于在mmic和天线之间路由微波和/或雷达信号的低成本且生产友好的机制。然而，将mmic信号端口连接到siw带来了挑战。为了说明，mmic通常包括用于接收和/或发射信号的差分信号端口，而siw传播单端信号。为了节省pcb上的空间，mmic的差分信号端口可被定位成靠近在一起，这可能导致信道之间的rf功率泄漏和信号劣化。屏蔽结构通过将辐射信号反射回源而进一步加剧了该问题，导致进一步的信号劣化，从而对雷达信号的检测/跟踪准确度和视场产生不利影响。


技术实现要素：

2.本文档描述了利用用于差分信号端口的高隔离转换设计的技术、装置和系统。在各方面中，差分输入转换结构包括第一层，第一层由导电金属制成，并且定位在差分输入转换结构的底部。差分输入转换结构还包括位于第一层上方(并且与之相邻)的基板和由导电金属制成的第二层，其中差分输入转换结构将第二层定位在基板上方并与之相邻。差分输入转换结构的第二层包括第一部分，该第一部分形成为将基板集成波导(siw)电连接到差分信号端口的第一接触点，第一部分包括基于siw的输入阻抗的第一残端(stub)和基于与差分信号端口相关联的差分输入阻抗的第二残端。差分输入转换结构的第二层还包括与第一部分分离的第二部分，其中第二部分形成为电连接到差分信号端口的第二接触点，并且通过通孔电连接到第一层。第二部分包括与差分输入阻抗相关联的第三残端和将通孔电连接到第二层的焊盘。
3.本发明内容介绍了与用于差分信号端口的高隔离转换设计相关的简化概念，在具体实施方式和附图中进一步描述该简化概念。本发明内容并非旨在标识出要求保护的主题的必要特征，也并非旨在用于确定要求保护的主题的范围。
附图说明
4.参考以下附图在本文档中描述了利用用于差分信号端口的高隔离转换设计的技术、装置和系统的细节。贯穿附图通常使用相同的数字来引用相似的特征和部件：图1示出了根据本公开内容的技术、装置和系统的包括差分输入转换结构的示例系统；图2示出了根据本公开内容的技术、装置和系统的包括差分输入转换结构的示例系统；图3示出了根据本公开内容的技术、装置和系统的包括mmic、一个或多个基板集成波导(siw)和一个或多个差分输入转换结构的示例印刷电路板(pcb)；以及图4示出了根据本公开内容的技术、装置和系统的包括一个或多个差分输入转换结构的示例系统。
具体实施方式
概述
5.许多行业使用雷达系统作为感测技术，包括汽车行业，以获取关于周围环境的信息。一些雷达系统包括印刷电路板(pcb)上的一个或多个单片式微波集成电路(mmic)，用于处理微波和/或雷达信号。为了说明，天线接收空中雷达信号，然后通过基板集成波导(siw)将其路由到mmic的接收器端口以用于处理，诸如将接收到的信号下变频为中频(if)信号的混合、放大发射信号的功率放大等。因此，siw在天线和mmic信号端口之间路由信号。
6.将mmic信号端口连接到siw带来了挑战。为了说明，mmic通常将信号端口实现为差分信号端口，而siw传播单端信号。通常，差分信号对应于差分信号对，其中信号处理聚焦于信号对之间的电差异，而不是单个信号和接地平面之间的电差异。相反，单端信号对应于参考接地平面的单个信号。转换结构将差分信号连接到单端信号和/或反之亦然。作为一个示例，转换结构将mmic差分信号端口连接到单端siw信号端口。替代地或附加地，其他示例包括(通过示例而非限制的方式)馈送差分天线的空气波导(例如，用于蜂窝通信)、低电压差分信号系统(lvds)、高电压(hvd)信号系统、音频系统、显示设备等。
