晶圆承载装置及半导体工艺设备的制作方法

技术特征：
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括冷却基座(100)，所述冷却基座(100)设有第一冷却介质入口(101)、多个环状介质通道(102)、多个径向介质通道(103)和第一冷却介质出口(104)；其中：所述第一冷却介质入口(101)位于所述冷却基座(100)的中心，所述多个环状介质通道(102)以所述中心为圆心同心分布，所述第一冷却介质入口(101)与其相邻的所述环状介质通道(102)之间以及相邻的两个所述环状介质通道(102)之间均通过多个均匀分布的所述径向介质通道(103)连通，所述径向介质通道(103)沿所述环状介质通道(102)的径向延伸；所述第一冷却介质出口(104)与位于所述冷却基座(100)的最外侧的所述环状介质通道(102)连通。2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，连通所述第一冷却介质入口(101)与其相邻的所述环状介质通道(102)的多个所述径向介质通道(103)构成第一介质通道组，连通相邻的两个所述环状介质通道(102)的多个所述径向介质通道(103)构成第二介质通道组，其中：所述第一介质通道组所包含的多个所述径向介质通道(103)与其相邻的所述第二介质通道组所包含的所述径向介质通道(103)错位分布；和/或，相邻的两个所述第二介质通道组所包含的多个所述径向介质通道(103)错位分布。3.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，连通相邻的两个所述环状介质通道(102)的多个所述径向介质通道(103)构成第二径向介质通道组，在自所述中心至所述冷却基座(100)的边缘的第一方向上，各所述第二径向介质通道组所包含的所述径向介质通道(103)的数量递增。4.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述冷却基座(100)包括基座本体(110)和回流板(120)，所述回流板(120)开设有回流通道(105)和第二冷却介质出口(106)，所述基座本体(110)叠置于所述回流板(120)上，所述第一冷却介质入口(101)、所述多个环状介质通道(102)、所述多个径向介质通道(103)和所述第一冷却介质出口(104)均开设于所述基座本体(110)上，所述第一冷却介质出口(104)与所述回流通道(105)的第一端部连通，所述回流通道(105)的第二端部与所述第二冷却介质出口(106)连通，所述第二冷却介质出口(106)邻近所述中心设置。5.根据权利要求4所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述回流通道(105)为多个，且围绕所述中心辐射分布，所述第一冷却介质出口(104)为多个，且与所述多个回流通道(105)一一对应连通。6.根据权利要求4所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述回流板(120)包括凸台(121)，所述凸台(121)开设有第二冷却介质入口(107)，所述第二冷却介质入口(107)位于所述冷却基座(100)的中心，所述凸台(121)与所述基座本体(110)密封相连，且所述第二冷却介质入口(107)与所述第一冷却介质入口(101)同轴，且连通。7.根据权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述回流板(120)开设有环状槽(122)，所述环状槽(122)围绕所述凸台(121)设置，各所述回流通道(105)的第二端部与所述环状槽(122)连通，所述第二冷却介质出口(106)开设于所述环状槽(122)的底壁。8.根据权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述冷却基座(100)还包括隔热层(130)，所述隔热层(130)设于所述基座本体(110)与所述回流板(120)之间，所述隔热层
(130)开设有第一衔接孔(108)和第二衔接孔(109)，所述第一衔接孔(108)连通所述第一冷却介质入口(101)与所述第二冷却介质入口(107)，所述第二衔接孔(109)连通所述第一冷却介质出口(104)和所述回流通道(105)。9.根据权利要求8所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述隔热层(130)的相背的两侧分别与所述基座本体(110)和所述回流板(120)粘接。10.根据权利要求1至9中任一项所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述环状介质通道(102)的横截面形状为矩形、圆形或椭圆形。11.一种半导体工艺设备，包括反应腔室和设置于所述反应腔室内的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置为权利要求1至10中任一项所述的晶圆承载装置。

技术总结
本申请公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括冷却基座，冷却基座设有第一冷却介质入口、多个环状介质通道、多个径向介质通道和第一冷却介质出口；其中：第一冷却介质入口位于冷却基座的中心，多个环状介质通道以中心为圆心同心分布，第一冷却介质入口与与其相邻的环状介质通道之间以及相邻的两个环状介质通道之间均通过多个均匀分布的径向介质通道连通；第一冷却介质出口与位于冷却基座的最外侧的环状介质通道连通。上述方案能解决相关技术中涉及的晶圆承载装置较难实现均温的问题。实现均温的问题。实现均温的问题。


技术研发人员：高飞雪 王松 陈星 韦刚 张照
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2022.09.29
技术公布日：2023/2/13