半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：线路(rdl)层；导电连接件，位于所述线路层上并且连接至所述线路层中的线路；伪焊盘，位于所述线路层上方并且与所述线路层间隔开，其中，所述伪焊盘和所述导电连接件中的每相邻两个之间的节距相同。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述伪焊盘的宽度小于所述导电连接件的宽度。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接件和所述伪焊盘中每个的高度与宽度相关联。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接件的顶面和所述伪焊盘的顶面共面。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括电连接至所述导电连接件的管芯。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括与所述导电连接件接合的第二导电连接件，所述管芯通过所述导电连接件和所述第二导电连接件电连接所述线路层。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括与所述伪焊盘接合的第二伪焊盘。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括第二线路层，位于所述管芯与所述第二导电连接件之间，其中，所述第二伪焊盘与所述第二线路层间隔开。9.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述管芯包括两个管芯，其中，所述伪焊盘设置在所述两个管芯之间。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述伪焊盘与所述导电连接件的材料相同。

技术总结
本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：线路(RDL)层；导电连接件，位于所述线路层上并且连接至所述线路层中的线路；伪焊盘，位于所述线路层上方并且与所述线路层间隔开，其中，所述伪焊盘和所述导电连接件中的每相邻两个之间的节距相同。本发明的目的至少在于解决混合接合的接合界面处的腐蚀问题。蚀问题。蚀问题。


技术研发人员：余志展 凃顺财 徐荣聪 翁承恩
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.09
技术公布日：2022/12/8