显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的要求正以多样的形态增加。例如，显示装置应用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航仪以及智能电视之类的各种电子设备。显示装置可以是诸如液晶显示装置(liquid crystal display device)、场发射显示装置(field emission display device)、有机发光显示装置(organic light emitting display device)等的平板显示装置。在这种平板显示装置中，发光显示装置包括显示面板的像素中的每一个能够自发光的发光元件，从而不需要向显示面板提供光的背光单元而可以显示图像。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题是提供一种在发光元件的长轴方向上反射亮度得到改善的显示装装置。
4.本发明的所要解决的技术问题不限于上述技术问题，本领域技术人员通过以下记载将清楚地理解未提及的其他技术问题。
5.用于解决上述技术问题的根据一实施例的显示装置包括：基板；第一堤，布置于所述基板上，并且沿第一方向彼此隔开；第一电极及第二电极，分别布置于所述第一堤上；发光元件，布置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及至少一个反射结构物，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述发光元件隔开，其中，所述发光元件与所述反射结构物沿与所述第一方向交叉的第二方向彼此隔开。
6.用于解决上述技术问题的根据另一实施例的显示装置包括：基板；第一堤，布置于所述基板上，并且沿第一方向彼此隔开；第一电极及第二电极，分别布置于所述第一堤上；以及至少一个反射结构物，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述反射结构物具有沿所述第一方向延伸的形状，其中，所述反射结构物包括：芯层；反射导电图案，围绕所述芯层的外表面；以及绝缘膜，围绕所述反射导电图案的外表面。
7.其他实施例的具体事项包括于详细的说明以及附图。
8.根据实施例的显示装置，可以在发光元件的长轴方向改善反射亮度。
9.根据实施例的效果并不局限于以上举例示出的内容，更加多样的效果包括在本说明书内。
附图说明
10.图1是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
11.图2是示出图1的子像素的平面图。
12.图3是沿图2的i-i’线剖切的剖视图。
13.图4是示出根据一实施例的显示装置的像素的平面图。
14.图5是沿图4的ii-ii’线剖切的剖视图。
15.图6是放大图5的b区域的剖视图。
16.图7是示出根据一实施例的发光元件的图。
17.图8是沿图4的iii-iii’线剖切的剖视图。
18.图9是放大图8的d区域的剖视图。
19.图10是放大图5的c区域的剖视图。
20.图11是示出根据一实施例的反射结构物的图。
21.图12是放大图4的a区域的平面图。
22.图13至图16是示出制造根据一实施例的反射结构物的过程的按工艺阶段的剖视图。
23.图17是示出根据另一实施例的反射结构物的图。
24.图18是示出根据又一实施例的发射结构物的图。
25.附图标记说明：
26.10：显示装置
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100：基板
27.ed：发光元件
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rs：发光结构物
28.211：芯层
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213：反射导电图案
29.215：绝缘膜
具体实施方式
30.参照与附图一起详细后述的实施例，可以明确本发明的优点和特征以及达成这些的方法。然而本发明可以以互不相同的多种形态来实现，而不局限于以下公开的实施例，提供本实施例的目的仅在于使本发明的公开得以完整并向本发明所属技术领域中具有普通知识的人完整地告知发明的范围，本发明仅由权利要求的范围来定义。
31.提及元件(elements)或者层在其他元件或者层“上(on)”的情形包括在其他元件的紧邻的上方的情形以及在中间夹设有其他层或者其他元件的情形。贯穿整个说明书，相同的附图标记指代相同的构成要素。用于说明实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，因此本发明并不局限于图示的事项。
