显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.oled显示屏具有自发光，广视角、色彩丰富、功耗低、可柔性弯曲等优点，是目前公认的继lcd之后最具潜力的第三代显示屏。与单发光oled器件相比，串联结构的oled器件，即叠层oled器件(toled)，由于其潜在的高亮度、长使用寿命和约100％的内量子效率(iqe)而引起了广泛关注。
3.但叠层oled器件中的中间层作为连接两个发光单元的电荷生成层，对串联结构元器件的性能具有很大的影响。具体地，电荷生成层主要为n型电荷生成层(n-cgl)和p型电荷生成层(p-cgl)，n-cgl和p-cgl的费米能级差异较大，影响电荷的产生和传输，从而影响器件的性能。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示面板及显示装置，用以解决现有技术中的叠层oled器件中的n-cgl和p-cgl的费米能级差异较大，影响电荷的产生和传输，从而影响器件的性能的技术问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括衬底以及在远离所述衬底的方向上依次层叠设置的阳极层、第一堆叠发光层、电荷生成层、第二堆叠发光层以及阴极层，其中，所述电荷生成层包括：
6.第一电荷生成层，包括第一基质材料以及掺杂在所述第一基质材料中的第一掺杂剂；
7.第二电荷生成层，包括第二基质材料以及掺杂在所述第二基质材料中的第二掺杂剂，所述第一基质材料的费米能级小于所述第二基质材料的费米能级；
8.所述第一电荷生成层的费米能级与所述第二电荷生成层的费米能级之差，小于所述第一基质材料的费米能级与所述第二基质材料的费米能级之差。
9.可选地，所述第一基质材料的费米能级为2.3ev～3.5ev，所述第一掺杂剂包括锂、镱、铷、铯、镁、三氧化钼、三氧化钨以及五氧化二钒中的一种或多种；所述第二基质材料的费米能级为5.8ev～6.5ev，所述第二掺杂剂包括2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种或多种。
10.可选地，所述第一掺杂剂的掺杂浓度为0.5％～2％，所述第二掺杂剂的掺杂浓度为1％～5％。
11.可选地，所述阳极层包括多个阳极单元，所述电荷生成层在所述衬底上的正投影覆盖多个所述多个阳极单元在所述衬底上的正投影。
12.可选地，所述第一电荷生成层的取向因子的范围是-0.4至-0.7，所述第二电荷生
成层的取向因子的范围是-0.3至-0.5。
13.可选地，所述第一堆叠发光层包括在阳极层远离衬底的方向上依次堆叠的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一有机发光层和第一空穴阻挡层；所述第二堆叠发光层包括在阳极层远离衬底的方向上依次堆叠的第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二有机发光层、第二空穴阻挡层、第二电子传输层和第二电子注入层。
14.可选地，所述第一堆叠发光层包括在所述阳极层远离所述衬底的方向上依次堆叠的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一有机发光层、第一空穴阻挡层和第一电子传输层；所述第二堆叠发光层包括在所述阳极层远离所述衬底的方向上依次堆叠的第二空穴传输层、第二电子阻挡层、第二有机发光层、第二空穴阻挡层、第二电子传输层和第二电子注入层。
15.可选地，所述第一发光层和所述第二发光层中的主体材料为2,2'-二(4-咔唑基苯基)联苯、3,3'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯、2,4,6-三([1,1'-联苯]-4-基)-1,3,5-三嗪、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1
”‑
三联苯]-3,3
”‑
二基]二吡啶、9,10-二(2-萘基)蒽或者2-新戊基-9,10-二(2-萘基)-蒽。
[0016]
可选地，蓝色第一有机发光层和蓝色第二有机发光层中的掺杂材料的比例为1％-5％，厚度为18nm～20nm，绿色第一有机发光层和绿色第二有机发光层中的掺杂材料的比例为8％-10％，厚度为42nm～50nm，红色第一有机发光层和红色第二有机发光层中的掺杂材料的比例为2％-4％，厚度为30nm～35nm。
[0017]
第二个方面，本技术实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
[0018]
本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
