半导体封装的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装，所述半导体封装包括：半导体管芯；密封剂层，所述密封剂层覆盖所述半导体管芯；标记，所述标记形成在所述密封剂层的表面上；以及损伤阻挡层，所述损伤阻挡层设置在所述标记和所述半导体管芯之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述标记雕刻在所述密封剂层的所述表面上。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述损伤阻挡层设置在所述密封剂层的形成有所述标记的标记区域下方。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述损伤阻挡层附接到所述半导体管芯以覆盖所述半导体管芯的与所述标记交叠的部分。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述损伤阻挡层包括反射激光的反射层。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述损伤阻挡层还包括：支撑层，所述支撑层支撑所述反射层；以及粘合层，所述粘合层形成在所述支撑层上。7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述反射层包括金属层。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述金属层包括铜、黄铜、青铜、铝、金和银中的至少一者。9.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述反射层包括多个子金属层。10.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述反射层反射绿色激光和yag激光中的至少一者。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述半导体管芯包括：半导体基板；电子组件，所述电子组件形成在所述半导体基板上；导电图案，所述导电图案形成在所述半导体基板上；以及介电层，所述介电层使所述导电图案绝缘，其中，所述损伤阻挡层附接到所述介电层的表面。12.一种半导体封装，所述半导体封装包括：封装基板；多个半导体管芯，所述多个半导体管芯层叠在所述封装基板上；损伤阻挡层，所述损伤阻挡层附接到所述多个半导体管芯中的最上半导体管芯的上表面；密封剂层，所述密封剂层覆盖所述多个半导体管芯和所述损伤阻挡层；以及标记，所述标记形成在所述密封剂层的与所述损伤阻挡层交叠的部分上。13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述最上半导体管芯包括：半导体基板；介电层，所述介电层形成在所述半导体基板上；以及接合焊盘，所述接合焊盘由所述介电层暴露，其中，接合线连接到所述接合焊盘。
14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中，所述损伤阻挡层在与所述接合线间隔开的情况下附接到所述介电层的上表面。15.根据权利要求13所述的半导体封装，其中，所述接合线将所述最上半导体管芯连接到所述多个半导体管芯中的其余半导体管芯中的至少一个，并且进一步延伸以连接到所述封装基板。16.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述损伤阻挡层包括反射激光的反射层。17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述损伤阻挡层还包括：支撑层，所述支撑层支撑所述反射层；以及粘合层，所述粘合层形成在所述支撑层上。18.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述反射层包括金属层。19.根据权利要求18所述的半导体封装，其中，所述金属层包括铜、黄铜、青铜、铝、金和银中的至少一者。20.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述反射层包括多个子金属层。

技术总结
一种半导体封装包括半导体管芯和密封剂层。在密封剂层的表面上形成标记。在标记和半导体管芯之间设置损伤阻挡层。损伤阻挡层阻止用于形成标记的激光传播到达半导体管芯。用于形成标记的激光传播到达半导体管芯。用于形成标记的激光传播到达半导体管芯。


技术研发人员：李基勇
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2022.01.29
技术公布日：2023/2/17