一种高性能多层复合磁体的制备方法

技术特征：
1.一种高性能多层复合磁体的制备方法，其特征在于利用磁控溅射工艺将按原子百分比的mn
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bi
55
合金靶材、fe
60
co
40
合金靶材和ce
16
fe
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b8合金靶材按顺序依次溅射在尺寸为10 mm*10 mm的si片基底上，制得(mnbi/feco/cefeb)
×
n（n=1~5）多层夹心结构薄膜，之后对多层薄膜进行原位下的磁场辅助激光加热热处理，实现ltp mnbi相、软磁feco相和ce2fe
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b相的形成及软/硬之间的有效复合，最终获得高性能多层复合磁体。2.根据权利要求1所述的一种高性能多层复合磁体的制备方法，其特征在于磁控溅射沉积的工艺条件为：溅射过程中真空室真空度为5
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10-4 pa~9
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10-4 pa，磁控溅射电流为10~30 a，靶材的沉积速率为0.01 nm/s ~0.10 nm/s。3.根据权利要求1所述的一种高性能多层复合磁体的制备方法，其特征在于，mnbi层的沉积厚度为5 nm ~50 nm，feco层的沉积厚度为1 nm ~10 nm，cefeb层的沉积厚度为5 nm ~50 nm。4.根据权利要求1所述的一种高性能多层复合磁体的制备方法，其特征在于所述的原位下的磁场辅助激光加热热处理的工艺条件为：磁场强度为1 t~3 t，升温速率为100~200 ℃/s，退火温度为500~1000 ℃，退火时间为5~50 s。

技术总结
本发明公开了一种高性能多层复合磁体的制备方法，属于磁性材料技术领域。该制备方法包括：本发明利用磁控溅射工艺将按原子百分比的Mn


技术研发人员：王泽宇 杨杭福 泮敏翔 吴琼 葛洪良
受保护的技术使用者：中国计量大学
技术研发日：2022.11.18
技术公布日：2022/12/30