一种表征标准单元片上变化参数的方法与系统与流程

技术特征：
1.一种表征标准单元片上变化参数的方法，其特征在于，针对目标电子元件，采集目标电子元件的各预设工艺参数，执行以下步骤s1-步骤s4，对工艺参数的变化进行仿真，获得目标电子元件变化参数：步骤s1:针对目标电子元件，采集目标电子元件的各预设工艺参数，进行输出延迟和输出转换时间的灵敏度分析；步骤s2:构建基于灵敏度分析的响应面模型，所述响应面模型用于表示目标电子元件对各工艺参数变化的响应，基于步骤s1所获得的灵敏度分析结果，确定响应面模型的响应面；步骤s3:根据步骤s2所确定的响应面模型的响应面，通过建立拟合模型方程，得到响应面模型的响应面对应的曲面模型和所拟合的曲面模型方程；步骤s4:基于目标电子元件的各预设工艺参数，通过对曲面模型进行蒙特卡罗模拟，对工艺参数的变化进行仿真，针对仿真结果提取时序参数，以表示目标电子元件变化参数。2.根据权利要求1所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法，其特征在于，各预设工艺参数包括晶体管栅长、晶体管栅宽、单晶体管阈值电压、从主成分分析中导出的中间参数。3.根据权利要求1所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法，其特征在于，步骤s1的方法如下：在目标电子元件的各预设工艺参数中选取其中一个工艺参数，进行第一次灵敏度分析，并确定目标电子元件对该工艺参数变化的响应是否是线性的；若是，则进行步骤s2，否则选取另一个工艺参数，与该工艺参数进行成对灵敏度分析,若所选择的各工艺参数与该工艺参数在成对灵敏度分析中均不为线性，则结束步骤s1，重新选择预设工艺参数。4.根据权利要求1所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法，其特征在于，步骤s1中分别以各预设工艺参数的标称值为中心，在预设范围内采集预设数量的灵敏度点，进行灵敏度分析。5.根据权利要求1所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法，其特征在于，步骤s1中灵敏度分析为针对各预设工艺参数，基于spice仿真软件，进行10000次蒙特卡洛仿真。6.根据权利要求1所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法，其特征在于，步骤s3中所述拟合的曲面模型方程f(p)如下式：式中，f(0)为测量点(0，0)处的标称值，f(p
i
)为工艺参数p
i
的线性或指数方程，f(p
i
,p
j
)为工艺参数p
i
、p
j
的双线性或非拟合方程。7.根据权利要求1所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法，其特征在于，步骤s4中对曲面模型进行蒙特卡罗模拟包括在曲面模型上分别使用各预设工艺参数的预设数量的随机值执行蒙特卡罗仿真，以仿真结果构建直方图形式的样本集合，直方图中的每个直方对应表示每个输出延迟值的样本数量，基于直方图，提取均值、标准差、分位数、偏度、峰度、矩，表示目标电子元件变化参数。8.一种表征标准单元片上变化参数的系统，其特征在于，包括自适应灵敏度分析仪、自
适应表面建模器、模型评估器、参数提取器，以实现如权利要求1-7任意一项所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法；自适应灵敏度分析仪，配置为对目标电子元件的各预设工艺参数，进行输出延迟和输出转换时间的灵敏度分析；自适应表面建模器，配置为基于灵敏度分析构建响应面模型，用于表示目标电子元件对各工艺参数变化的响应，响应面模型根据灵敏度分析结果确定响应面，通过建立拟合模型方程，得到响应面模型的响应面对应的曲面模型和所拟合的曲面模型方程；模型评估器，配置基于目标电子元件的各预设工艺参数，通过对曲面模型进行蒙特卡罗模拟，对工艺参数的变化进行仿真；参数提取器，针对仿真结果提取时序参数，以表示目标电子元件变化参数。9.根据权利要求8所述的一种表征标准单元片上变化参数的系统，其特征在于，自适应灵敏度分析仪包括spice模拟器，模型评估器包括蒙特卡洛模拟器。10.一种存储软件的计算机可读取介质，其特征在于，所述可读取介质包括能通过一个或多个计算机执行的指令，所述指令在被所述一个或多个计算机执行时，执行如所述权利要求1-7中任意一项所述的一种表征标准单元片上变化参数的方法的操作。

技术总结
本发明公开了一种表征标准单元片上变化参数的方法与系统，本发明是针对电子电路设计和验证的方法，并且更具体地针对用于表征电子电路设计内的电子元件以用于验证的技术，使用基于自适应灵敏度的分析来建立自适应方程以表示电子元件的时序响应表面。通过构建自适应表面响应，基于样本的评估可以高度准确地提取电子元件时序参数，包括片上变化信息，例如标准差和矩。准差和矩。准差和矩。


技术研发人员：张浩
受保护的技术使用者：南京美辰微电子有限公司
技术研发日：2022.10.28
技术公布日：2023/2/3