检测基板和检测电路的制作方法

技术特征：
1.一种检测基板，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底一侧的多个检测单元；所述检测单元至少包括无机晶体管、有机晶体管和光电传感元件；所述有机晶体管至少包括有机半导体部；在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述有机半导体部所在膜层位于所述无机晶体管所在膜层远离所述衬底的一侧，所述有机半导体部所在膜层位于所述光电传感元件所在膜层远离所述衬底的一侧；所述检测单元的所述有机晶体管连接传感电极，所述传感电极位于所述无机晶体管所在膜层远离所述衬底的一侧。2.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述有机晶体管为双栅有机晶体管，所述有机晶体管包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极所在膜层位于所述第二栅极所在膜层朝向所述衬底的一侧，所述第一栅极与所述传感电极连接。3.根据权利要求2所述的检测基板，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述有机晶体管与所述光电传感元件不交叠。4.根据权利要求3所述的检测基板，其特征在于，所述检测基板包括位于所述衬底一侧的第一金属层、第一有源层、第二金属层、第一电极层、第三金属层、第二有源层、第四金属层；所述无机晶体管的栅极位于所述第一金属层，所述无机晶体管的有源部位于所述第一有源层，所述无机晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层；所述传感电极位于所述第一电极层，所述传感电极通过第一过孔与所述有机晶体管的所述第一栅极连接；所述有机晶体管的源极和漏极位于所述第三金属层，所述有机晶体管的有源部位于所述第二有源层，所述有机晶体管的所述第二栅极位于所述第四金属层。5.根据权利要求4所述的检测基板，其特征在于，所述光电传感元件所在膜层位于所述无机晶体管所在膜层远离所述衬底的一侧，所述有机半导体部所在膜层位于所述光电传感元件所在膜层远离所述衬底的一侧。6.根据权利要求5所述的检测基板，其特征在于，所述有机晶体管的所述第一栅极位于所述第二金属层。7.根据权利要求5所述的检测基板，其特征在于，所述光电传感元件包括堆叠设置的n型半导体部、本征半导体部与p型半导体部，所述本征半导体部位于所述n型半导体部和所述p型半导体部之间；所述n型半导体部通过第二过孔与至少一个所述无机晶体管的漏极连接。8.根据权利要求7所述的检测基板，其特征在于，所述第一电极层包括偏置电压线，所述偏置电压线通过第三过孔与所述p型半导体部连接。9.根据权利要求4所述的检测基板，其特征在于，至少部分所述光电传感元件所在膜层与至少部分所述无机晶体管所在膜层同层设置。10.根据权利要求4所述的检测基板，其特征在于，所述光电传感元件包括感光晶体管，所述感光晶体管包括第三栅极和第四栅极，所述第三栅极所在膜层位于所述第四栅极所在膜层朝向所述衬底的一侧。11.根据权利要求10所述的检测基板，其特征在于，所述感光晶体管为鳍栅晶体管，所述第四栅极为鳍栅结构，所述鳍栅晶体管的有源部
包括第一本体部和位于所述第一本体部远离所述衬底一侧的第一凸块部。12.根据权利要求11所述的检测基板，其特征在于，所述鳍栅晶体管的所述第三栅极位于所述第一金属层，所述鳍栅晶体管的有源部位于所述第一有源层，所述鳍栅晶体管的源极和漏极位于所述第二金属层；所述鳍栅晶体管的所述第四栅极位于所述第一电极层，所述鳍栅晶体管的第四栅极在所述衬底所在平面的正投影覆盖所述第一凸块部在所述衬底所在平面的正投影。13.根据权利要求10所述的检测基板，其特征在于，所述第一有源层的制作材料包括非晶硅材料，所述感光晶体管的有源部与所述无机晶体管的有源部同层设置，所述感光晶体管的源极和漏极与所述无机晶体管的源极和漏极同层设置，所述感光晶体管的所述第三栅极与所述无机晶体管的栅极同层设置。14.根据权利要求10所述的检测基板，其特征在于，所述第一有源层的制作材料包括金属氧化物，所述感光晶体管的所述第三栅极位于所述第二金属层；所述感光晶体管的有源部包括非晶硅材料，所述感光晶体管的有源部所在膜层位于所述第二金属层远离所述衬底的一侧；所述感光晶体管的源极和漏极所在膜层位于所述感光晶体管的有源部所在膜层远离所述衬底的一侧。