32.虽然第一、第二等术语用于叙述多种构成要素，但这些构成要素显然不受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分。因此，以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内，显然也可以是第二构成要素。
33.本发明的多个实施例的各个特征能够局部地或整体地相互结合或组合，并且能够在技术上进行多样的联动及驱动，各个实施例对于彼此而言能够独立地进行实施，也能够以相关关系一同实施。
34.以下，参照附图对具体的实施例进行说明。
35.图1是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
36.参照图1，显示装置10可以是包括长边和短边的矩形形状。显示装置10的长边可以沿第一方向dr1延伸，显示装置10的短边可以沿第二方向dr2延伸。第一方向dr1和第二方向dr2可以彼此交叉。例如，第一方向dr1和第二方向dr2可以彼此正交，但不限于此。
37.显示装置10可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以包括多个像素而显示图像。非显示区域nda可以布置于显示区域da的周边而围绕显示区域da，并且可以不显示图像。
38.显示区域da可以包括多个像素px。多个像素px可以沿行列方向布置。所述行方向可以是第一方向dr1，所述列方向可以是第二方向dr2。多个像素px中的每一个可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3。第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3可以分别对应于后述的第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域(图2的第一发光区域la1、图2的第二发光区域la2、图2的第三发光区域la3)。第一子像素spx1至第三子像素spx3的发光元件ed(参照图4)可以分别通过第一发光区域la1至第三发光区域la3发出光。
39.第一子像素spx1至第三子像素spx3可以发出相同颜色的光。例如，第一子像素spx1至第三子像素spx3可以包括相同种类的发光元件ed，并且可以发出第三颜色的光或蓝色光。作为另一例，第一子像素spx1可以发出第一颜色的光或红色光，第二子像素spx2可以发出第二颜色的光或绿色光，第三子像素spx3可以发出第三颜色的光或蓝色光。
40.图2是示出图1的子像素的平面图。
41.参照图2，多个像素px可以包括借由像素定义膜而定义的发光区域la，并且可以通过发光区域la发出具有预定的峰值波长的光。例如，显示装置10的显示区域da可以包括第一发光区域la1至第三发光区域la3。第一发光区域la1至第三发光区域la3可以是从显示装置10的发光元件生成的光向显示装置10的外部发出的区域。
42.第一发光区域la1至第三发光区域la3可以将具有预定的峰值波长的光朝显示装置10的外部发出。第一发光区域la1可以发出第一颜色的光，第二发光区域la2可以发出第二颜色的光，第三发光区域la3可以发出第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有610nm至650nm范围的峰值波长的红色光，第二颜色的光可以是具有510nm至550nm范围的峰值波长的绿色光，第三颜色的光可以是具有440nm至480nm范围的峰值波长的蓝色光，但不限于此。
43.第一发光区域la1至第三发光区域la3可以沿显示区域da的第一方向dr1依次重复布置。例如，第一发光区域la1的沿第一方向dr1的宽度可以大于第二发光区域la2的沿第一方向dr1的宽度，并且第二发光区域la2的沿第一方向dr1的宽度可以大于第三发光区域la3的沿第一方向dr1的宽度。作为另一示例，第一发光区域la1的沿第一方向dr1的宽度、第二发光区域la2的沿第一方向dr1的宽度以及第三发光区域la3的沿第一方向dr1的宽度可以实质上相同。
44.例如，第一发光区域la1的面积可以大于第二发光区域la2的面积，并且第二发光区域la2的面积可以大于第三发光区域la3的面积。作为另一例，第一发光区域la1的面积、第二发光区域la2的面积以及第三发光区域la3的面积可以实质上相同。
