氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法与流程

技术特征：
1.一种氮化物半导体，具备：基体；氮化物部件；以及中间区域，设置于所述基体与所述氮化物部件之间，所述氮化物部件包括：第1氮化物区域，含有al
x1
ga
1-x1
n，其中，0＜x1≤1；以及第2氮化物区域，含有al
x2
ga
1-x2
n，其中，0≤x2＜1，x2＜x1，所述第1氮化物区域处于所述中间区域与所述第2氮化物区域之间，所述中间区域含有氮以及碳，所述中间区域中的碳的浓度是1.5
×
10
19
/cm3以上且6
×
10
20
/cm3以下。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述中间区域与所述基体相接。3.根据权利要求2所述的氮化物半导体，其中，所述中间区域与所述第1氮化物区域相接。4.根据权利要求3所述的氮化物半导体，其中，所述第1氮化物区域与所述第2氮化物区域相接。5.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述中间区域的至少一部分含有铝。6.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述中间区域的至少一部分含有硅。7.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述第1氮化物区域含有aln。8.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述基体含有硅。9.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述中间区域中的碳的浓度是3
×
10
19
/cm3以上且4
×
10
20
/cm3以下。10.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述第1氮化物区域不含碳，或者所述第1氮化物区域中的碳的浓度低于所述中间区域中的所述碳的所述浓度。11.根据权利要求10所述的氮化物半导体，其中，所述第2氮化物区域含有碳，所述第2氮化物区域中的碳的浓度高于所述第1氮化物区域中的碳的所述浓度。12.根据权利要求11所述的氮化物半导体，其中，所述第2氮化物区域中的碳的所述浓度低于所述中间区域中的所述碳的所述浓度。13.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述氮化物部件还包括含有al
x3
ga
1-x3
n的第3氮化物区域，其中，0≤x3≤1，所述第2氮化物区域处于所述第1氮化物区域与所述第3氮化物区域之间。14.根据权利要求13所述的氮化物半导体，其中，所述第3氮化物区域包括多个第1区域和多个第2区域，
在从所述第1氮化物区域朝向所述第2氮化物区域的第1方向上，所述多个第1区域中的一个第1区域处于所述多个第2区域中的一个第2区域与所述多个第2区域中的另一个第2区域之间，所述多个第2区域中的所述一个第2区域处于所述多个第1区域中的所述一个第1区域与所述多个第1区域中的另一个第1区域之间，所述第1区域含有al
y1
ga
1-y1
n，其中，0＜y1≤1，所述第2区域含有al
y2
ga
1-y2
n，其中，0≤y2＜y1。15.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，所述氮化物部件还包括：第4氮化物区域，含有al
x4
ga
1-x4
n，其中，0≤x4＜1；以及第5氮化物区域，含有al
x5
ga
1-x5
n，其中，0＜x5≤1，x4＜x5，所述第4氮化物区域处于所述第2氮化物区域与所述第5氮化物区域之间。16.一种半导体装置，具备：权利要求15所述的氮化物半导体；第1电极；第2电极；第3电极；以及绝缘部件，从所述第1电极朝向所述第2电极的方向沿着与从所述第1氮化物区域朝向所述第2氮化物区域的方向交叉的第2方向，所述第3电极的所述第2方向上的位置处于所述第1电极的所述第2方向上的位置与所述第2电极的所述第2方向上的位置之间，所述第4氮化物区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域以及第5部分区域，从所述第1部分区域朝向所述第1电极的方向沿着所述第1方向，从所述第2部分区域朝向所述第2电极的方向沿着所述第1方向，所述第3部分区域在所述第2方向上处于所述第1部分区域与所述第2部分区域之间，从所述第3部分区域朝向所述第3电极的方向沿着所述第1方向，所述第4部分区域在所述第2方向上处于所述第1部分区域与所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第2部分区域之间，所述第5氮化物区域包括第6部分区域以及第7部分区域，从所述第4部分区域朝向所述第6部分区域的方向沿着所述第1方向，从所述第5部分区域朝向所述第7部分区域的方向沿着所述第1方向，所述绝缘部件处于所述氮化物部件与所述第3电极之间。17.一种氮化物半导体的制造方法，其中，向基体之上供给含有碳的第1气体，停止所述第1气体的所述供给，供给含有氮的第2气体，在所述第2气体的所述供给之后的所述基体之上，形成含有al
x1
ga
1-x1
n的第1氮化物区域，其中，0＜x1≤1，
在所述第1氮化物区域的所述形成之后，形成含有al
x2
ga
1-x2
n的第2氮化物区域，其中，0≤x2＜1，x2＜x1。18.根据权利要求17所述的氮化物半导体的制造方法，其中，所述基体与所述第1氮化物区域之间的中间区域含有氮以及碳，所述中间区域中的碳的浓度是1.5
×
10
19
/cm3以上且6
×
10
20
/cm3以下。19.根据权利要求17所述的氮化物半导体的制造方法，其中，在所述第1气体的所述供给之前，对所述基体进行热处理。20.根据权利要求17所述的氮化物半导体的制造方法，其中，所述第1气体含有铝和碳，所述第2气体含有氨。21.根据权利要求17所述的氮化物半导体的制造方法，其中，所述第1气体含有烃，所述第2气体含有氨。

技术总结
提供一种氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法，能够抑制翘曲。根据实施方式，氮化物半导体包括基体、氮化物部件以及设置于所述基体与所述氮化物部件之间的中间区域。所述氮化物部件包括：含有Al


技术研发人员：彦坂年辉 名古肇 田岛纯平 布上真也
受保护的技术使用者：东芝电子元件及存储装置株式会社
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2023/2/17