曝光光敏涂层之方法及装置与流程

技术特征：
1.一种用于曝光一光敏涂层(3)之方法，该光敏涂层(3)至少包括一第一光敏区(3a)及一第二光敏区(3b)，其中该第一区(3a)对一第一波长之光子起反应，且该第二区(3b)对一第二波长之光子起反应，其中该第一波长不同于该第二波长，其中该方法包括特定而言按以下顺序之以下步骤：将该涂层(3)曝光于该第一波长之该光子，将该涂层(3)曝光于该第二波长之该光子。2.如权利要求1所述的方法，其中藉助于一可动态控制之单元、特定而言藉助于一数位微镜单元(7)来曝光该涂层(3)。3.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中藉助于至少一个遮罩(15a、15b)来曝光该涂层(3)。4.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中将该涂层(3)曝光于该第一波长之该光子仅在该第一区(3a)中产生一光化学反应，并且将该涂层(3)曝光于该第二波长之该光子仅在该第二区(3b)中产生一光化学反应。5.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中尤其藉助于束捆，以空间解析及/或点状方式来曝光该涂层(3)。6.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中藉由一可个别地控制之光子源(5)来曝光该涂层(3)，其中调整该光子之该波长及/或剂量。7.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中藉由将一滤光器(6a、6b)定位在一宽频光子源(5)前方来曝光该涂层(3)，其中调整该波长及/或该剂量。8.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中该涂层(3)之不同深度区域一个接一个地起反应。9.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中该涂层(3)对同一波长之光子具有随该涂层(3)的厚度而变化的敏感性。10.如前述权利要求中至少一项所述的方法，其中该第一区(3a)构成为一第一层，且该第二区(3b)在该第一层上构成为一第二层。11.一种用于曝光一光敏涂层(3)之装置，该光敏涂层(3)至少包括一第一光敏区(3a)及一第二光敏区(3b)，其中该第一光敏区(3a)对一第一波长之光子起反应，且该第二光敏区(3b)对一第二波长之光子起反应，其中该第一波长不同于该第二波长，该装置包括一辐射装置(5)，该辐射装置(5)用于将该涂层(3)曝光于该第一波长之该光子，并用于将该涂层(3)曝光于该第二波长之该光子。12.如权利要求11所述的装置，其包括用于对该涂层(3)进行曝光的可动态控制之单元，特定而言一数位微镜单元(7)。13.如前述权利要求中至少一项所述的装置，其包括用于对该涂层(3)进行曝光的至少一个遮罩(15a、15b)。14.如前述权利要求中至少一项所述的装置，其包括用于相对于该辐射装置(5)移动该涂层(3)的行动支撑件。15.一种利用如前述权利要求中至少一项所述的方法及/或装置产生之物件。

技术总结
本发明系关于一种用于曝光一光敏涂层之方法及装置。方法及装置。方法及装置。


技术研发人员：B
受保护的技术使用者：EV集团E
技术研发日：2020.07.06
技术公布日：2023/2/3