7.当在pcb上使用时，许多因素会影响转换结构执行地有多好。为了说明，pcb通常空间有限，这会导致设计紧凑。包括多个差分信号端口的mmic可以将差分信号端口定位成靠近在一起。差分信号端口之间的较差隔离，以及将差分信号端口连接到siw的转换结构，可能导致不同信号之间的rf功率泄漏，并降低信号质量。屏蔽结构通过将辐射信号反射(泄漏的)回源而进一步加剧了该问题，导致进一步的信号劣化，从而对雷达信号的检测/跟踪准确度和视场产生不利影响。将mmic和天线放置在pcb的相对侧上也带来了挑战。用于通过pcb路由信号的垂直转换结构可能会导致不想要的射频(rf)功率损耗。此外，垂直转换结构设计利用多个pcb层(例如，大于二个)，这随着更多层被添加到垂直转换结构中而增加成本。
8.本文档描述了利用用于差分信号端口的高隔离转换设计(也被称为差分输入转换结构)的技术、装置和系统。在各方面中，第一层导电金属、第二层导电金属、以及被定位在第一层和第二层之间的基板形成两层、水平差分输入转换结构，该结构在信道之间提供高隔离，并且缓解降低信号质量的rf泄漏。两层、水平差分输入转换结构还适应将mmic和天线放置在同一侧上的pcb配置，从而缓解不想要的rf功率损耗。相对于使用多个pcb层(例如，大于两个)，使用两层也有助于降低生产成本。在其他方面中，差分输入转换结构可以使用将电磁信号馈送到其他低温共烧陶瓷(ltcc)结构(例如，天线、层压波导)的单层ltcc材料来实现。
9.作为差分输入转换结构的一个示例，两层、水平差分输入转换结构的第二层包括第一部分，第一部分形成为将siw电连接到差分信号端口的第一接触点，其中第一部分包括(i)基于siw的输入阻抗的第一残端，以及(ii)基于与差分信号端口相关联的差分输入阻抗的第二残端。两层、水平差分输入转换结构的第二层还包括第二部分，第二部分形成为电连接到差分信号端口的第二接触点，并且通过通孔电连接到第一层。在各方面中，第二部分包括与差分输入阻抗相关联的第三残端和将通孔电连接到第二层的焊盘。这只是所描述的用于差分信号端口的高隔离转换设计的技术、装置和系统的一个示例。本文档描述了其他的示例和实现。
示例系统
10.图1示出了根据本公开内容的技术、装置和系统的包括差分输入转换结构的示例系统100。系统包括使用第一层104、基板106和第二层108形成的设备102。系统使用导电材料和/或金属作为第一层104和第二层108，导电材料和/或金属可以包括铜、金、银、锡、镍、金属化合物、导电油墨等中的一种或多种。在一些方面中，第一层导电材料(例如，层104)包括接地平面。基板106包括介电材料，诸如层压件(例如，rogers ro3003)、锗、硅、二氧化硅、氧化铝等。
11.系统100包括由第一层104、基板106和第二层108构成的两层、水平差分输入转换结构110(差分输入转换结构110)。为了说明，差分输入转换结构使用第二层108形成第一部分112和第二部分114。第一部分包括具有基于接触点的阻抗特性的尺寸和/或形状的残端116，在此处示出为基板集成波导118(siw)。例如，siw 118的形状、尺寸和/或形式(例如，所包括的通孔数量、通孔之间的间距)可以基于由siw路由的信号的操作频率和/或频率范围。进而，这可以影响残端116的形状和/或尺寸。在各方面中，差分输入转换结构110将残端116放置在siw 118的入口处。第二部分114使用通孔120和焊盘122将第二层108电连接到第一层104。因为通孔120连接到第二层108和第一层104两者，并且假设第一层104包括接地平面，通孔120将信号路由到接地平面，这迫使信号发生180
°
相移，并允许单端信号和差分信号之间的转换。换句话说，引入180
°
相移允许差分信号在公共点处被相加在一起。差分输入转换结构110还将第二部分114或焊盘112从siw 118分离，以使得焊盘122与siw 118断连(电断连)并且与siw 118分离。形成差分输入转换结构110的第二部分的第二层的部分和/或焊盘不物理接触形成siw 118的一部分的第二层的部分。
