技术特征：
1.一种半导体装置，具备：半导体芯片，具有设于基板上的晶体管和电极焊盘；电容器，具有夹着电介质的上部电极和下部电极；第一中继焊盘；第二中继焊盘，设于所述半导体芯片的所述基板上；第一引线，将所述第一中继焊盘与所述半导体芯片的所述电极焊盘相互连接；第二引线，将所述第二中继焊盘与所述电容器的所述上部电极相互连接；以及第三引线，将所述第一中继焊盘与所述第二中继焊盘相互连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一中继焊盘配置于所述电容器的所述电介质上的与所述上部电极分离的位置，所述第二中继焊盘沿着所述半导体芯片的一边配置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述电极焊盘沿着所述半导体芯片的一边配置，所述第二中继焊盘与所述电极焊盘邻接地配置。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，具备：多个所述第一中继焊盘，沿着所述电容器的一边排列；以及多个所述第二中继焊盘和多个所述电极焊盘，沿着所述半导体芯片的一边排列，多个所述第二中继焊盘的每一个与所述电极焊盘邻接地配置。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，具备多个所述第一引线和多个所述第二引线，相互邻接的多个所述第一引线的每一个连接于共用的所述第一中继焊盘，相互邻接的多个所述第二引线的每一个连接于共用的所述第二中继焊盘。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，在所述电容器的所述电介质的背面具备设于与所述第一中继焊盘对置的区域以外的区域的背面电极。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，在所述半导体芯片的背面或所述基板的背面具备设于与所述第二中继焊盘对置的区域以外的区域的背面电极。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一中继焊盘设于所述电容器与所述半导体芯片之间。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，所述基板由碳化硅sic、金刚石或金属构成。
技术总结
一个实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，具有设于基板上的晶体管和漏极焊盘；电容器，具有夹着电介质的上部电极和下部电极；焊盘；以及空焊盘，设于半导体芯片的基板上。该半导体装置还具备：第一引线，将焊盘与半导体芯片的漏极焊盘相互连接；第二引线，将空焊盘与电容器的上部电极相互连接；以及第三引线，将焊盘与空焊盘相互连接。焊盘与空焊盘相互连接。焊盘与空焊盘相互连接。
技术研发人员：斋藤鲇彦
受保护的技术使用者：住友电工光电子器件创新株式会社
技术研发日：2021.09.07
技术公布日：2022/11/25
再多了解一些
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