15.根据权利要求10所述的检测基板，其特征在于，所述第一有源层的制作材料包括低温多晶硅，所述第一有源层位于所述第一金属层靠近所述衬底的一侧；所述感光晶体管的所述第三栅极位于所述第一金属层；所述感光晶体管的有源部包括非晶硅材料，所述感光晶体管的有源部所在膜层位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；所述感光晶体管的源极和漏极所在膜层位于所述第二金属层。16.根据权利要求15所述的检测基板，其特征在于，所述检测单元至少包括两个所述无机晶体管，且分别为第一无机晶体管和第二无机晶体管，所述第一无机晶体管的有源部和所述第二无机晶体管的有源部掺杂的半导体类型不同。17.根据权利要求4所述的检测基板，其特征在于，所述第一电极层包括第一连接部，所述有机晶体管的源极通过所述第一连接部与至少一个所述无机晶体管的漏极连接。18.根据权利要求2所述的检测基板，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述有机晶体管与所述光电传感元件至少部分交叠；所述光电传感元件在所述衬底所在平面的正投影的面积大于所述有机晶体管在所述衬底所在平面的正投影的面积。19.根据权利要求18所述的检测基板，其特征在于，所述有机晶体管的所述第一栅极所在膜层位于所述光电传感元件所在膜层远离所述衬底的一侧。20.根据权利要求19所述的检测基板，其特征在于，所述检测基板还包括第五金属层，所述第五金属层位于所述传感电极所在膜层与所述光电传感元件所在膜层之间，所述有机晶体管的所述第一栅极位于所述第五金属层。21.根据权利要求19所述的检测基板，其特征在于，所述检测基板还包括第二电极层，所述第二电极层位于所述传感电极所在膜层与所述
光电传感元件所在膜层之间，所述有机晶体管的所述第一栅极位于所述第二电极层。22.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，还包括第一保护层，所述第一保护层位于所述有机晶体管所在膜层远离所述衬底的一侧，所述第一保护层包括第一通孔，所述第一通孔至少贯穿部分所述第一保护层，所述第一通孔至少暴露出部分所述传感电极。23.根据权利要求22所述的检测基板，其特征在于，所述第一保护层还包括多个第二通孔，所述第二通孔至少贯穿部分所述第一保护层；在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第二通孔与所述光电传感元件至少部分交叠。24.根据权利要求22所述的检测基板，其特征在于，所述第一保护层包括多个微棱镜结构，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述微棱镜结构与所述光电传感元件至少部分交叠。25.根据权利要求24所述的检测基板，其特征在于，所述微棱镜结构包括三角形微棱镜结构或半圆形微棱镜结构的任一种。26.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述检测单元还包括发光元件，所述发光元件所在膜层位于所述有机半导体部所在膜层和所述无机晶体管所在膜层之间；所述发光元件的阳极通过第二连接部与至少一个所述无机晶体管的漏极连接，所述第二连接部与所述传感电极同层设置。27.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述检测基板还包括多个阵列排布的激发光源，所述激发光源位于所述衬底远离所述检测单元的一侧。28.根据权利要求1所述的检测基板，其特征在于，所述检测基板还包括加热组件，所述加热组件位于所述衬底远离所述检测单元的一侧。29.根据权利要求28所述的检测基板，其特征在于，所述加热组件可包括金属走线或者电阻器件中的任一种。30.一种检测电路，其特征在于，所述检测电路包括多个检测单元，所述检测单元包括电连接的第一检测模块、第二检测模块、读取模块；所述第一检测模块和所述第二检测模块均与所述读取模块连接；所述第一检测模块包括有机晶体管和传感电极，所述有机晶体管的栅极与所述传感电极电连接；所述第二检测模块包括光电传感元件。