12.图2示出了包括使用用于差分信号端口的高隔离转换设计的各方面来实现的差分输入转换结构202的示例系统200的局部视图。一些方面使用关于图1的两层、水平差分输入转换结构110所描述的技术来实现差分输入转换结构202。在系统200中，差分输入转换结构202的第一端连接到siw 204，并且差分输入转换结构202的第二端连接到mmic 208的差分信号端口206。换句话说，差分输入转换结构202使用差分信号端口206在siw 204和mmic 208之间连接和路由信号。
13.差分输入转换结构的第一部分210(例如，使用pcb的第二层形成)包括放置在siw 204的入口处的第一残端212和连接到差分信号端口206的第一信号球216的第二残端。差分输入转换结构202的第二部分218(例如，也使用pcb的第二层形成)包括第三残端220和焊盘222。第三残端220连接到差分信号端口206的第二信号球224，而焊盘222使用通孔226将pcb的第二层电连接到pcb的第一层(未示出)。第一信号球216和第二信号球224在图2中使用虚线示出，以表示这些连接在mmic 208内和/或是mmic 208的一部分。与参考图1所描述的类似，焊盘222和siw 204彼此断开连接。
14.残端212的尺寸和/或形状可以基于多因素的组合。为了说明，残端212具有矩形形状，该矩形形状具有基于siw 204的输入阻抗的宽度228和高度230。替代地或附加地，残端212的尺寸和/或形状可以基于：用于形成差分输入转换结构202的基板(例如，基板106)的材料；基板的介电属性；通过差分输入转换结构202转换的信号的操作频率(例如，差分信号端口206和/或siw 204的操作频率)；用于形成差分输入转换结构202的第一层、基板和第二层的组合厚度等。作为一个示例，宽度228通常具有0.42毫米(mm)的长度，并且高度230通常
具有0.43mm的长度。术语“通常”表示真实世界的实现可以在误差阈值内高于或低于绝对值和确切值。为了说明，宽度228可以在误差阈值内为0.42mm，并且高度230可以在误差阈值内为0.43mm。
15.在各方面中，焊盘222的尺寸和/或形状可以基于通孔226的尺寸和/或形状。例如，在系统200中，焊盘222具有矩形形状，该矩形形状具有宽度232和高度234，其中宽度232通常具有0.35毫米(mm)的长度，并且高度234通常具有0.35mm的长度，每个都在误差阈值内。在一些方面中，误差阈值与误差百分比相对应，诸如0.1％误差、0.5％误差、1％误差、5％误差等。
16.残端214和/或残端220的尺寸和形状可以替代地或附加地基于差分信号端口206输入阻抗、基板材料、基板的介电属性、用于实现差分输入转换结构202的pcb的厚度、差分输入转换结构202、siw 204和/或差分信号端口206的操作频率等的任意组合。一些方面共同确定残端214和残端220的尺寸和/或形状。换句话说，残端214和220的尺寸和/或形状取决于彼此。作为一个示例，残端214和220的尺寸/或形状基于共同形成用于由mmic 208通过信号球216和224发射/或接收的微波和/或雷达信号的四分之一波阻抗变压器。示例频率范围包括定义为40-100千兆赫(ghz)的毫米波段、定义为25.5-40ghz的ka波段、定义为18-26.6ghz的k波段和定义为12.5-18ghz的ku波段。
17.图3示出了根据本公开内容的技术、装置和系统的包括差分输入转换结构的示例系统300的局部视图。示例系统300包括嵌入在pcb 304上的mmic 302，pcb 304具有以下多个差分信号端口：三个发射差分信号端口306和四个接收差分信号端口308。mmic 302的每个差分信号端口使用带延迟巴伦结构或差分输入转换结构连接到相应siw。如以下进一步所描述的，差分输入转换结构和带延迟巴伦结构的组合和放置有助于改善发射信道和/或接收信道之间的隔离。
