存储器设备及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元被连接到多个字线和多个串；以及外围电路，被配置为对所述多个存储器单元中被连接到所选择的字线的所选择的存储器单元执行编程操作，其中当所述外围电路在所述编程操作期间将通过电压施加到所述所选择的字线以接通所述所选择的存储器单元时，所述外围电路被配置为将选择电压施加到未选择的源极线以接通源极选择晶体管，并且被配置为将接地电压施加到未选择的漏极选择线。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述编程操作包括：编程阶段，包括其中所述编程电压被施加到所述所选择的字线的时段以及其中所述通过电压被施加到所述所选择的字线的时段，以及验证阶段，包括其中验证所述所选择的存储器单元的编程状态的验证电压被施加到所述所选择的字线的时段。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当所述外围电路将所述编程电压施加到所述所选择的字线时，所述外围电路将所述接地电压施加到所述未选择的源极选择线。4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当所述外围电路将所述验证电压施加到所述所选择的字线时，所述外围电路将所述接地电压施加到所述未选择的源极选择线。5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路包括被配置为生成内部电压的电压生成器，所述内部电压包括被用于执行所述编程操作的所述通过电压和所述选择电压。6.根据权利要求1所述的存储器设备，包括控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以将电压施加到所述多个字线和所述多个串。7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述选择电压的电压电平高于所述源极选择晶体管的阈值电压的电压电平，并且其中所述选择电压的电压电平低于所述通过电压的电压电平。8.一种用于操作存储器设备的方法，所述存储器设备具有多个存储器单元，所述多个存储器单元被连接到多个字线和多个串，所述方法包括：执行将编程电压施加到所述多个字线中的所选择的字线的编程电压施加操作；通过将接通电压施加到所述多个串中的未选择的串的源极选择线以及将接地电压施加到所述未选择的串的漏极选择线，对所述多个串中的所述未选择的串执行通道初始化操作；以及执行将验证电压施加到所述所选择的字线的验证操作。9.根据权利要求8所述的方法，其中执行所述通道初始化操作还包括：将通过电压施加到所述所选择的字线，以接通对应于所述所选择的字线的所述所选择的存储器单元。10.根据权利要求8所述的方法，其中在执行所述编程电压施加操作时，在所述编程电压被施加到所述所选择的字线的同时，所述接地电压被施加到所述未选择的源极选择线。11.根据权利要求8所述的方法，其中在执行所述验证操作时，在所述验证电压被施加到所述所选择的字线的同时，所述接地电压被施加到所述未选择的源极选择线。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述接通电压的电压电平高于所述源极选择晶体管的阈值电压的电压电平，并且其中所述接通电压的电压电平低于被施加到所述所选择的字线的通过电压的电压电平。13.一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元被连接到多个字线和多个串；以及外围电路，被配置为：将编程电压施加到所述多个字线中的所选择的字线，以及将通过电压施加到所述所选择的字线以接通对应于所述所选择的字线的所选择的存储器单元；以及随后将选择电压施加到未选择的源极选择线以接通对应于未选择的源极选择线的源极选择晶体管，以及将接地电压施加到未选择的漏极选择线。14.根据权利要求13所述的存储器设备，其中当所述外围电路将所述通过电压施加到所述所选择的字线以接通对应于所述所选择的字线的所述所选择的存储器单元时，所述外围电路被配置为将所述接地电压施加到所述未选择的源极选择线和所述未选择的漏极选择线。15.根据权利要求13所述的存储器设备，其中所述外围电路还包括被配置为生成内部电压的电压生成器，所述内部电压包括所述编程电压、所述通过电压和所述选择电压。16.根据权利要求13所述的存储器设备，包括控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以将电压施加到所述多个字线和所述多个串。

技术总结
本公开的实施例涉及存储器设备及其操作方法。一种存储器设备包括：存储器单元阵列，具有多个存储器单元，多个存储器单元被连接到多个字线和多个串；以及外围电路，用于对多个存储器单元中被连接到所选择的字线的所选择的存储器单元执行编程操作。当外围电路在编程操作期间将通过电压施加到所选择的字线以接通所选择的存储器单元时，外围电路被配置为将选择电压施加到未选择的源极线以接通源极选择晶体管，并且被配置为将接地电压施加到未选择的漏极选择线。的漏极选择线。的漏极选择线。


技术研发人员：卓在日
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2022.01.20
技术公布日：2022/12/5