[0019]
本技术实施例提供的显示面板和显示装置，对第一电荷生成层和第二电荷生成层分别进行掺杂以后，有效降低了第一电荷生成层和第二电荷生成层之间的费米能级差，使得第一电荷生成层和第二电荷生成层之间的费米能级更为接近，从而能够有效提升第一电荷生成层和第二电荷生成层之间的电荷传输，提升堆叠器件的性能。
[0020]
本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0021]
本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0022]
图1为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0023]
图2为本技术实施例提供的显示面板中第一电荷生成层掺杂前后的能级测试的紫外光电子能谱；
[0024]
图3为本技术实施例提供的显示面板中第二电荷生成层掺杂前后的能级测试的紫外光电子能谱；
[0025]
图4为本技术实施例提供的显示面板的一种具体叠层结构示意图；
[0026]
图5为本技术实施例提供的显示面板的另一种具体叠层结构示意图；
[0027]
图6为本技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0028]
图7为本技术实施例提供的显示面板中多个膜层所需的材料的分子式的示意图；
[0029]
图8为本技术实施例提供的一种显示装置的框架结构示意图。
[0030]
附图标记：
[0031]
100-衬底；
[0032]
101-阳极层；1011-阳极单元；
[0033]
102-第一堆叠发光层；102r-红色第一堆叠发光层；102g-绿色第一堆叠发光层；102b-蓝色第一堆叠发光层；
[0034]
103-电荷生成层；1031-第一电荷生成层；1032-第二电荷生成层；
[0035]
104-第二堆叠发光层；104r-红色第二堆叠发光层；104g-绿色第二堆叠发光层；104b-蓝色第二堆叠发光层；
[0036]
105-阴极层；
[0037]
106-封装层；
[0038]
1021a-第一空穴注入层；1022a-第一空穴传输层；1023a-第一电子阻挡层；1024a-第一有机发光层；1025a-第一空穴阻挡层；
[0039]
1041a-第二空穴传输层；1042a-第二电子阻挡层；1043a-第二有机发光层；1044a-第二空穴阻挡层；1045a-第二电子传输层；1046a-第二电子注入层；
[0040]
1021b-第一空穴注入层；1022b-第一空穴传输层；1023b-第一电子阻挡层；1024b-第一有机发光层；1025b-第一空穴阻挡层；1026b-第一电子传输层；
[0041]
1041b-第二空穴传输层；1042b-第二电子阻挡层；1043b-第二有机发光层；1044b-第二空穴阻挡层；1045b-第二电子传输层；1046b-第二电子注入层；
[0042]
r-红色子像素；g-绿色子像素；b-蓝色子像素。
具体实施方式
[0043]
下面结合本技术中的附图描述本技术的实施例。应理解，下面结合附图所阐述的实施方式，是用于解释本技术实施例的技术方案的示例性描述，对本技术实施例的技术方案不构成限制。
[0044]
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除实现为本技术领域所支持其他特征、信息、数据、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合等。这里使用的术语“和/或”指该术语所限定的项目中的至少一个，例如“a和/或b”可以实现为“a”，或者实现为“b”，或者实现为“a和b”。
[0045]
为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
[0046]
由于toled潜在的高亮度、长使用寿命和约100％的内量子效率(iqe)而引起了广泛关注。但toled器件中的中间层作为连接两个发光单元的电荷生成层，对串联结构元器件的性能具有很大的影响。具体地，电荷生成层主要为n型电荷生成层(n-cgl)和p型电荷生成层(p-cgl)，n-cgl和p-cgl的费米能级差异较大，影响电荷的产生和传输，从而影响器件的性能。
[0047]
本技术提供的显示面板及显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。
[0048]
下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。需要指出的是，下述实施方式之间可以相互参考、借鉴或结合，对于不同实施方式中相同的术语以及相似的特征等，不再重复描述。