18.发射基板集成波导310(tx siw 310)连接到第一带延迟巴伦结构312，发射基板集成波导314(tx siw 314)连接到第一差分输入转换结构316，并且发射基板集成波导318(tx siw 318)连接到第二带延迟巴伦结构320。第一带延迟巴伦结构312、第一差分输入转换结构316和第二带延迟巴伦结构320各自连接到发射差分信号端口306的相应发射差分信号球对。以类似的方式，接收基板集成波导322(rx siw 322)、接收基板集成波导324(rx siw 324)、接收基板集成波导326(rx siw 326)和接收基板集成波导328(rx siw 328)各自分别使用带延迟巴伦结构或差分输入转换结构连接到接收差分信号端口308的相应接收差分信号球对。到siw(例如，接收siw、发射siw)的每个连接，无论是使用差分输入转换结构还是使用带延迟巴伦结构，都与单端信号连接相对应。类似地，到差分信号端口的每个连接，无论是使用差分输入转换结构还是使用带延迟巴伦结构，都与差分信号连接相对应。
19.差分输入转换结构和带延迟巴伦结构的组合和放置有助于改善信号信道之间的隔离。作为一个示例，图像330中所示的组合将具有不同辐射图案的结构彼此相邻放置以减少rf耦合。图像330表示系统300中包括的接收侧功能的放大视图。接收差分信号端口308分别被标记为接收差分信号端口332、接收差分信号端口334、接收差分信号端口336和接收差分信号端口338。这些连接被示出为虚线，以表示信号端口在mmic 302内和/或是mmic 302的一部分。虽然图像330示出了接收侧功能，但所描述的各个方面可以替代地或附加地涉及发射侧功能。
20.系统300的第三带延迟巴伦结构340使用第一部分342和第二部分344连接到rx siw 322和接收差分信号端口332。第一部分342包括在由第一部分承载的信号中引入180
°
相移的延迟线、以及和残端(例如，阻抗匹配残端)，而第二部分344包括残端。180
°
相移允许差分信号在公共点处被相加在一起。系统300还将第二差分输入转换结构346定位成与带延迟巴伦结构340相邻。在一些方面中，第二差分输入转换结构346与图2的差分输入转换结构202相对应。差分输入转换结构346连接到rx siw 324和接收差分信号端口334。因为带延迟巴伦结构340具有与第二差分输入转换结构346不同的辐射图案，所以将这两个结构定位成彼此相邻减少了随辐射图案传播的信号之间的耦合，并且有助于改善信道隔离，减少信道之间的rf泄漏，并提高信号质量。这还提高了通过分析信号计算的检测准确度。虽然参考接收侧功能进行描述，但该定位替代地或附加地减少了信号之间的发射侧耦合，如第一带延迟巴伦结构312、第一差分输入转换结构316和第二带延迟巴伦结构320的放置所示。
21.在接收侧上，第三差分输入转换结构348和第四带延迟巴伦结构350镜像第二差分输入转换结构346和第三带延迟巴伦结构340的定位。第三差分输入转换结构348连接到rx siw 326和接收差分信号端口336，而第四带延迟巴伦结构350连接到rx siw 328和接收差分信号端口338。因为第二差分输入转换结构346和第三差分输入转换结构348定位成彼此相邻，所以彼此镜像或翻转部分位置有助于改善信道隔离，并减少信道之间的rf泄漏。为了说明，因为第二差分输入转换结构346和第三差分输入转换结构348具有相似的辐射图案，所以对部分放置进行翻转和/或镜像有助于分离辐射图案的传播，并减少了rf泄漏。第二差分输入转换结构346和第三差分输入转换结构348之间的隔离可以与每个差分输入转换结构的各个通孔之间的距离成比例(例如，进一步的距离改善了隔离)。因此，系统300将差分输入转换结构346的第一部分352定位为与差分输入转换结构348的第一部分354相邻。这将容纳相应通孔的差分输入转换结构346的第二部分356和差分输入转换结构348的第二部分358定位为彼此远离，而不是彼此相邻(例如，像第一部分)，并且进一步改善了信道之间的隔离。
