半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一第一氮化物半导体层，设置于上述基板之上；一第二氮化物半导体层，设置于上述第一氮化物半导体层之上；一源极电极，设置于上述第一氮化物半导体层之上；一漏极电极，设置于上述第一氮化物半导体层之上；一第三氮化物半导体层，设置于上述第二氮化物半导体层之上，具有p型掺杂；一第四氮化物半导体层，设置于上述第三氮化物半导体层以及上述第二氮化物半导体层之间，具有p型掺杂，且与上述第二氮化物半导体层的顶面直接接触；一第五氮化物半导体层，设置于上述第三氮化物半导体层以及上述第四氮化物半导体层之间；以及一栅极电极，设置于上述第三氮化物半导体层之上，且与上述第三氮化物半导体层直接接触，其中上述栅极电极、上述第三氮化物半导体层、上述第五氮化物半导体层以及上述第四氮化物半导体层位于上述源极电极以及上述漏极电极之间。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述栅极电极与上述第三氮化物半导体层形成一肖特基接触，以降低栅极漏电流。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述栅极电极、上述第三氮化物半导体层、上述第五氮化物半导体层以及上述第四氮化物半导体层形成一栅极堆叠结构，其中上述栅极堆叠结构设置于上述第二氮化物半导体层的顶面之上。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述第一氮化物半导体层包括gan，上述第三氮化物半导体层以及上述第四氮化物半导体层包括具有p型掺杂的gan。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述第二氮化物半导体层包括al
x
ga
1-x
n，且0<x<＝1，上述第五氮化物半导体层包括al
y
ga
1-y
n，且0<y<＝1，其中y不小于x。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述第二氮化物半导体层的厚度不大于上述第五氮化物半导体层的厚度。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述第三氮化物半导体层的厚度不小于上述第四氮化物半导体层的厚度。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述源极电极以及上述漏极电极与上述第一氮化物半导体层形成一欧姆接触，且分别接触上述第二氮化物半导体层的相对二侧边界。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述半导体结构形成一增强型高电子迁移率晶体管，一载子通道形成于上述第一氮化物半导体层以及上述第二氮化物半导体层的接口且位于上述源极电极以及上述漏极电极之间，其中当上述栅极电极并未施加任何电压时，上述第三氮化物半导体层的下方的上述载子通道为截止。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，当一电子自上述栅极电极流向上述载子通道时，上述电子被上述第五氮化物半导体层所阻挡或陷于上述第四氮化物半导体层。

技术总结
一种半导体结构，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。具有P型掺杂。具有P型掺杂。


技术研发人员：陈柏安
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.07
技术公布日：2023/2/17