[0049]
本技术实施例提供了一种显示面板，如图1所示，该显示面板包括衬底100以及在远离衬底100的方向上依次层叠设置的阳极层101、第一堆叠发光层102、电荷生成层、第二堆叠发光层104以及阴极层105，其中，电荷生成层包括第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032。
[0050]
第一电荷生成层1031包括第一基质材料以及掺杂在第一基质材料中的第一掺杂剂；第二电荷生成层1032包括第二基质材料以及掺杂在第二基质材料中的第二掺杂剂，第一基质材料的费米能级小于第二基质材料的费米能级。
[0051]
第一电荷生成层1031的费米能级与第二电荷生成层1032的费米能级之差，小于第一基质材料的费米能级与第二基质材料的费米能级之差。
[0052]
具体地，第一电荷生成层1031为n型电荷生成层，第二电荷生成层1032为p型电荷生成层。以下对第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032进行详细说明。
[0053]
对于第一电荷生成层1031来说，第一基质材料的费米能级为2.3ev～3.5ev，这与第一基质材料的材料本身性能相关，第一基质材料可采用电子传输层的常用材料，也可以采用图7所示的式23所示的材料。需要说明的是，第一基质材料虽然可以选用电子传输层常用的材料，但在同一器件中，第一基质材料与第一电子传输层、第二电子传输层可选用不同种材料。
[0054]
具体地，图7所示的式23为1,4-双[2-(9-苯基-1,10-菲罗啉)]苯。
[0055]
第一掺杂剂包括锂、镱、铷、铯、镁、三氧化钼、三氧化钨以及五氧化二钒中的一种或多种。第一掺杂剂的掺杂浓度为0.5％～2％。掺杂第一掺杂剂之后的第一电荷生成层1031相对于第一基质材料来说，由于能带弯曲而使得掺杂第一掺杂剂之后的第一电荷生成层1031的费米能级至少能够增大0.2ev。
[0056]
对于第二电荷生成层1032来说，第二基质材料的费米能级为5.8ev～6.5ev，这与第二基质材料的材料本身性能相关，第二基质材料可采用空穴传输层的常用材料，与可以选用图7所示的式21或式22所示的材料。需要说明的是，第二基质材料虽然可以选用空穴传输层常用的材料，但在同一器件中，第二基质材料与第一空穴传输层、第二空穴传输层可选用不同种材料。
[0057]
图7所示的式21为4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]，简称tapc。
[0058]
图7所示的式22为n-(9,9-二甲基-9h-芴-2-基)-n-(4-{4-[(9,9-二甲基-9h-芴-2-基)苯基氨基]苯基}苯基)苯胺。
[0059]
第二掺杂剂包括如图7所示的式1至式3中的一种或多种。第二掺杂剂的掺杂浓度为1％～5％。掺杂第二掺杂剂之后的第二电荷生成层1032相对于第二基质材料来说，由于能带弯曲而使得掺杂第二掺杂剂之后的第二电荷生成层1032的费米能级至少能够减小0.7ev。
[0060]
具体地，如图7所示的式1为2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌，简称f4-tcnq。
[0061]
具体地，如图7所示的式2为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲，简称hatcn。
[0062]
具体地，如图7所示的式3为n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，简称npb。
[0063]
通过上述说明可知，在对第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032分别进行掺杂以后，使得掺杂后的第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032之间的费米能级之差至少减少了0.9ev，有效降低了第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032之间的费米能级差，从而能够有效提升第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032之间的电荷传输，提升堆叠器件的性能。
[0064]
具体地，实验上有多种方法可以测量有机半导体表面与界面的电子结构与能级排列，其中最为直接的手段是紫外光电子能谱技术(ups)，图2和图3即为ups图谱。
[0065]
