图像传感器的制作方法

技术特征：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：框架(10)；芯片基板(20)，所述芯片基板(20)设置在所述框架(10)内；成像模块，所述成像模块设置在所述框架(10)内且与所述芯片基板(20)间隔设置；光电转换模块，所述光电转换模块位于所述芯片基板(20)朝向所述成像模块的一侧表面上，且所述成像模块与所述光电转换模块对应设置；光源模块(50)，所述光源模块(50)设置在所述框架(10)的外部且位于成像模块远离所述光电转换模块的一侧，所述光源模块(50)包括多个发光件，多个所述发光件被分为至少两列，至少两列所述发光件平行设置，所述发光件的出光侧具有聚光结构(54)，所述图像传感器的检测面(60)位于所述光源模块(50)远离所述框架(10)的一侧，所述光源模块(50)发射的光倾斜照射在所述检测面(60)上。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述成像模块包括多个镜头(30)，多个所述镜头(30)沿一直线间隔排列，所述光电转换模块包括多个光电转换芯片(40)，多个所述光电转换芯片(40)与多个所述镜头(30)一一对应设置，所述光源模块(50)为线性光源，所述光源模块(50)的延伸方向与多个所述镜头(30)的排列方向一致。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光源模块(50)包括：光源框体(51)；光源基板(52)，所述光源基板(52)设置在所述光源框体(51)内；多个所述发光件，多个所述发光件均为led(53)，同一列的相邻两个所述led(53)间隔设置，所述聚光结构(54)为一个或多个，当所述聚光结构(54)为一个时，所述聚光结构(54)在所述光源基板(52)上的投影覆盖两列所述led(53)。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，当所述聚光结构(54)为一个时，所述聚光结构(54)为单凸透镜，所述单凸透镜包括入光面、出光面和连接所述入光面和所述出光面的侧面，所述侧面为全反射面，所述入光面为平面，所述出光面为弧面。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述弧面的曲率半径大于等于6mm。6.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，当所述聚光结构(54)为一个时，所述聚光结构(54)为双凸透镜，所述双凸透镜包括入光面、出光面和连接所述入光面和所述出光面的侧面，所述侧面为全反射面，所述入光面为弧面，所述出光面为弧面。7.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，当所述聚光结构(54)为多个时，多个所述聚光结构(54)至少包括第一聚光结构(541)和第二聚光结构(542)，所述第一聚光结构(541)和所述第二聚光结构(542)沿所述led(53)的出光方向间隔设置；或者所述第一聚光结构(541)和所述第二聚光结构(542)与两列所述led(53)一一对应设置。8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第一聚光结构(541)和所述第二聚光结构(542)沿所述led(53)的出光方向间隔设置，且所述第二聚光结构(542)位于所述第一聚光结构(541)远离所述led(53)的一侧，所述第一聚光结构(541)为圆棒结构，所述第二聚光结构(542)为单凸透镜。9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，
所述圆棒结构的直径大于等于6mm；和/或所述单凸透镜具有凸面，所述凸面位于所述单凸透镜远离所述第一聚光结构(541)的一侧。10.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述第一聚光结构(541)和所述第二聚光结构(542)与两列所述led(53)一一对应设置，所述第一聚光结构(541)与所述第二聚光结构(542)形状相同，所述第一聚光结构(541)的截面呈椭圆形；和/或所述第一聚光结构(541)包括入光面(543)、出光面(545)和连接所述入光面(543)和所述出光面(545)的侧面(544)，所述入光面(543)和所述出光面(545)均为弧面且两者向彼此远离的方向凸出，所述侧面(544)为全反射面。11.根据权利要求1至10中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述光源模块(50)为多个，所述框架(10)的至少两侧设置有所述光源模块(50)。

技术总结
本实用新型提供了一种图像传感器。图像传感器包括：框架；芯片基板，芯片基板设置在框架内；成像模块，成像模块设置在框架内且与芯片基板间隔设置；光电转换模块，光电转换模块位于芯片基板朝向成像模块的一侧表面上，且成像模块与光电转换模块对应设置；光源模块，光源模块设置在框架的外部且位于成像模块远离光电转换模块的一侧，光源模块包括多个发光件，多个发光件被分为至少两列，至少两列发光件平行设置，发光件的出光侧具有聚光结构，图像传感器的检测面位于光源模块远离框架的一侧，光源模块发射的光倾斜照射在检测面上。本实用新型解决了现有技术中的图像传感器存在识别困难的问题。难的问题。难的问题。


技术研发人员：曲涛
受保护的技术使用者：威海华菱光电股份有限公司
技术研发日：2022.08.29
技术公布日：2022/12/1