一种基于厚薄膜多层电路SRD梳状谱发生器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一个第一陶瓷基板（1）、一个第二陶瓷基板（2）、至少一个第三陶瓷基板（3）、一个第四陶瓷基板（4）；在第一陶瓷基板（1）顶面加工形成c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、l
t
金属涂层（15）、l
m
金属涂层（16）、射频信号传输微带线、输出电容金属片（18）；在第二陶瓷基板（2）顶面加工形成第一地层（21）、c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、输出电容金属片（18）；在第三陶瓷基板（3）顶面加工形成c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、输出电容金属片（18）；在第四陶瓷基板（4）顶面加工形成第二地层（41）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、输出电容金属片（18）；其中，l
t
金属涂层（15）、l
m
金属涂层（16）采用薄膜电路工艺加工；c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、射频信号传输微带线、输出电容金属片（18）采用厚膜电路工艺加工；将第一陶瓷基板（1）、第二陶瓷基板（2）、第三陶瓷基板（3）、第四陶瓷基板（4）自上而下依次叠合、对位，并通过压合烧结形成一体；将srd（17）组装于第一陶瓷基板（1）顶面。2.根据权利要求1所述的基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器的制备方法，其特征在于，每一层的c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、电容金属片（18）分别一一对应。3.根据权利要求1所述的基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器的制备方法，其特征在于，第一地层（21）用作第二陶瓷基板（2）对应的接地层，第二地层（41）用作第四陶瓷基板（4）对应的接地层。4.一种基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器，其特征在于，采用如权利要求1~3中任意一项所述的基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器的制备方法获得。5.一种基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器，其特征在于，包括自上而下叠合烧制的一个第一陶瓷基板（1）、一个第二陶瓷基板（2）、至少一个第三陶瓷基板（3）、一个第四陶瓷基板（4）；第一陶瓷基板（1）顶面具有c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、l
t
金属涂层（15）、l
m
金属涂层（16）、srd（17）、射频信号传输微带线、输出电容金属片（18）；第二陶瓷基板（2）顶面具有第一地层（21）、c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、输出电容金属片（18）；第三陶瓷基板（3）顶面具有c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、输出电容金属片（18）；第四陶瓷基板（4）顶面具有第二地层（41）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、输出电容金属片（18）；其中，l
t
金属涂层（15）、l
m
金属涂层（16）通过薄膜电路工艺加工而成，c
d
金属涂层（11）、
c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、射频信号传输微带线、输出电容金属片（18）通过厚膜电路工艺加工而成。6.根据权利要求5所述的基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器，其特征在于，每一层的c
d
金属涂层（11）、c
m
金属涂层（12）、c
t
金属涂层（13）、l
b
和r
b
金属涂层（14）、电容金属片（18）分别一一对应。7.根据权利要求5所述的基于厚薄膜多层电路srd梳状谱发生器，其特征在于，第一地层（21）用作第二陶瓷基板（2）对应的接地层，第二地层（41）用作第四陶瓷基板（4）对应的接地层。

技术总结
本发明公开了一种基于厚薄膜多层电路SRD梳状谱发生器及其制备方法，属于梳状谱发生器技术领域，制备方法包括：在第一陶瓷基板顶面加工C


技术研发人员：吴中军 丛楠 孙浩然
受保护的技术使用者：四川斯艾普电子科技有限公司
技术研发日：2022.11.28
技术公布日：2022/12/30