45.显示装置10的显示区域da可以包括围绕多个发光区域la的多个遮光区域ba。例如，显示区域da可以包括遮光区域ba。遮光区域ba可以布置于第一发光区域la1至第三发光区域la3中的每一个的一侧，并且可以防止从第一发光区域la1至第三发光区域la3发出的光混色。
46.图3是沿图2的i-i’线剖切的剖视图。
47.参照图2及图3，显示装置10的显示区域da可以包括第一发光区域la1至第三发光区域la3。第一发光区域la1至第三发光区域la3可以是由显示装置10的发光元件ed生成的光朝显示装置10的外部发出的区域。
48.显示装置10可以包括基板100、缓冲层bf、薄膜晶体管层tftl以及发光元件层eml。
49.基板100可以是基体基板或基体部件，并且可以利用高分子树脂等的绝缘物质构成。例如，基板100可以是刚性(rigid)基板。在基板100为刚性基板的情况下，基板100可以包括玻璃材质或金属材质，但不限于此。作为另一例，基板100可以是能够弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。在基板100是柔性基板的情况下，基板100可以包括聚酰亚胺(pi)，但不限于此。
50.缓冲层bf可以布置于基板100上。缓冲层bf可以利用能够防止空气或水分渗透的无机膜构成。例如，缓冲层bf可以包括交替堆叠的多个无机膜。
51.薄膜晶体管层tftl可以包括薄膜晶体管tft、栅极绝缘膜gi、层间绝缘膜ild、第一保护层pas1及第一平坦化层oc1。
52.薄膜晶体管tft可以布置于缓冲层bf上，并且可以构成多个像素中的每一个的像素电路。例如，薄膜晶体管tft可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅极电极ge、源极电极se及漏极电极de。
53.半导体层act可以布置于缓冲层bf上。半导体层act可以与栅极电极ge、源极电极se以及漏极电极de重叠。半导体层act可以与源极电极se和漏极电极de直接接触，并且可以将栅极绝缘膜gi置于中间而与栅极电极ge面对。
54.栅极电极ge可以布置于栅极绝缘膜gi的上部。栅极电极ge可以将栅极绝缘膜gi置于中间而与半导体层act重叠。
55.源极电极se与漏极电极de可以在层间绝缘膜ild上布置为彼此隔开。源极电极se可以通过配备于栅极绝缘膜gi及层间绝缘膜ild的接触孔而与半导体层act的一端接触。漏极电极de可以通过配备于栅极绝缘膜gi及层间绝缘膜ild的接触孔而与半导体层act的另一端接触。漏极电极de可以通过配备于第一保护层pas1及第一平坦化层oc1的接触孔而与发光部件el的第一电极ae连接。
56.栅极绝缘膜gi可以配备于半导体层act的上部。例如，栅极绝缘膜gi可以布置于半导体层act及缓冲层bf的上部，并且可以使半导体层act与栅极电极ge绝缘。栅极绝缘膜gi可以包括供源极电极se贯通的接触孔以及供漏极电极de贯通的接触孔。
57.层间绝缘膜ild可以布置于栅极电极ge的上部。例如，层间绝缘膜ild可以包括供源极电极se贯通的接触孔以及供漏极电极de贯通的接触孔。在此，层间绝缘膜ild的接触孔可以与栅极绝缘膜gi的接触孔连接。
58.第一保护层pas1可以配备于薄膜晶体管tft的上部，以保护薄膜晶体管tft。例如，第一保护层pas1可以包括供第一电极ae贯通的接触孔。
59.第一平坦化层oc1可以配备于第一保护层pas1的上部，以使薄膜晶体管tft的上端平坦化。例如，第一平坦化层oc1可以包括供发光部件el的第一电极ae贯通的接触孔。在此，第一平坦化层oc1的接触孔可以与第一保护层pas1的接触孔连接。
60.发光元件层eml可以包括发光部件el、第一堤bnk1、第二堤bnk2和第二保护层pas2。
61.发光部件el可以配备于薄膜晶体管tft上。发光部件el可以包括第一电极ae、第二电极ce及发光元件ed。
62.第一电极ae可以配备于第一平坦化层oc1的上部。例如，第一电极ae可以布置于在第一平坦化层oc1上布置的第一堤bnk1上而覆盖第一堤bnk1。第一电极ae可以布置为与借由第二堤bnk2而定义的第一发光区域la1至第三发光区域la3中的一个发光区域重叠。并且，第一电极ae可以与薄膜晶体管tft的漏极电极de连接。第一电极ae可以是发光元件ed的阳极电极，但不限于此。
63.第二电极ce可以布置于第一平坦化层oc1的上部。例如，第二电极ce可以布置于在第一平坦化层oc1上布置的第一堤bnk1上而覆盖第一堤bnk1。第二电极ce可以布置为与借由第二堤bnk2而定义的第一发光区域la1至第三发光区域la3中的一个发光区域重叠。例如，第二电极ce可以接收提供给整个像素的公共电压。第二电极ce可以是发光元件ed的阴极电极，但不限于此。
