半导体结构的制作方法以及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、绝缘层、介质层、凹槽以及阻挡层，所述绝缘层位于所述衬底的表面上，所述介质层位于所述绝缘层的远离所述衬底的表面上，所述凹槽位于所述介质层中，所述阻挡层至少位于所述凹槽的内壁上；在所述阻挡层的裸露表面交替沉积第一金属材料层和第二金属材料层，以形成金属层，所述金属层的远离所述基底的表面为所述第一金属材料层，所述第二金属材料层的沉积温度高于所述第一金属材料层的沉积温度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤包括：在所述阻挡层的表面进行多次交替沉积工艺，以形成所述金属层，所述交替沉积工艺包括沉积一次所述第一金属材料层和沉积一次所述第二金属材料层，所述交替沉积工艺的次数为2次~10次。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述交替沉积工艺还包括：在沉积所述第二金属材料层的步骤之后，对所述第二金属材料层进行冷却处理。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述金属层的步骤之前，所述方法还包括：在所述阻挡层的裸露表面上形成粘合层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述金属层的步骤之后，所述方法还包括：在所述金属层的裸露表面形成抗反射层。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属材料层的沉积温度范围在100℃~210℃。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二金属材料层的沉积温度范围在310℃~600℃。8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属材料层的材料和所述第二金属材料层的材料均包括以下至少之一：铝、铜、钨以及钛。9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括以下之一：氮化钽、钽以及氮化钛。10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度范围为50nm~2000nm，所述凹槽在垂直于所述衬底的厚度方向的宽度范围为10nm~500nm。11.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底、绝缘层、介质层、凹槽以及阻挡层，所述绝缘层位于所述衬底的表面上，所述介质层位于所述绝缘层的远离所述衬底的表面上，所述凹槽位于所述介质层中，所述阻挡层至少位于所述凹槽的内壁上；金属层，位于所述阻挡层的表面上，所述金属层包括交替层叠的第一金属材料层和第二金属材料层，所述金属层的远离所述基底的表面为所述第一金属材料层，所述第二金属材料层的沉积温度高于所述第一金属材料层的沉积温度。

技术总结
本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，包括衬底、位于衬底的表面上的绝缘层、位于绝缘层的远离衬底的表面上的介质层、位于介质层中的凹槽以及至少位于凹槽的内壁上的阻挡层；之后，在阻挡层的表面交替沉积第一金属材料层和第二金属材料层，以形成金属层，金属层的远离基底的表面为第一金属材料层，第二金属材料层的沉积温度高于第一金属材料层的沉积温度。该方法通过循环交替生长高温的第二金属材料层，使得每个高温第二金属材料层的生长时间变短，同时，最后一层生长低温第一金属材料层，从而减少金属层表面须状缺陷的产生，进而解决了现有技术中金属薄膜工艺中缺陷较多的问题。现有技术中金属薄膜工艺中缺陷较多的问题。现有技术中金属薄膜工艺中缺陷较多的问题。


技术研发人员：刘洋 游咏晞
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2022.12.02
技术公布日：2022/12/30