绝缘栅双极型晶体管的制作方法

技术特征：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；有源区，所述有源区设置于所述半导体衬底上；终端区，所述终端区设置于所述半导体衬底上，且环绕所述有源区设置，所述终端区包括至少两个终端环，所述终端环上设置有压焊点，相邻的两个所述终端环相互独立或通过所述压焊点相互连接。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，相邻的两个所述终端环上的所述压焊点相互交错设置。3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，相邻的两个所述终端环上的所述压焊点之间的间距为50μm~100μm。4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述终端环和所述压焊点之间具有介电层，所述介电层上设置有接触孔，所述压焊点和所述终端环通过所述接触孔连接。5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述压焊点为矩形，所述压焊点的长和宽为20μm~100μm。6.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述终端环的宽度为5μm~50μm。7.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，相邻的两个所述终端环之间的环间距为5μm~50μm。8.如权利要求1至7任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型，所述终端环具有第二导电类型。9.如权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述的第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型；或所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。10.如权利要求1至7任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

技术总结
本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底、有源区和终端区，其中，有源区和终端区均设置于半导体衬底上，终端区环绕有源区设置，终端区包括至少两个终端环，终端环上设置有压焊点，相邻的两个终端环相互独立或通过压焊点相互连接。本方案可以在不重新进行流片制作的前提下对绝缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。


技术研发人员：李伟聪 文雨 姜春亮
受保护的技术使用者：深圳市威兆半导体股份有限公司
技术研发日：2022.11.24
技术公布日：2023/1/13