64.第一绝缘层il1可以覆盖彼此相邻的第一电极ae的一部分和第二电极ce的一部分，并且可以使第一电极ae和第二电极ce绝缘。
65.发光元件ed可以在第一平坦化层oc1的上部布置于第一电极ae与第二电极ce之间。发光元件ed可以布置于第一绝缘层il1上。发光元件ed的一端可以与第一电极ae连接，发光元件ed的另一端可以与第二电极ce连接。例如，多个发光元件ed可以包括具有相同物质的活性层，从而可以发出相同波长带的光或相同颜色的光。从布置于第一发光区域la1至第三发光区域la3中的每一个的发光元件ed发出的光可以具有相同的颜色。例如，多个发光元件ed可以发出具有440nm至480nm范围的峰值波长的第三颜色的光或蓝色光。因此，发光元件层eml可以发出第三颜色的光或蓝色光。
66.第二堤bnk2可以布置于第一平坦化层oc1上而定义第一发光区域la1至第三发光区域la3。例如，第二堤bnk2可以围绕第一发光区域la1至第三发光区域la3中的每一个，但不限于此。第二堤bnk2可以使多个发光部件el中的每一个的第一电极ae或第二电极ce隔开并绝缘。第二堤bnk2可布置于遮光区域ba。
67.第二保护层pas2可以布置于多个发光部件el及第二堤bnk2上。第二保护层pas2可以覆盖多个发光部件el，并且可以保护多个发光部件el。第二保护层pas2可以防止水分或空气等杂质从外部渗透，从而可以防止多个发光部件el受损。
68.显示装置10还可以包括第二平坦化层oc2、第一覆盖层cap1、第一遮光部件bk1、第一波长转换部wlc1、第二波长转换部wlc2、光透射部ltu、第二覆盖层cap2、第三平坦化层oc3、第二遮光部件bk2、第一滤色器cf1、第二滤色器cf2、第三滤色器cf3、第三保护层pas3及封装层enc。
69.第二平坦化层oc2可以配备于发光元件层eml的上部而使发光元件层eml的上端平坦化。第二平坦化层oc2可以包括有机物质。例如，第二平坦化层oc2可以包括丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)及聚酰亚胺树脂(polyimide resin)中的至少一种。
70.第一覆盖层cap1可以布置于第二平坦化层oc2上。第一覆盖层cap1可以密封第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu的下表面。第一覆盖层cap1可以包括无机物质。例如，第一覆盖层cap1可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪
氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物及氮氧化硅中的至少一种。
71.第一遮光部件bk1可以布置于第一覆盖层cap1上的遮光区域ba。第一遮光部件bk1可以沿厚度方向与第二堤bnk2重叠。第一遮光部件bk1可以阻挡光的透射。第一遮光部件bk1可以防止光侵入到第一发光区域la1至第三发光区域la3之间而混色，从而可以提高颜色再现率。第一遮光部件bk1可以布置为在平面上围绕第一发光区域la1至第三发光区域la3的格子形态。
72.第一遮光部件bk1可以包括有机遮光物质和拒液成分。在此，拒液成分可以利用含氟单体或含氟聚合物构成，具体地，可以包括含氟脂肪族聚碳酸酯。例如，第一遮光部件bk1可以利用包含拒液成分的黑色有机物质构成。第一遮光部件bk1可以通过包含拒液成分的有机遮光物质的涂覆及曝光工艺来形成。
73.第一遮光部件bk1可以包括拒液成分，从而可以将第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2与光透射部ltu分成对应的发光区域la。例如，在第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu通过喷墨方式形成的情况下，墨组成物可以在第一遮光部件bk1的上表面流动。在此情况下，第一遮光部件bk1可以包括拒液成分，从而可以引导墨组成物流到各自的透射区域。因此，第一遮光部件bk1可以防止墨组成物混合。
74.第一波长转换部wlc1可以布置于第一覆盖层cap1上的第一发光区域la1。第一波长转换部wlc1可以被第一遮光部件bk1所围绕。第一波长转换部wlc1可以包括第一基体树脂bs1、第一散射体sct1及第一波长移位器wls1。
75.第一基体树脂bs1可以包括光透射率相对较高的物质。第一基体树脂bs1可以利用透明有机物质构成。例如，第一基体树脂bs1可以包括环氧系树脂、丙烯酸系树脂、卡多(cardo)系树脂以及酰亚胺系树脂等的有机物质中的至少一种。