22.虽然示例300示出了差分输入转换结构和带延迟巴伦结构的组合，但替代实现可以只使用差分输入转换结构。例如，参考图像330，一些实现可以用差分输入转换结构(其部分放置可以镜像差分输入转换结构346的部分)来替换带延迟巴伦结构340和/或用差分输入转换结构(其部分放置可以镜像差分输入转换结构348的部分)来替换带延迟巴伦结构350。
23.图4示出了包括使用用于差分信号端口的高隔离转换设计的各方面的一个或多个差分输入转换结构的示例系统400。图4包括系统400的局部视图402和系统400的侧视图404。如局部视图402中所示，系统400包括将pcb 410上的mmic 408覆盖的屏蔽结构406。在一些方面中，系统将导热和电磁吸收材料和/或射频(rf)吸收器(未示出)放置在mmic 408上，以使得屏蔽结构406覆盖mmic 408以及导热和电磁吸收材料。任何合适类型的材料可以用于形成屏蔽结构，诸如任何合适的金属(例如，铜、铝、碳钢、预镀锡钢、锌、镍、镍银)。类似地，任何合适的金属可以用于导热和电磁吸收材料，诸如介电泡沫吸收器、聚合物基材料、磁性吸收器等。线412为mmic封装端口位置提供额外的参考。
24.屏蔽结构406还覆盖发射差分信号端口414、接收差分信号端口416、发射侧带延迟巴伦和/或差分输入转换结构418、以及接收侧带延迟巴伦和/或差分输入转换结构420。在
一些方面中，屏蔽结构406覆盖siw的部分。为了说明，pcb 410包括三个发射siw(由参考线422表示)和四个接收siw(由参考线424表示)。每个发射siw连接到发射侧带延迟巴伦和/或差分输入转换结构418的相应结构和具有发射能力的天线。类似地，每个接收siw连接到接收侧带延迟巴伦和/或差分输入转换结构420的相应结构和具有接收能力的天线。在各方面中，屏蔽结构406覆盖每个接收siw和发射siw的一部分(例如，连接到相应带延迟巴伦和/或差分输入转换结构的部分)。因此，屏蔽结构406覆盖mmic 408和用于将单端信号连接到差分信号的各种结构。替代地或附加地，屏蔽结构406覆盖导热和电磁吸收材料，如进一步所描述的。在一些方面中，mmic 408、发射差分信号端口414、接收差分信号端口416、发射侧带延迟巴伦和/或差分输入转换结构418、接收侧带延迟巴伦和/或差分输入转换结构420、发射siw和接收siw与参考图3所描述的那些相对应。
25.示例系统400中所示出的屏蔽结构406具有矩形形状，该矩形形状具有宽度426和高度428。然而，可以利用任何其他合适的几何形状。在一个示例中，宽度426通常具有在误差阈值内的15.2mm的长度，并且高度428通常具有在误差阈值内的15.2mm的长度。在一些方面中，误差阈值与误差百分比相对应，诸如0.1％误差、0.5％误差、1％误差、5％误差等。
26.侧视图404示出了系统400的一部分的展开和旋转视图。侧视图404包括屏蔽结构406、pcb 410和金属盖432。如进一步所示，屏蔽结构406具有厚度434。在一个示例中，厚度434通常具有在误差阈值内的1.85mm的长度。在一些方面中，误差阈值与误差百分比相对应，诸如0.1％误差、0.5％误差、1％误差、5％误差等。
27.两层、水平差分输入结构(例如，差分输入转换结构)提供用于差分信号到单端信号的信道之间的高隔离，并缓解降低信号质量的rf泄漏。两层、水平差分输入转换结构还适应将mmic和天线放置在同一侧上的pcb配置，并缓解不想要的rf功率损耗。相对于使用多个pcb层(例如，大于两个)，使用两层也有助于通过减少设计中所包括的层数来降低生产成本。然而，在其他方面中，差分输入过渡结构可以使用将电磁信号馈送到其他低温共烧陶瓷(ltcc)结构(例如，天线、层压波导)的单层ltcc材料来实现。在一些方面中，将差分输入转换结构相邻其他转换结构(诸如带延迟巴伦结构)放置，通过将不同辐射图案彼此相邻放置来减少rf耦合。然而，替代实现只使用差分输入转换结构。附加示例
