半导体封装的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：基板；半导体晶粒，安装在该基板上；以及散热器，在该半导体晶粒上方，其中该散热器包括顶部和在该顶部与该基板之间延伸的至少一个连接部分，其中该至少一个连接部分包括安装在该基板的连接焊盘上的连接引线，其中该连接焊盘包括彼此间隔开的第一部分和第二部分，该第一部分和该第二部分配置为分别电耦合到不同的电压信号。2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该顶部为矩形顶部，且其中该至少一连接部分自该矩形顶部的一角延伸，或者/和，该顶部具有平坦的顶面。3.如权利要求1的半导体封装，其特征在于，该连接引线附接到该连接焊盘的该第一部分和该第二部分，或者/和，该连接引线通过第一导电粘附层附接到该第一部分并且通过第二导电粘附层附接到该第二部分。4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，还包括：在该连接引线与该连接焊盘之间的阻焊层；第一阻焊层开口，位于该阻焊层中，以部分地暴露出该连接焊盘的该第一部分的顶面，其中该第一导电粘附层设置在该第一阻焊层开口中；以及第二阻焊层开口，在粘附阻焊层中，以部分地暴露粘附连接焊盘的粘附第二部分的顶面，其中该第二导电粘附层设置在该第二阻焊层开口中。5.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，该第一导电粘附层不与该第二导电粘附层直接相连，或者/和，该第一导电粘附层与该第二导电粘附层为导电环氧树脂层。6.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该连接焊盘的该第一部分电耦合到预留的vdd电压，并且该连接焊盘的该第二部分电耦合到vss电压或地。7.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该基板包括封装基板。8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该连接焊盘设置在该基板的芯片侧上，并且其中该基板包括设置在球栅阵列侧上的焊球焊盘。9.如权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，该焊球安装在该焊球焊盘上，并且其中该连接焊盘通过该基板中的至少一个金属互连结构电连接到该焊球焊盘。10.如权利要求9所述的半导体封装，其特征在于，该至少一金属互连结构为导电通孔，且其中该焊球垫直接设置于该连接焊盘下方。11.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该基板包括接地平面。12.如权利要求11所述的半导体封装，其特征在于，该连接焊盘的该第二部分电耦合到该接地平面。13.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该半导体晶粒通过引线接合安装在该基板上，或者，该半导体晶粒通过倒装芯片接合安装在该基板上。

技术总结
本发明公开一种半导体封装，包括：基板；半导体晶粒，安装在该基板上；以及散热器，在该半导体晶粒上方，其中该散热器包括顶部和在该顶部与该基板之间延伸的至少一个连接部分，其中该至少一个连接部分包括安装在该基板的连接焊盘上的连接引线，其中该连接焊盘包括彼此间隔开的第一部分和第二部分，该第一部分和该第二部分配置为分别电耦合到不同的电压信号。二部分配置为分别电耦合到不同的电压信号。二部分配置为分别电耦合到不同的电压信号。


技术研发人员：张光汉 萧宇良 杨智安
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：2021.07.21
技术公布日：2022/12/5