半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：布置在主区域(rm)处的主元件(me)，所述主元件配置为允许主电流流过所述主元件；和布置在感测区域(rs)处的感测元件(se)，所述感测元件配置为允许感测电流流过所述感测元件，其中，流过所述主元件的所述主电流基于流过所述感测元件的所述感测电流进行检测，其中，所述主元件和所述感测元件中的每一个包括：第一导电类型的漂移层；布置在所述漂移层上的第二导电类型的基极层；布置在所述基极层的表面层部分处的第一导电类型的发射极区，所述发射极区具有比所述漂移层高的杂质浓度；布置在所述基极层的介于所述发射极区与所述漂移层之间的表面处的栅极绝缘膜；布置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；布置在面对所述基极层的一侧处的背面层，所述漂移层介于所述背面层与所述基极层之间；电连接至所述发射极区和所述基极层的第一电极；和电连接至所述背面层的第二电极，其中，所述主元件中的所述背面层包括所述第二导电类型的集电极层，并且其中，所述感测元件中的所述背面层包括第二导电类型的低杂质层，所述低杂质层沿着所述漂移层和所述基极层的堆叠方向具有比所述集电极层低的杂质量。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述感测元件包括第一感测元件部分(se1)和第二感测元件部分(se2)，其中，所述第一感测元件部分与所述第二感测元件部分在所述低杂质层的结构上不同，并且其中，所述第一感测元件部分和所述第二感测元件部分与所述主元件并联连接。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述主区域包括：绝缘栅双极晶体管区域(1a)，其具有包含集电极层的绝缘栅双极晶体管元件；和续流二极管区域(1b)，其具有续流二极管元件，所述续流二极管元件具有包括在所述背面层中的第一导电类型的阴极层，其中，所述低杂质层包括所述第一导电类型的反向导电类型层，并且其中，所述反向导电类型层具有与所述阴极层相同的厚度，并且具有与所述阴极层相同的杂质浓度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述低杂质层包括具有比所述集电极层低的峰值杂质浓度的所述第二导电类型的低杂质浓度层。

技术总结
一种半导体器件包括主元件和感测元件。主元件和感测元件中的每一个包括漂移层、基极层、发射极区、栅极绝缘膜、栅电极和背面层。基极层位于漂移层上。发射极区位于基极层的表面层部分处。栅极绝缘膜布置在基极层的处于发射极区与漂移层之间的表面处。栅电极位于栅极绝缘膜上。背面层面对基极层，漂移层位于背面层与基极层之间。主元件中的背面层包括集电极层。感测元件中的背面层包括具有比集电极层低的杂质量的低杂质层。的杂质量的低杂质层。的杂质量的低杂质层。


技术研发人员：杉浦宽人 住友正清
受保护的技术使用者：株式会社电装
技术研发日：2022.07.12
技术公布日：2023/2/6