28.在以下部分中，提供了用于差分信号端口的高隔离转换设计的附加示例。
29.示例1：一种差分输入转换结构，包括：第一层，第一层由导电金属制成，并且定位在差分输入转换结构的底部；基板，基板定位在第一层上方，并且与第一层相邻；以及第二层，第二层由导电金属制成，并且定位在基板上方且与基板相邻，第二层包括：第一部分，第一部分形成为将单端信号接触点电连接到差分信号端口的第一接触点，第一部分包括基于siw的输入阻抗的第一残端和基于与差分信号端口相关联的差分输入阻抗的第二残端；以及与第一部分分离的第二部分，第二部分形成为电连接到差分信号端口的第二接触点，并且通过通孔电连接到第一层，第二部分包括与差分输入阻抗相关联的第三残端和将通孔电连接到第二层的焊盘。
30.示例2：如示例1所述的差分输入转换结构，其中第二层的第二部分与单端信号接触点断开连接，并且与单端信号接触点分离。
31.示例3：如前述示例中的任一项所述的差分输入转换结构，其中第一部分的第二残
端和第二部分的第三残端形成四分之一波阻抗变压器。
32.示例4：如前述示例中的任一项所述的差分输入转换结构，其中四分之一波阻抗变压器基于70到85千兆赫(ghz)的频率范围内的波形。
33.示例5：如前述示例中的任一项所述的差分输入转换结构，其中将第二层连接到第一层的通孔、以及成形为包围通孔的焊盘定位在基板集成波导(siw)的入口处，siw是单端信号接触点。
34.示例6：如前述示例中的任一项所述的差分输入转换结构，其中差分输入阻抗基于单片式微波集成电路(mmic)发射器或接收器端口。
35.示例7：如前述示例中的任一项所述的差分输入转换结构，其中第一残端、第二残端或第三残端的尺寸基于以下项中的至少一项：差分信号端口或单端信号接触点的操作频率；第一层、基板和第二层的组合厚度；或者基板的材料。
36.示例8：如前述示例中的任一项所述的差分输入转换结构，其中第一残端具有矩形形状，第一残端的宽度在误差阈值内为43毫米(mm)，并且第一残端的高度在误差阈值内为43mm。
37.示例9：一种系统，包括：具有一个或多个差分信号端口的单片式微波集成电路(mmic)；一个或多个基板集成波导(siw)；一个或多个带延迟巴伦结构；以及一个或多个差分输入转换结构，每一个差分输入转换包括：第一层，第一层由导电金属制成，并且定位在差分输入转换结构的底部；基板，基板定位在第一层上方并且与第一层相邻；以及第二层，第二层由导电金属制成，并且定位在基板上方且与基板相邻，第二层包括：第一部分，第一部分将一个或多个siw中的相应siw电连接到一个或多个差分信号端口中的相应差分信号端口，第一部分包括基于相应siw的siw输入阻抗的第一残端和基于相应差分信号端口的差分输入阻抗的第二残端；以及与第一部分分离的第二部分，第二部分电连接到相应差分信号端口，并且通过通孔电连接到第一层，第二部分包括与相应差分信号端口的差分输入阻抗相关联的第三残端并且包括成形为包围通孔的焊盘。
38.示例10：如前述示例中的任一项所述的系统，其中系统包括：一个或多个带延迟巴伦结构中的第一带延迟巴伦结构，第一带延迟巴伦结构连接到mmic的一个或多个差分信号端口中的第一差分信号端口；以及一个或多个差分输入转换结构中的第一差分输入转换结构，第一差分输入转换结构连接到mmic的一个或多个差分信号端口中的第二差分信号端口，其中第一差分信号端口被定位成与第二差分信号端口相邻，并且其中第一带延迟巴伦结构被定位成与第一差分信号输入转换结构相邻。
