一种化学气相沉积设备的制作方法

技术特征：
1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：炉体(100)，其内部具有反应室(101)，所述炉体(100)的壁(102)上设有连通所述反应室(101)的进气口(103)和排气口(104)；载具(200)，设在所述反应室(101)内，包括供材料生长的衬底(201)；第一测温组件(300)，设在所述炉体(100)的壁(102)上，包括第一调节机构(301)和第一测温元件(302)，所述第一测温元件(302)的检测口与所述衬底(201)的侧面相对，所述第一调节机构(301)能够带动所述第一测温元件(302)随所述衬底(201)侧面上生长材料厚度的增加向远离所述衬底(201)的方向运动，以使所述第一测温元件(302)的检测口与所述衬底(201)侧面上的生长材料的表面对准且保持第一预设距离；第二测温组件(400)，设在所述炉体(100)的壁(102)上，包括第二调节机构(401)和第二测温元件(402)，所述第二测温元件(402)的检测口正对所述衬底(201)顶面的中心点，所述第二调节机构(401)能够带动所述第二测温元件(402)随所述衬底(201)顶面上生长材料厚度的增加向远离所述衬底(201)的方向运动，以使所述第二测温元件(402)的检测口与所述衬底(201)顶面上生长材料的上表面的中心点对准且保持第二预设距离。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一调节机构(301)包括第一滑轨(303)和滑动设于所述第一滑轨(303)上的第一滑块(304)，所述第一测温元件(302)与所述第一滑块(304)固定连接，所述第一滑块(304)能够带动所述第一测温元件(302)随所述衬底(201)侧面上生长材料厚度的增加向远离所述衬底(201)的方向移动。3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二调节机构(401)包括第二滑轨(403)和滑动设于所述第二滑轨(403)上的第二滑块(404)，所述第二测温元件(402)与所述第二滑块(404)转动连接，所述第二滑块(404)能够带动所述第二测温元件(402)随所述衬底(201)侧面上生长材料厚度的增加向远离所述衬底(201)的方向移动，所述第二测温元件(402)能够随所述衬底(201)侧面上生长材料厚度的增加相对于所述第二滑块(404)向靠近所述炉体(100)顶部的方向转动。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述炉体(100)的壁(102)上开设有第一测温口(105)，所述第一测温口(105)密封连接有第一观察窗(106)；所述第一测温组件(300)包括第一壳体，所述第一壳体安装在所述第一测温口(105)处，所述第一调节机构(301)和第一测温元件(302)设于所述第一壳体内，所述第一测温元件(302)的检测口透过所述第一观察窗(106)检测所述衬底(201)侧面上生长材料表面的温度。5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述炉体(100)的壁(102)上开设有第二测温口(107)，所述第二测温口(107)密封连接有第二观察窗(108)，所述第二观察窗(108)至少部分向所述反应室(101)凸出；所述第二测温组件(400)包括第二壳体，所述第二壳体安装在所述第二测温口(107)处，所述第二调节机构(401)和第二测温元件(402)设于所述第二壳体内，所述第二测温元件(402)的检测口透过第二观察窗(108)检测所述衬底(201)顶面上生长材料的上表面中心处的温度。
6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述载具(200)还包括旋转轴(202)和载台(203)，所述旋转轴(202)的上端与所述载台(203)固定，所述旋转轴(202)的下端与所述炉体(100)的底面转动连接，所述衬底(201)设在所述载台(203)上，所述载台(203)、所述旋转轴(202)和所述衬底(201)为同轴设置。7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述第一观察窗(106)和所述第二观察窗(108)为石英材料制成；所述第一壳体和所述第二壳体伸入所述反应室(101)内的部分为石墨材质，所述第一壳体和第二壳体位于所述反应室(101)外的部分为不锈钢材质。8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，第一测温元件(302)的中心轴与所述衬底(201)的中心轴垂直；所述第一测温元件(302)和所述第二测温元件(402)为红外测温仪。9.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述第一测温组件(300)还包括第一驱动装置(502)，所述第一驱动装置(502)与所述第一滑块(304)相连，用于驱动所述第一滑块(304)带动所述第一测温元件(302)移动；所述第二测温组件(400)还包括第二驱动装置(503)和第三驱动装置(504)，所述第二驱动装置(503)与所述第二滑块(404)相连，用于驱动所述第二滑块(404)带动所述第二测温元件(402)移动；所述第三驱动装置(504)用于驱动所述第二测温元件(402)相对于所述第二滑块(404)转动。10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述设备还包括控制器(500)和膜厚测量装置，所述控制器(500)分别与所述膜厚测量装置、所述第一驱动装置、所述第二驱动装置和所述第三驱动装置信号连接；所述膜厚测量装置用于获取所述衬底(201)上生长材料的检测数据，并将所述检测数据传输至所述控制器(500)；所述控制器(500)用于根据所述检测数据确定所述衬底(201)侧面上及顶面上生长材料的厚度，并基于所述衬底(201)侧面上生长材料的厚度，控制所述第一驱动装置(502)调整所述第一测温元件(302)的位置，基于所述衬底(201)顶面上生长材料的厚度，控制所述第二驱动装置(503)和第三驱动装置(504)调整所述第二测温元件(402)的位置。

技术总结
本发明公开一种化学气相沉积设备，包括炉体，炉体内设有供材料生长的衬底，炉体上设有进气口、排气口、第一测温组件和第二测温组件，第一测温组件包括第一调节机构和第一测温元件，第一调节机构能够随衬底上生长材料厚度的增加带动第一测温元件移动，使第一测温元件的检测口与衬底侧面上的生长材料的表面对准且保持第一预设距离，第二测温组件包括第二调节机构和第二测温元件，第二调节机构能够随衬底顶面上生长材料厚度的增加带动第二测温元件移动，使第二测温元件的检测口与衬底顶面上生长材料的上表面的中心对准且保持第二预设距离。本发明通过使测温元件与被测材料之间的相对位置保持不变，确保测温结果的真实性和准确性。性。性。


技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：新美光(苏州)半导体科技有限公司
技术研发日：2022.09.28
技术公布日：2023/1/31