76.第一散射体sct1可以具有与第一基体树脂bs1不同的折射率，并且可以与第一基体树脂bs1形成光学界面。例如，第一散射体sct1可以包括使透射光的至少一部分散射的光散射物质或光散射颗粒。例如，第一散射体sct1可以包括诸如氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)或氧化锡(sno2)等的金属氧化物，或者可以包括丙烯酸系树脂或氨基甲酸酯系树脂等的有机颗粒。第一散射体sct1可以不实质性地转换入射光的峰值波长的同时，与入射光的入射方向无关地朝随机的方向散射光。
77.第一波长移位器wls1可以将入射光的峰值波长转换或移位为第一峰值波长。例如，第一波长移位器wls1可以将从显示装置10提供的蓝色光转换为具有610nm至650nm范围的单峰值波长的红色光而发出。第一波长移位器wls1可以是量子点、量子棒或荧光体。量子点可以是电子从导带跃迁到价带而发出特定的颜色的粒子状物质。
78.例如，量子点可以为半导体纳米晶体物质。量子点可以根据其组成和尺寸具有特定的带隙而吸收光之后发出具有固有的波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括iv族元素及iv族类化合物纳米晶体、ii-vi族类化合物纳米晶体、iii-v族类化合物纳米晶体、iv-vi族类纳米晶体或其组合等。
79.ii-vi族类化合物可以选自由如下的化合物组成的组中：二元化合物，选自由cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及其混合物组成的组；三元化合物，选自由inznp、agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、
hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物组成的组；以及四元化合物，选自由hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及其混合物组成的组。
80.iii-v族类化合物可以选自由如下的化合物组成的组中：二元化合物，选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物组成的组；三元化合物，选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb及其混合物组成的组；以及四元化合物，选自由gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、gaalnp及其混合物组成的组。
81.第iv-vi族类化合物可以选自由如下的化合物组成的组：二元化合物，选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物组成的组；三元化合物，选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物组成的组；以及四元化合物，选自由snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物组成的组。iv族元素可以选自由si、ge及其混合物组成的组。iv族类化合物可以是选自由sic、sige及其混合物组成的组中的二元化合物。
82.例如，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以浓度分布部分不同的状态而存在于同一颗粒中。
83.例如，量子点可以具有包括包含上述的纳米晶体的核及围绕所述核的壳的核-壳结构。量子点的壳可以起到用于通过防止所述核的化学变性来维持半导体特性的保护层的作用和用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。壳可以是单层或者多层。核和壳之间的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度随着趋向中心而降低的浓度梯度(gradient)。量子点的壳可以利用金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合等构成。
84.例如，金属或非金属的氧化物的示例可以有sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等的二元化合物，或者可以是mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等的三元化合物，但本发明不限于此。