39.示例11：如前述示例中的任一项所述的系统，其中：第一差分信号端口是mmic的第一发射端口，第二差分信号端口是mmic的第二发射端口，第一带延迟巴伦结构将第一发射端口连接到一个或多个siw中的第一siw，并且第一差分信号端口将第二发射端口连接到一个或多个siw中的第二siw。
40.示例12：如前述示例中的任一项所述的系统，其中：第一差分信号端口是mmic的第一接收端口，第二差分信号端口是mmic的第二接收端口，第一带延迟巴伦结构将第一接收端口连接到一个或多个siw中的第一siw，并且第一差分信号端口将第二接收端口连接到一个或多个siw中的第二siw。
41.示例13：如前述示例中的任一项所述的系统，其中系统进一步包括：一个或多个差
分输入转换结构中的第二差分输入转换结构，第二差分输入转换结构将mmic的一个或多个差分信号端口中的第三差分信号端口连接到一个或多个siw中的第三siw，第三差分信号端口是mmic的第三接收端口；其中第二差分输入转换结构被定位成与第一差分输入转换结构相邻，并且其中第二差分输入转换结构相对于第一差分输入转换结构被翻转，使得：第一差分输入转换结构的第一部分被定位成与第二差分输入转换结构的第一部分相邻；并且第一差分输入转换结构的第二部分被定位成与第一带延迟巴伦结构相邻。
42.示例14：如前述示例中的任一项所述的系统，其中系统包括：一个或多个带延迟巴伦结构中的第二带延迟巴伦结构，第二带延迟巴伦结构将mmic的一个或多个差分信号端口中的第四差分信号端口连接到一个或多个siw中的第四siw，第四差分信号端口是mmic的第四接收端口，其中第二带延迟巴伦结构被定位成与第二差分输入转换结构的第二部分相邻。
43.示例15：如前述示例中的任一项所述的系统，进一步包括：金属屏蔽件，金属屏蔽件定位在mmic、一个或多个带延迟巴伦结构和一个或多个差分输入转换结构之上。
44.示例16：如前述示例中的任一项所述的系统，其中屏蔽件的尺寸包括：误差阈值内15.2毫米(mm)的宽度；以及误差阈值内15.2mm的长度。
45.示例17：如前述示例中的任一项所述的系统，其中对于一个或多个差分输入转换结构中的至少一个差分输入转换结构，第一部分的第二残端和第二部分的第三残端组合形成四分之一波阻抗变压器。
46.示例18：如前述示例中的任一项所述的系统，其中第一部分的第二残端和第二部分的第三残端基于70到85千兆赫(ghz)的频率范围内的波形而组合形成四分之一波阻抗变压器。
47.示例19：如前述示例中的任一项所述的系统，其中对于一个或多个差分输入转换结构中的至少一个差分输入转换结构，系统将第二部分的焊盘和通孔定位在一个或多个siw中的至少一个siw的入口处。
48.示例20：如前述示例中的任一项所述的系统，其中对于一个或多个差分输入转换结构中的至少一个差分输入转换结构，包括在第一部分中的第一残端具有包括以下项的尺寸：误差阈值内0.42毫米(mm)的宽度；以及误差阈值内0.43mm的长度。结语
49.虽然在前述描述中描述并且在附图中示出了本公开的各种实施例，但应当理解，本公开不限于此，而是可以在接下来的权利要求的范围内以各种方式实施为实践。根据前述描述，将显而易见的是，可以做出各种更改而不偏离由接下来的权利要求所限定的本公开内容的精神和范围。
50.除非上下文另有明确规定，否则“或”和语法上相关的术语的使用表示无限制的非排他性替代方案。如本文所使用的，引述一列项目中的“至少一者”的短语是指这些项目的任何组合，包括单个成员。例如，“a、b或c中的至少一种”旨在涵盖：a、b、c、a-b、a-c、b-c、和a-b-c，以及具有多个相同元素的任何组合(例如，a-a、a-a-a、a-a-b、a-a-c、a-b-b、a-c-c、b-b、b-b-b、b-b-c、c-c、和c-c-c，或者a、b和c的任何其他排序)。