半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：晶体管阵列，所述晶体管阵列包括沿第一方向并列排布的多个晶体管，所述晶体管包括沿第二方向依次设置的漏极、沟道和源极；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；多个第一导电线，每个所述第一导电线沿第三方向延伸，且每个所述第一导电线与一个所述晶体管的漏极耦接；其中，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第三方向与所述第一方向相交；填充层，位于相邻的所述多个晶体管和所述多个第一导电线之间，用于电隔离所述多个晶体管，还用于电隔离所述多个第一导电线；所述填充层内还包括：多个空腔，每个所述空腔至少位于相邻的两个所述第一导电线之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述空腔沿所述第二方向延伸；在垂直于所述第一方向的平面内，所述空腔的正投影覆盖所述漏极的正投影。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述空腔沿所述第三方向延伸。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述空腔包括：彼此隔离的至少两个子空腔，沿所述第三方向并列排布。5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述第三方向垂直于所述第一方向；每个所述第一导电线包括：沿所述第三方向并列设置的第一部分和第二部分；其中，沿所述第三方向，不同所述第一导电线的第一部分尺寸相同且端部平齐，相邻两个所述第一导电线的第二部分位于所述第一部分的相反端；沿所述三方向，所述空腔的端部与所述第一部分的端部平齐。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：多个导电插塞，每个所述导电插塞与一个所述第一导电线的第二部分电连接。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述晶体管还包括栅极；所述半导体器件还包括：电容阵列，包括多个沿所述第一方向并列排布的电容；每个所述电容包括：第一电极板、介质层和第二电极板；所述第一电极板与一个所述源极耦接；所述介质层，位于所述第一电极板和所述第二电极板之间；多个第二导电线，每个所述第二导电线与一个所述栅极耦接。8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成晶体管阵列；其中，所述晶体管阵列包括沿第一方向并列排布的多个晶体管，所述晶体管包括沿第二方向依次设置的漏极、沟道和源极；所述第二方向垂直于所述第一方向；形成多个第一导电线；其中，每个所述第一导电线沿第三方向延伸，且每个所述第一导电线与一个所述晶体管的漏极耦接；其中，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第三方向与所述第一方向相交；在相邻的所述晶体管和所述第一导电线之间形成填充层；其中，所述填充层用于电隔离所述多个晶体管，还用于电隔离所述多个第一导电线；所述填充层内还包括：多个空腔，每个所述空腔至少位于相邻的两个所述第一导电线之间。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在相邻的所述晶体管和所述第一导电线之间形成填充层，包括：在相邻所述晶体管之间、以及相邻所述第一导电线之间填充第一填充材料，以形成第一填充材料层；去除位于相邻所述第一导电线之间的所述第一填充材料，以及位于相邻所述漏极之间的所述第一填充材料，以形成多个沟槽；其中，每个所述沟槽沿所述第二方向延伸；采用薄膜沉积工艺在所述多个沟槽中沉积第二填充材料，以封闭所述沟槽相对远离所述漏极的开口；其中，所述第二填充材料沿所述第二方向未填满所述沟槽，以在所述沟槽内形成沿所述第二方向延伸的所述空腔；在垂直于所述第一方向的平面内，所述空腔的正投影覆盖所述漏极的正投影。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述空腔包括：彼此隔离的至少两个子空腔，沿所述第三方向并列排布；所述去除位于相邻所述第一导电线之间的所述第一填充材料，以及位于相邻所述漏极之间的所述第一填充材料，以形成多个沟槽，包括：去除位于相邻所述第一导电线之间的所述第一填充材料，以及位于相邻所述漏极之间的所述第一填充材料，以形成多个沟槽；其中，每个沟槽包括彼此隔离的至少两个子沟槽，所述至少两个子沟槽沿所述第三方向并列排布；所述采用薄膜沉积工艺在所述多个沟槽中沉积第二填充材料，包括：采用薄膜沉积工艺在所述至少两个子沟槽中沉积第二填充材料，以形成所述子空腔。

技术总结
本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：晶体管阵列，所述晶体管阵列包括沿第一方向并列排布的多个晶体管，所述晶体管包括沿第二方向依次设置的漏极、沟道和源极；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向；多个第一导电线，每个所述第一导电线沿第三方向延伸，且每个所述第一导电线与一个所述晶体管的漏极耦接；其中，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第三方向与所述第一方向相交；填充层，位于相邻的所述多个晶体管和所述多个第一导电线之间，用于电隔离所述多个晶体管，还用于电隔离所述多个第一导电线；所述填充层内还包括：多个空腔，每个所述空腔至少位于相邻的两个所述第一导电线之间。腔至少位于相邻的两个所述第一导电线之间。腔至少位于相邻的两个所述第一导电线之间。


技术研发人员：华文宇 蓝天 张帜
受保护的技术使用者：芯盟科技有限公司
技术研发日：2022.08.24
技术公布日：2022/12/5