封装结构及封装结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面向第四面贯穿所述钝化层；位于第一晶片内的若干第二连接层，所述第二连接层自第一面向第二面贯穿所述钝化层；位于钝化层第三面的第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第一面的第二器件结构，所述第二器件结构与第二连接层电连接；位于钝化层第四面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第二连接层电连接。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二器件结构包括：电容、电阻或若干第二晶片堆叠的半封装结构。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一器件结构包括：电容或电阻。4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一连接结构包括：第一再布线层以及位于第一再布线层上的第一焊接层；所述第二连接结构包括：第二再布线层以及位于第二再布线层上的第二焊接层。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚亚酰胺或聚对苯撑苯并二恶唑；所述第一连接层的材料包括金属，所述金属包括铜；所述第二连接层的材料包括金属，所述金属包括铜。6.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基板；提供第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面，所述第一晶片内还具有第一连接层，所述第一连接层自晶片第一面至第二面贯穿所述晶片；将所述第一晶片固定于基板上，所述第一晶片的第二面固定于基板表面；在第一晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层，所述钝化层还位于基板上，所述钝化层具有相对的第三面和第四面，所述钝化层的第四面固定于基板上，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；形成所述第一连接层之后，去除所述基板；在钝化层第四面上形成第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；在第一晶片第二面上形成第二电连接结构，所述第二电连接结构与第二连接层电连接；在钝化层第三面上形成第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；在第一晶片第一面上形成第二器件结构，所述第二器件结构与第二连接层电连接。7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二器件结构包括：电容、电阻或若干第二晶片堆叠的半封装结构。
8.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件结构包括：电容或电阻。9.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一电连接结构包括：第一再布线层以及位于第一再布线层上的第一焊接层；所述第二连接结构包括：第二再布线层以及位于第二再布线层上的第二焊接层。10.如权利要求9所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一电连接结构和第二电连接结构同时形成；所述第一电连接结构和第二电连接结构的形成方法包括：在第一晶片第一面上和钝化层第三面上形成再布线材料层；在再布线材料层上形成图形化层；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述再布线材料层，直至暴露出所述钝化层第三面表面，形成与所述第一连接层电连接的第一再布线层以及和第二连接层电连接的第二再布线层；在第一再布线层侧壁表面和第二再布线层侧壁表面形成绝缘层；在绝缘层上和第一再布线层上以及第二再布线层上形成牺牲层；在牺牲层内形成若干第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述第一再布线层顶部表面，所述第二凹槽暴露出所述第二再布线层顶部表面；在第一凹槽内和第二凹槽内形成初始焊接层；去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，对所述初始焊接层进行流平处理，形成位于第一再布线层上和绝缘层上的第一焊接层以及形成位于第二再布线层上和绝缘层上的第二焊接层。11.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层的方法包括：在基板表面和晶片表面形成钝化材料层，所述钝化材料层的厚度大于所述晶片厚度；对所述钝化材料层进行刻蚀，形成位于晶片侧壁的钝化层，所述钝化层内具有若干开口，所述开口底部暴露出所述基板表面；在所述开口内和钝化层表面形成连接材料层；平坦化所述连接材料层，直至暴露出钝化层表面，形成所述第一连接层。12.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，去除所述基板的方法包括：提供第一载板；将所述第一晶片第一面上和钝化层第三面粘结于第一载板上；平坦化所述基板，直至暴露出第一晶片第二面和钝化层第四面。13.如权利要求12所述的封装结构的形成方法，其特征在于，形成第一电连接结构和第二电连接结构之后，还包括：去除所述第一载板。14.如权利要求12所述的封装结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述基板的工艺包括化学机械研磨工艺。

技术总结
一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一晶片，具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，第一连接层自第三面向第四面贯穿钝化层；位于第一晶片内的若干第二连接层，第二连接层自第一面向第二面贯穿钝化层；位于钝化层第三面的第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第一面的第二器件结构，第二器件结构与第二连接层电连接；位于钝化层第四面上的第一电连接结构，第一电连接结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，第二电连接结构与第二连接层电连接。所述封装结构的封装灵活性较高，节省面积。节省面积。节省面积。


技术研发人员：刘在福 曾昭孔 郭瑞亮 焦洁
受保护的技术使用者：苏州通富超威半导体有限公司
技术研发日：2022.09.21
技术公布日：2022/12/1