半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多层金属层和衬底；所述金属层上设有多个虚拟金属块和至少一个信号线；所述金属层上的虚拟金属块在垂直于所述衬底的方向上相互错开；目标信号线在所述衬底上的投影到第一虚拟金属块在所述衬底上的投影之间的第一距离，小于或者等于所述目标信号线在所述衬底上的投影到第二虚拟金属块在所述衬底上的投影之间的第二距离；其中，所述第一虚拟金属块是目标金属层中距离所述目标信号线最近的虚拟金属块，所述目标金属层是所述目标信号线所在金属层；所述第二虚拟金属块是其他金属层中距离所述目标信号线最近的虚拟金属块，所述其他金属层是所述目标金属层以外的金属层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多层金属层上的虚拟金属块在所述衬底的投影不重叠。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每层金属层上的虚拟金属块呈阵列分布。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述目标金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影矩阵和所述其他金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影矩阵相互交叉布置。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述目标金属层上的两个相邻的虚拟金属块的投影之间有一个其他金属层上的虚拟金属块的投影。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述两个相邻的虚拟金属块是位于同一行的相邻虚拟金属块，或者，位于同一列的相邻虚拟金属块。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：当所述第二虚拟金属块在所述衬底上的投影位于所述目标金属层上两个同一列的相邻虚拟金属块在所述衬底上的投影之间，第三虚拟金属块在所述衬底上的投影位于所述目标金属层上两个同一行的相邻虚拟金属块在所述衬底上的投影之间；当所述第二虚拟金属块在所述衬底上的投影位于所述目标金属层上两个同一行的相邻虚拟金属块在所述衬底上的投影之间，所述第三虚拟金属块在所述衬底上的投影位于所述目标金属层上两个同一列的相邻虚拟金属块在所述衬底上的投影之间；其中，所述第三虚拟金属块是其所在金属层中距离所述目标信号线最近的虚拟金属块，所述第三虚拟金属块与所述第二虚拟金属块位于不同金属层，所述第三虚拟金属块与所述第一虚拟金属块位于不同金属层；所述两个同一行的相邻虚拟金属块和所述两个同一列的相邻虚拟金属块均包括所述第一虚拟金属块。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一虚拟金属块在所述衬底上的投影与所述第二虚拟金属块在所述衬底上的投影相互接触。9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第三虚拟金属块在所述衬底上的投影与所述第一虚拟金属块在所述衬底上的投影相互接触。10.根据权利要求1至9中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二虚拟金属块位于与所述目标金属层相邻的金属层。
11.根据权利要求1至9中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述目标信号线是根据所述至少一个信号线的布局，从所述至少一个信号线中选择的。12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述多层金属层包括第一层金属层，第二层金属层以及第三层金属层；所述第一层金属层为底层金属层，第二层金属层高于第一层金属层，第三层金属层高于第二层金属层；所述第一层金属层上设有目标信号线，所述第一层金属层、第二层金属层以及第三层金属层上均设有多个所述虚拟金属块；所述第一层金属层上的位于同一行的两个相邻的虚拟金属块的投影之间有一个第二金属层上的虚拟金属块的投影；所述第一层金属层上的位于同一列的两个相邻的虚拟金属块的投影之间有一个第三金属层上的虚拟金属块的投影；所述第一虚拟金属块位于所述第一层金属层上，所述第二虚拟金属块位于所述第二层金属层上。13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述虚拟金属块在所述衬底的投影呈四边形。14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述目标信号线用于传输时钟信号。

技术总结
本申请提供一种半导体结构，包括：多层金属层和衬底；金属层上设有多个虚拟金属块和至少一个信号线；金属层上的虚拟金属块在垂直于衬底的方向上相互错开；目标信号线在衬底上的投影到第一虚拟金属块在衬底上的投影之间的第一距离，小于或者等于目标信号线在衬底上的投影到第二虚拟金属块在衬底上的投影之间的第二距离；其中，第一虚拟金属块是目标金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，目标金属层是目标信号线所在金属层；第二虚拟金属块是其他金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，其他金属层是目标金属层以外的金属层。本方案可减少虚拟金属块之间的寄生电容以及目标信号线上的寄生电容。标信号线上的寄生电容。标信号线上的寄生电容。


技术研发人员：翁坤
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2022/11/22