技术特征：
1.一种集成芯片，包含：一半导体层，位在一基板上；一对源极/漏极，沿着上述半导体层排列；一第一金属层，位在上述基板上；一第二金属层，位在上述第一金属层上；以及一铁电层，位在上述第二金属层上；其中，上述第一金属层具有一第一晶体方向，上述第二金属层具有与上述第一晶体方向不同的一第二晶体方向。
技术总结
一种集成芯片包含位于一基板上的一半导体层。一对源极/漏极沿着上述半导体层排列。一第一金属层位在上述基板上。一第二金属层位在上述第一金属层上。一铁电层位在上述第二金属层上。上述第一金属层具有一第一晶体方向，上述第二金属层具有与上述第一晶体方向不同的一第二晶体方向。一第二晶体方向。一第二晶体方向。
技术研发人员：黄彦杰 陈海清 林仲德
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.13
技术公布日：2022/12/12
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