ups可以直接测体系中占据电子态的能态分布以及化学过程特别是对表面与界面的形成和电子结构测量尤为擅长。ups的原理是基于爱因斯坦提出的光电效应，即一束单色光照射在样品表面激发出光电子的动能与其在体相中的结合能满足下面能量守恒关系式：eb＝hv-e
k-φ。
[0066]
通过ups测试手段，能够得到掺杂前后的电荷生成层的能带弯曲变化，测量出电荷生成层的能级。
[0067]
如图2所示，在不同激发状态下，第一电荷生成层1031掺杂后的费米能级均左移，即费米能级减小。如图3所示，在不同激发状态下，第二电荷生成层1032掺杂后的费米能级均右移，即费米能级增大。即经过验证，经过分别掺杂后，第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032的费米能级更为接近。
[0068]
如图1所示，本实施例提供的显示面板中，阳极层101材料包括氧化铟锡，阴极层105材料包括银。既能够保证良好的导电性又能够保证良好的透光性。
[0069]
如图1所示，本实施例提供的显示面板还包括薄膜封装层106，薄膜封装层106位于阴极层105远离衬底100的一侧。薄膜封装层106能够防止水汽入侵到显示面板的内部，对显示面板内部的器件进行保护。
[0070]
本实施例提供的显示面板中，同一子像素中的第一堆叠发光层和第二堆叠发光层可以采用相同的膜层结构，也可以采用不同的膜层结构，以下进行详细说明。
[0071]
如图4所示，在一个具体的实施例中，第一堆叠发光层包括在阳极层101远离衬底100的方向上依次堆叠的第一空穴注入层1021a、第一空穴传输层1022a、第一电子阻挡层1023a、第一有机发光层1024a和第一空穴阻挡层1025a；第二堆叠发光层包括在阳极层101远离衬底100的方向上依次堆叠的第二空穴传输层1041a、第二电子阻挡层1042a、第二有机发光层1043a、第二空穴阻挡层1044a、第二电子传输层1045a和第二电子注入层1046a。
[0072]
具体地，在如图4所示的具体的堆叠结构中，第一空穴注入层1021a和第二空穴注入层的材料为图7所示的式1和式2的材料。
[0073]
具体地，在如图4所示的具体的堆叠结构中，第一空穴注入层1021a的材料为图7所示的式3至式5中的任一中材料。
[0074]
具体地，如图7所示的式3为n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，简称npb。
[0075]
具体地，如图7所示的式4为4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺，简称m-mtdata。
[0076]
具体地，如图7所示的式5为三苯基二胺，简称tpd。
[0077]
具体地，在如图4所示的具体的堆叠结构中，第一电子阻挡层1023a和第二电子阻挡层1042a的材料为图7所示的式6或式7所示的材料。需要说明的是，第一电子阻挡层1023a和第二电子阻挡层1042a可以选用上述式图7所示的6或式7所示的材料中的同一种材料，也可以选用上述图7所示的式6或式7所示的材料中的不同材料。
[0078]
具体地，如图7所示的式6为1,3-双(n-咔唑基)苯，简称mcp。
[0079]
具体地，如图7所示的式7为9-苯基-3,6-双(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑，简称tris-pcz。
[0080]
具体地，在如图4所示的具体的堆叠结构中，第一有机发光层1024aa和第二有机发光层1043a中的主体材料为图7所示的式8至式13中任一种材料，第一有机发光层1024a和第二有机发光层1043中的掺杂材料为图7所示的式14至式16中任一种材料。
[0081]
对于同一颜色的发光材料来说，第一有机发光层1024a和第二有机发光层1043a可以选用上述图7所示的式8至式13中任一种主体材料，也可以选用上述式8至式13所示的材料中的不同主体材料。同理，第一有机发光层1024a和第二有机发光层1043a可以选用上述式14至式16中任一种所示的掺杂材料，也可以选用上述式14至式16所示的材料中的不同掺杂材料。
[0082]
具体地，图7所示的式8为2,2'-二(4-咔唑基苯基)联苯，简称bcbp。
[0083]
具体地，图7所示的式9为3,3'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯，简称mcbp。
[0084]
具体地，图7所示的式10为2,4,6-三([1,1'-联苯]-4-基)-1,3,5-三嗪。
[0085]
具体地，图7所示的式11为3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1
”‑
三联苯]-3,3
”‑
二基]二吡啶，简称tmpypb。
[0086]