85.此外，半导体化合物的示例可以有cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但不限于此。
86.第一波长移位器wls1发出的光可以具有45nm以下、或者40nm以下、或者30nm以下的发光波长谱半高全宽(fwhm：full width of half maximum)，并且可以进一步改善显示装置10显示的颜色的色纯度和颜色再现性。第一波长移位器wls1发出的光可以朝多个方向发出，而与入射光的入射方向无关。因此，可以提高在第一发光区域la1显示的红色的侧面可见性。
87.从发光元件层eml提供的蓝色光的一部分可以不被第一波长转换部wlc1转换为红色光而透射第一波长转换部wlc1。从发光元件层eml提供的蓝色光中未被第一波长转换部wlc1转换而入射到第一滤色器cf1的光可以被第一滤色器cf1阻挡。并且，从显示装置10提供的蓝色光中被第一波长转换部wlc1转换的红色光可以透射第一滤色器cf1而向外部射出。因此，第一发光区域la1可以发出红色光。
88.第二波长转换部wlc2可以布置在第一覆盖层cap1上的第二发光区域la2。第二波
长转换部wlc2可以被第一遮光部件bk1所围绕。第二波长转换部wlc2可以包括第二基体树脂bs2、第二散射体sct2及第二波长移位器wls2。
89.第二基体树脂bs2可以包括光透射率相对较高的物质。第二基体树脂bs2可以利用透明有机物质构成。例如，第二基体树脂bs2可以利用与第一基体树脂bs1相同的物质构成，或者可以利用在第一基体树脂bs1中示例的物质构成。
90.第二散射体sct2可以具有与第二基体树脂bs2不同的折射率，并且可以与第二基体树脂bs2形成光学界面。例如，第二散射体sct2可以包括散射透射光的至少一部分的光散射物质或光散射颗粒。例如，第二散射体sct2可以利用与第一散射体sct1相同的物质构成，或者可以利用在第一散射体sct1中示例的物质构成。第二散射体sct2可以不实质性地转换入射光的峰值波长的同时，与入射光的入射方向无关地朝随机的方向散射光。
91.第二波长移位器wls2可以将入射光的峰值波长转换或移位到与第一波长移位器wls1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长移位器wls2可以将从显示装置10提供的蓝色光转换为具有510nm至550nm范围的单峰值波长的绿色光而发出。第二波长移位器wls2可以是量子点、量子棒或磷光体。第二波长移位器wls2可以包括与在第一波长移位器wls1中示例的物质相同宗旨的物质。第二波长移位器wls2的波长转换范围可以以与第一波长移位器wls1的波长转换范围不同的方式利用量子点、量子棒或磷光体而构成。
92.光透射部ltu可以布置于第一覆盖层cap1上的第三发光区域la3。光透射部ltu可以被第一遮光部件bk1所围绕。光透射部ltu可以维持入射光的峰值波长并使其透射。光透射部ltu可以包括第三基体树脂bs3及第三散射体sct3。
93.第三基体树脂bs3可以包括光透射率相对较高的物质。第三基体树脂bs3可以利用透明有机物质构成。例如，第三基体树脂bs3可以利用与第一基体树脂bs1或第二基体树脂bs2相同的物质构成，或者可以利用在第一基体树脂bs1或第二基体树脂bs2中示例的物质构成。
94.第三散射体sct3可以具有与第三基体树脂bs3不同的折射率，并且可以与第三基体树脂bs3形成光学界面。例如，第三散射体sct3可以包括散射透射光的至少一部分的光散射物质或光散射颗粒。例如，第三散射体sct3可以利用与第一散射体sct1或第二散射体sct2相同的物质构成，或者可以利用在第一散射体sct1或第二散射体sct2中示例的物质构成。第三散射体sct3可以不实质性地转换入射光的峰值波长的同时，与入射光的入射方向无关地朝随机的方向散射光。
95.第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu通过第二平坦化层oc2及第一覆盖层cap1而布置于发光元件层eml上，从而显示装置10可以不需要用于第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu的单独的基板。因此，第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu可以容易地分别与第一发光区域la1至第三发光区域la3对准，并且可以相对减小显示装置10的厚度。