31.根据权利要求30所述的检测电路，其特征在于，所述第一检测模块还包括第一选择晶体管，所述第一选择晶体管的栅极连接第一选择控制信号，所述第一选择晶体管的第一极连接所述有机晶体管的漏极，所述有机晶体管的源极连接第一电源信号；所述第一选择晶体管的第二极连接所述读取模块；所述第二检测模块还包括第二选择晶体管，所述第二选择晶体管的栅极连接第二选择控制信号，所述第二选择晶体管的第一极连接所述光电传感元件的第一极，所述光电传感元件的第二极连接所述读取模块，所述第二选择晶体管的第二极连接第二电源信号；所述检测单元还包括电容，所述电容的第一极分别与所述第一选择晶体管的第二极、
所述光电传感元件的第二极连接，所述电容的第二极连接所述第二电源信号；其中，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管均为无机晶体管。32.根据权利要求31所述的检测电路，其特征在于，所述检测单元还包括放大模块和复位模块；所述放大模块包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极分别与所述第一选择晶体管的第二极、所述光电传感元件的第二极连接，所述第四晶体管的第一极连接所述第一电源信号，所述第四晶体管的第二极连接所述读取模块；所述读取模块包括第五晶体管，所述第五晶体管的栅极连接读取控制信号，所述第五晶体管的第一极连接所述第四晶体管的第二极；所述复位模块包括第六晶体管，所述第六晶体管的栅极连接复位信号，所述第六晶体管的第一极连接所述第一电源信号，所述第六晶体管的第二极分别与所述第一选择晶体管的第二极、所述光电传感元件的第二极连接；其中，所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管均为所述无机晶体管。33.根据权利要求31所述的检测电路，其特征在于，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管的类型不同，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的一者为n型晶体管，另一者为p型晶体管；所述第一选择晶体管的栅极和所述第二选择晶体管的栅极连接。34.根据权利要求31所述的检测电路，其特征在于，同一列所述检测单元的多个所述读取模块连接至同一个检测端，所述检测端连接有一固定电阻。35.根据权利要求30所述的检测电路，其特征在于，所述光电传感元件包括光电二极管。36.根据权利要求30所述的检测电路，其特征在于，所述读取模块包括第一读取晶体管和第二读取晶体管；所述第一读取晶体管的栅极连接第一读取控制信号，所述第一读取晶体管的第一极连接所述有机晶体管的漏极，所述有机晶体管的源极连接第一电源信号；所述第二读取晶体管的栅极连接第二读取控制信号，所述第二读取晶体管的第一极连接鳍栅晶体管的漏极，所述鳍栅晶体管的源极连接第一电源信号；其中，所述第一读取晶体管、所述第二读取晶体管均为无机晶体管。37.根据权利要求36所述的检测电路，其特征在于，所述光电传感元件包括双栅结构的鳍栅晶体管，所述鳍栅晶体管的底栅连接偏压信号，所述鳍栅晶体管的顶栅连接第二电源信号。

技术总结
本发明公开了一种检测基板和检测电路，属于检测技术领域，检测基板包括衬底和多个检测单元；检测单元至少包括无机晶体管、有机晶体管和光电传感元件；有机晶体管包括有机半导体部，有机半导体部所在膜层位于无机晶体管所在膜层远离衬底的一侧，有机半导体部所在膜层位于光电传感元件所在膜层远离衬底的一侧；有机晶体管连接传感电极。检测电路包括多个检测单元，检测单元包括第一检测模块、第二检测模块、读取模块；第一检测模块包括有机晶体管和传感电极，第二检测模块包括光电传感元件。本发明既可以实现流体中生物反应的感测，又可以集成有荧光反应检测功能，实现生物反应检测与荧光检测一体化的同时，还可以提高基板良率。还可以提高基板良率。还可以提高基板良率。


技术研发人员：卢浩天 王林志 林柏全 席克瑞 龚顺 黄钰坤 许凡 章凯迪
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
技术研发日：2022.10.12
技术公布日：2022/12/30