具体地，图7所示的式12为9,10-二(2-萘基)蒽。
[0087]
具体地，图7所示的式13为2-新戊基-9,10-二(2-萘基)-蒽。
[0088]
具体地，图7所示的式14为[3-(2-吡啶基)[1,1'-联苯基]-4-基]双[2-(2-吡啶基)苯基]合铱。
[0089]
具体地，图7所示的式15为二(1-苯基-异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(iii)，简称ir(piq)2(acac)。
[0090]
具体地，图7所示的式16为19-甲基-5,13-双(2-甲基丙-2-基)-2,16-二苯基-9-硼杂-2,16-二氮杂五环[15.3.1.09,21.03,8.010,15]二十一-1(20),3(8),4,6,10(11),12,14,17(21),18-九烯。
[0091]
在具体实施时，不同颜色的有机发光层中的掺杂材料的掺杂比例不同，请结合图6，例如，对于蓝色有机发光层(包括蓝色第一有机发光层1024b和蓝色第二有机发光层1043b)的掺杂比例为1％-5％；对于绿色有机发光层(包括绿色第一有机发光层1024g和绿色第二有机发光层1043g)的掺杂比例为8％-10％，对于红色有机发光层(包括红色第一有机发光层1024r和红色第二有机发光层1043r)的掺杂比例为2％-4％。
[0092]
具体地，在如图4所示的具体的堆叠结构中，第一空穴阻挡层1025a和第二空穴阻挡层1044a的材料为图7所示的式17或式18所示的材料。需要说明的是，第一空穴阻挡层
1025a和第二空穴阻挡层1044a可以选用上述图7所示的式17或式18所示的材料中的同一种材料，也可以选用上述图7所示的式17或式18所示的材料中的不同材料。
[0093]
具体地，在如图4所示的具体的堆叠结构中，第二电子传输层1045a的主体材料为图7所示的式17至式19所示的任一种材料，且在主体材料中进行掺杂，掺杂材料为图7所示的式20所示的材料或者氟化锂(lif)，并且掺杂材料与主体材料的比例控制在4～6：6～4。
[0094]
具体地，图7所示的式17为1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯，简称tpbi。
[0095]
具体地，图7所示的式18为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，简称bphen。
[0096]
具体地，图7所示的式19为2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，简称bcp。
[0097]
具体地，在如图4所示的具体的堆叠结构中，第二电子注入层1046a的材料为氟化锂(lif)、镱yb或者为图7所示的式20所示的材料，图7所示的式20为8-羟基喹啉-锂，简称liq。
[0098]
在如图5所示，在另一个具体的实施例中，第一堆叠发光层包括在阳极层101远离衬底100的方向上依次堆叠的第一空穴注入层1021b、第一空穴传输层1022b、第一电子阻挡层1023b、第一有机发光层1024b、第一空穴阻挡层1025b和第一电子传输层1026b；第二堆叠发光层包括在阳极层101远离衬底100的方向上依次堆叠的第二空穴传输层1041b、第二电子阻挡层1042b、第二有机发光层1043b、第二空穴阻挡层1044b、第二电子传输层1045b和第二电子注入层1046b。
[0099]
具体地，在如图5所示的具体的堆叠结构中，第一空穴注入层1021b的材料为图7所示的式1和式2所示的材料。
[0100]
具体地，在如图5所示的具体的堆叠结构中，第一空穴传输层1022b和第二空穴传输层1041b的材料为图7所示的式3至式5任一种所示的材料。需要说明的是，第一空穴传输层1022b和第二空穴传输层1041b可以选用上述图7所示的式3至式5中的同一种材料，也可以选用上述图7所示的式3至式5中的不同材料。
[0101]
具体地，在如图5所示的具体的堆叠结构中，第一电子阻挡层1023b和第二电子阻挡层1042b的材料为图7所示的式6或式7所示的材料。需要说明的是，第一电子阻挡层1023b和第二电子阻挡层1042b可以选用上述图7所示的式6或式7所示的材料中的同一种材料，也可以选用上述图7所示的式6或式7所示的材料中的不同材料。
[0102]
具体地，在如图5所示的具体的堆叠结构中，第一有机发光层1024b和第二有机发光层1043b中的主体材料为图7所示的式8至式13中任一种所示的材料，第一有机发光层1024b和第二有机发光层1043b中的掺杂材料为图7所示的式14至式16中任一种所示的材料。对于同一颜色的发光材料来说，第一有机发光层1024b和第二有机发光层1043b可以选用上述图7所示的式8至式13中任一种所示的主体材料，也可以选用上述图7所示的式8至式13所示的材料中的不同基体材料。同理，第一有机发光层1024b和第二有机发光层1043b可以选用上述图7所示的式14至式16中任一种所示的掺杂材料，也可以选用上述图7所示的式14至式16所示的材料中的不同掺杂材料。
