半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基板；第一氮化物层，形成于所述基板上；极性反转层，形成于所述第一氮化物层的表面，以将所述第一氮化物层的非金属极性表面转换为所述极性反转层的金属极性表面；第二氮化物层，形成于所述极性反转层上；以及第三氮化物层，形成于所述第二氮化物层上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述极性反转层的厚度小于1nm。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述极性反转层的材料包括硅或金属。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氮化物层为al
1-x
si
x
n，且0<x≤1。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氮化物层中的铝含量从所述基板往所述极性反转层逐渐增加。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氮化物层的厚度在0.1nm～5nm之间。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氮化物层的表面粗糙度rms<0.6nm。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二氮化物层为单层或多层的aln。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述多层的aln包括形成于所述极性反转层上的低温氮化铝层与介于所述低温氮化铝层与所述第三氮化物层之间的高温氮化铝层，且所述高温氮化铝层的成长温度与所述低温氮化铝层的成长温度的温度差大于50℃。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二氮化物层的厚度在100nm以下，且所述低温氮化铝层的厚度小于所述高温氮化铝层的厚度。11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三氮化物层包括多层结构。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第三氮化物层包括al
1-z
ga
z
n与aln与gan的所有组合，且0<z≤1。13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第三氮化物层包括：超晶格结构、渐变层结构、插入层结构或前述结构的组合。14.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第三氮化物层的厚度在0.1μm～10μm之间。15.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板的所述表面内的载子浓度在10
15
/cm3以下。16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述基板的所述表面内的载子扩散深度小于0.5μm。17.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，产生的插入损耗小于-0.5db。18.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板具有1,000ohm-cm～10,
000ohm-cm的电阻率。

技术总结
本发明提供一种半导体结构，包括基板、第一氮化物层、第二氮化物层、第三氮化物层与极性反转层。第一氮化物层形成于所述基板上，极性反转层形成于所述第一氮化物层的表面，以将第一氮化物层的非金属极性表面转换为极性反转层的金属极性表面。第二氮化物层则形成于所述极性反转层上。第三氮化物层形成于所述第二氮化物层上。氮化物层上。氮化物层上。


技术研发人员：林伯融 林子尧
受保护的技术使用者：环球晶圆股份有限公司
技术研发日：2022.05.27
技术公布日：2023/2/17