半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：氧化物半导体层，在基底上，所述氧化物半导体层包括第一部分和跨所述第一部分彼此间隔开的一对第二部分；栅电极，在所述氧化物半导体层的所述第一部分上；以及一对电极，在所述氧化物半导体层的对应的第二部分上，其中，所述氧化物半导体层的所述第一部分的第一厚度小于所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个的第二厚度，并且所述氧化物半导体层的所述第一部分中的氧空位的浓度小于所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个中的氧空位的浓度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：栅极介电图案，在所述栅电极与所述氧化物半导体层的所述第一部分之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：氧供应层，在所述基底上并且与所述氧化物半导体层相邻，其中，在所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个中，远离所述氧供应层的部分中的氧空位的浓度大于与所述氧供应层相邻的另一部分中的氧空位的浓度。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述氧供应层包括含氧介电材料。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第二部分沿着平行于所述基底的顶表面的第一方向彼此间隔开，所述电极是在所述氧化物半导体层的所述对应的第二部分上的接触电极，并且所述第一厚度和所述第二厚度是沿着垂直于所述基底的所述顶表面的第二方向测量的。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第一部分的顶表面在比所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个的顶表面的高度低的高度处。7.根据权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：氧供应层，在所述基底与所述氧化物半导体层之间，其中，所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个包括与所述氧供应层相邻的下部分和远离所述氧供应层的上部分，所述第二部分中的每个的所述下部分中的氧空位的浓度小于所述第二部分中的每个的所述上部分中的氧空位的浓度。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第一部分中的氧空位的所述浓度小于所述第二部分中的每个的所述上部分中的氧空位的所述浓度。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述接触电极中的每个在所述第二部分中的每个的所述上部分上。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第二部分沿着垂直于所述基底的顶表面的第二方向彼此间隔开，所述电极包括下电极和对应地与所述氧化物半导体层的所述第二部分相邻的上电极，并且
所述第一厚度和所述第二厚度是沿着平行于所述基底的所述顶表面的第一方向测量的。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第二部分是在所述第一方向上延伸的水平部分，并且所述氧化物半导体层的所述第一部分是在所述第二部分之间在所述第二方向上延伸的竖直部分。12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层具有在所述第一方向上彼此相对的内表面和外表面，所述栅电极在所述氧化物半导体层的所述内表面上，并且所述半导体装置还包括覆盖所述氧化物半导体层的所述外表面的氧供应层。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个沿着所述第一方向从所述氧化物半导体层的所述第一部分的所述外表面突出。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个的所述外表面沿着所述第一方向从所述氧化物半导体层的所述第一部分的所述外表面偏移。15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个包括与所述氧供应层相邻的外部分和远离所述氧供应层的内部分，并且其中，所述第二部分中的每个的所述外部分的氧空位的浓度小于所述第二部分中的每个的所述内部分的氧空位的浓度。16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的所述第一部分中的氧空位的所述浓度小于所述氧化物半导体层的所述第二部分中的每个的所述内部分中的氧空位的所述浓度。17.根据权利要求12所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：栅极介电图案，在所述栅电极与所述氧化物半导体层的所述内表面之间。18.一种半导体装置，所述半导体装置包括：导电线，在基底上，所述导电线在平行于所述基底的顶表面的第一方向上延伸；一对氧化物半导体层，在所述导电线上在所述第一方向上彼此间隔开；第一栅电极和第二栅电极，在所述一对氧化物半导体层之间在所述第一方向上彼此间隔开，所述第一栅电极和所述第二栅电极与所述导电线交叉地延伸；以及多个上电极，对应地在所述一对氧化物半导体层上，其中，所述一对氧化物半导体层中的每个包括第一部分和在垂直于所述基底的所述顶表面的第二方向上彼此间隔开的一对第二部分，所述第一部分在所述第一方向上的第一厚度小于所述第二部分中的每个在所述第一方向上的第二厚度，并且所述第一部分中的氧空位的浓度小于所述第二部分中的每个中的氧空位的浓度。19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述一对氧化物半导体层中的每个具有在所述第一方向上彼此相对的内表面和外表面，所述一对氧化物半导体层的所述内表面彼此面对，并且所述第一栅电极和所述第二栅电极对应地在所述一对氧化物半导体层的所述内表面
上。20.根据权利要求19所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：氧供应层，覆盖所述一对氧化物半导体层的所述外表面，其中，在所述一对氧化物半导体层中的每个中，所述第二部分中的每个包括与所述氧供应层相邻的外部分和远离所述氧供应层的内部分，并且所述第二部分中的每个的所述外部分中的氧空位的浓度小于所述第二部分中的每个的所述内部分中的氧空位的浓度。

技术总结
公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：氧化物半导体层，在基底上并且包括第一部分和跨第一部分彼此间隔开的一对第二部分；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上；以及一对电极，在氧化物半导体层的对应的第二部分上。氧化物半导体层的第一部分的第一厚度小于氧化物半导体层的每个第二部分的第二厚度。氧化物半导体层的第一部分中的氧空位的数量小于氧化物半导体层的每个第二部分中的氧空位的数量。的数量。的数量。


技术研发人员：金台原 金亨俊 卓容奭 金俞琳 李公洙
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.04.15
技术公布日：2023/2/17