[0103]
在具体实施时，不同颜色的有机发光层中的掺杂材料的掺杂比例不同，结合图6，例如，对于蓝色有机发光层(包括蓝色第一有机发光层1024b和蓝色第二有机发光层1043b)的掺杂比例为1％-5％；对于绿色有机发光层(包括绿色第一有机发光层1024g和绿色第二有机发光层1043g)的掺杂比例为8％-10％，对于红色有机发光层(包括红色第一有机发光
层1024r和红色第二有机发光层1043r)的掺杂比例为2％-4％。
[0104]
具体地，在如图5所示的具体的堆叠结构中，第一空穴阻挡层1025b和第二空穴阻挡层1044b的材料为图7所示的式17或式18所示的材料。需要说明的是，第一空穴阻挡层1025b和第二空穴阻挡层1044b可以选用上述图7所示的式17或式18所示的材料中的同一种材料，也可以选用上述图7所示的式17或式18所示的材料中的不同材料。
[0105]
具体地，在如图5所示的具体的堆叠结构中，第一电子传输层1026b和第二电子传输层1045b的主体材料为图7所示的式17～式19所示的任一种材料，且在主体材料中进行掺杂，掺杂材料为图7所示的式20所示的材料或者氟化锂(lif)，并且掺杂材料与主体材料的比例控制在4～6：6～4。需要说明的是，第一电子传输层1026b和第二电子传输层1045b可以选用上述图7所示的式17～式19所示的材料中的同一种材料，也可以选用上述图7所示的式17～式19所示的材料中的不同材料。
[0106]
具体地，在如图5所示的具体的堆叠结构中，第二电子注入层1046b的材料为氟化锂(lif)、镱yb或者为图7所示的式20所示的材料。
[0107]
当然，还可以根据具体的需求选择第一堆叠发光层102和第二堆叠发光层104的具体膜层结构。
[0108]
如图1所示，本实施例提供的显示面板中，阳极层101包括多个阳极单元1011，电荷生成层在衬底100上的正投影覆盖多个阳极单元1011在衬底100上的正投影。
[0109]
具体地，如图1所示，每个阳极单元1011对应一个子像素，子像素分为红色子像素r、绿色子像素g以及蓝色子像素b。
[0110]
如图1所示，红色子像素r包括一个红色第一堆叠发光层102r和一个红色第二堆叠发光层104r，绿色子像素g包括一个绿色第一堆叠发光层102g和一个绿色第二堆叠发光层104g，蓝色子像素b包括一个蓝色第一堆叠发光层102b和一个蓝色第二堆叠发光层104b。
[0111]
具体地，如图1所示，电荷生成层(包括第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032)覆盖多个子像素区域，即电荷生成层为多个子像素共用，在一些具体的实施例中，所用子像素共用同一电荷生成层。
[0112]
具体地，如图1所示，第一电荷生成层1031的取向因子的范围是-0.4至-0.7，第二电荷生成层1032的取向因子的范围是-0.3至-0.5。也就是第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032中的材料的分子取向趋向于水平(相对于衬底100平行)排列，这有利于提升电荷在垂直与衬底100方向的迁移率同时降低电荷在平行于衬底100方向上的迁移率，因此，能够有效改善器件的横向(相对于衬底100平行)漏电现象，从而减弱混色的现象。
[0113]
如图6所示，本实施例提供的显示面板中，不仅多个子像素共用第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032共用，第一堆叠发光层中的第一空穴注入层1021、第一空穴传输层1022和第一空穴阻挡层1025也被多个子像素共用，第二堆叠发光层中的第二空穴传输层1041、第二空穴阻挡层1044、第二电子传输层1045和第二电子注入层1046也共用。即使多个子像素共用上述多个膜层，但由于第一电荷生成层1031中的材料的分子取向的设置，也能够有效改善器件的横向(相对于衬底100平行)漏电现象。
[0114]
需要说明的是，通常情况下，当膜层中的分子呈完美垂直排布时取向因子为1，当膜层中的分子呈完美水平排布时取向因子为-0.5，而当膜层中的分子呈随机排布时取向因子为0。
[0115]
分子取向度可以通过测试分子的各向异性得到，例如通过椭偏仪的偏振测试样品的消光系数，通过公式计算出来取向因子s。
[0116]
具体地，不同层掺杂浓度则第一电荷生成层1031的取向因子不同，测量结果如下：
[0117]
表1.不同层掺杂浓度的第一电荷生成层的取向因子
[0118]
第一掺杂浓度00.1％1％2％取向因子0.01-0.60-0.65-0.45
[0119]
具体地，不同层掺杂浓度则第二电荷生成层1032的取向因子不同，测量结果如下：
[0120]
表2.不同层掺杂浓度的第二电荷生成层的取向因子
[0121]
第二掺杂浓度03％4％5％取向因子-0.01-0.30-0.42-0.34
[0122]
由上述两个表格可知，第一电荷生成层1031和第二电荷生成层1032中的分子取向度均接近于水平排布，当分子取向度为水平排布(即与衬底100所在平面平行)时，该层的纵向迁移率由于顺序排列而较快，但横向迁移率较低，由此可以降低横向串扰。
[0123]
需要说明的是，图6所示的显示面板中虽然第一空穴阻挡层1025并未与蓝色第一有机发光层1024b以及绿色第一有机发光层1024g接触，但在实际应用中，第一空穴阻挡层1025是与蓝色第一有机发光层1024b以及绿色第一有机发光层1024g接触的图6这仅是为了表明蓝色第一有机发光层1024b、绿色第一有机发光层1024g以及红色第一有机发光层1024r的厚度不同，具体地，蓝色第一有机发光层1024b的厚度小于绿色第一有机发光层1024g的厚度，绿色第一有机发光层1024g的厚度小于红色第一有机发光层1024r的厚度。
[0124]
同理，图6所示的显示面板中虽然第二空穴阻挡层1044并未与蓝色第二有机发光层1043b以及绿色第二有机发光层1043g接触，但在实际应用中，第二空穴阻挡层1044是与蓝色第二有机发光层1043b以及绿色第二有机发光层1043g接触的。图6仅是为了表明蓝色第二有机发光层1043b、绿色第二有机发光层1043g以及红色第二有机发光层1043r的厚度不同，具体地，蓝色第二有机发光层1024b的厚度小于绿色第二有机发光层1043g的厚度，绿色第二有机发光层1043g的厚度小于红色第二有机发光层1043r的厚度。
[0125]
具体地，本实施例提供的显示面板中的各膜层的厚度范围不同。例如，电子注入层的厚度范围可以是0.5nm～3nm，电子传输层的厚度范围可以是20nm～35nm，电子阻挡层的厚度范围可以是10nm～80nm，蓝色有机发光层的厚度范围为18nm～20nm，红色有机发光层的厚度范围为42nm～50nm，绿色有机发光层的厚度范围为30nm～35nm，空穴阻挡层的厚度范围为5nm～10nm，空穴传输层的厚度范围为100nm～130nm，空穴注入层的厚度范围为5nm～30nm，第一电荷生成层1031的厚度范围可以是17nm～19nm，第二电荷生成层1032的厚度范围为8nm～10nm。其中，如果各个层的厚度在上述厚度范围内变化，则发出的光的颜色会在同一色系内变化。
[0126]
需要说明的是，在上述对各膜层的示例性说明中，上述电子注入层、电子传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层，既可以是第一堆叠发光层中的膜层，也可以是第二堆叠发光层中的膜层。
[0127]
基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示装置，如图8所示，该显示装置包括上述实施例中的显示面板，具有上述实施例中的显示面板的有益效果，在此不再赘述。
[0128]
应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
[0129]
本技术实施例提供的显示面板和显示装置，对第一电荷生成层和第二电荷生成层分别进行掺杂以后，有效降低了第一电荷生成层和第二电荷生成层之间的费米能级差，使得第一电荷生成层和第二电荷生成层之间的费米能级更为接近，从而能够有效提升第一电荷生成层和第二电荷生成层之间的电荷传输，提升堆叠器件的性能。
[0130]
在本技术的描述中，词语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系，为基于附图所示的示例性的方向或位置关系，是为了便于描述或简化描述本技术的实施例，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0131]
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0132]
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0133]
以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术的方案技术构思的前提下，采用基于本技术技术思想的其他类似实施手段，同样属于本技术实施例的保护范畴。