96.第二覆盖层cap2可以覆盖第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2、光透射部ltu及第一遮光部件bk1。例如，第二覆盖层cap2可以密封第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu而防止第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu受损或污染。第二覆盖层cap2可以利用与第一覆盖层cap1相同的物质构成，或者可以利用在第一覆盖层cap1中示例的物质构成。
97.第三平坦化层oc3可以布置于第二覆盖层cap2的上部而平坦化第一波长转换部wlc1及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu的上端。第三平坦化层oc3可以包括有机物质。例如，第三平坦化层oc3可以包括丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)和聚酰亚胺树脂(polyimide resin)中的至少一种。
98.第二遮光部件bk2可以布置于第三平坦化层oc3上的遮光区域ba。第二遮光部件bk2可以沿厚度方向与第一遮光部件bk1或第二堤bnk2重叠。第二遮光部件bk2可以阻挡光的透射。第二遮光部件bk2可以防止光侵入到第一发光区域la1至第三发光区域la3之间而混色，从而可以提高颜色再现率。第二遮光部件bk2可以布置为在平面上围绕第一发光区域la1至第三发光区域la3的格子形态。
99.第一滤色器cf1可以布置于第三平坦化层oc3上的第一发光区域la1。第一滤色器cf1可以被第二遮光部件bk2所围绕。第一滤色器cf1可以沿厚度方向与第一波长转换部wlc1重叠。第一滤色器cf1可以选择性地使第一颜色的光(例如，红色光)透射，并且可以阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿色光)以及第三颜色的光(例如，蓝色光)。例如，第一滤色器cf1可以是红色滤色器，可以包括红色的色料(red colorant)。红色的色料(red colorant)可以利用红色染料(red dye)或红色颜料(red pigment)构成。
100.第二滤色器cf2可以布置于第三平坦化层oc3上的第二发光区域la2。第二滤色器cf2可以被第二遮光部件bk2所围绕。第二滤色器cf2可以沿厚度方向与第二波长转换部wlc2重叠。第二滤色器cf2可以选择性地使第二颜色的光(例如，绿色光)透射，并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红色光)以及第三颜色的光(例如，蓝色光)。例如，第二滤色器cf2可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色的色料(green colorant)。绿色的色料(green colorant)可以利用绿色染料(green dye)或绿色颜料(green pigment)构成。
101.第三滤色器cf3可以布置于第三平坦化层oc3上的第三发光区域la3。第三滤色器cf3可以被第二遮光部件bk2所围绕。第三滤色器cf3可以沿厚度方向与光透射部ltu重叠。第三滤色器cf3可以选择性地使第三颜色的光(例如，蓝色光)透射，并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红色光)以及第二颜色的光(例如，绿色光)。例如，第三滤色器cf3可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色的色料(blue colorant)。蓝色的色料(blue colorant)可以利用蓝色染料(blue dye)或蓝色颜料(blue pigment)构成。
102.第一滤色器cf1至第三滤色器cf3可以吸收从显示装置10的外部流入的光的一部分来减少由外光引起的反射光。因此，第一滤色器cf1至第三滤色器cf3可以防止由外光反射引起的颜色失真。
103.第一滤色器cf1至第三滤色器cf3可以通过第三平坦化层oc3而布置于第一波长转换部wlc1以及第二波长转换部wlc2和光透射部ltu上，从而显示装置10可以不需要用于第一滤色器cf1至第三滤色器cf3的单独的基板。因此，可以相对减小显示装置10的厚度。
104.第三保护层pas3可以覆盖第一滤色器cf1至第三滤色器cf3。第三保护层pas3可以保护第一滤色器cf1至第三滤色器cf3。
105.封装层enc可以布置于第三保护层pas3上。例如，封装层enc可以包括至少一个无机膜而防止氧气或水分渗透。并且，封装层enc可以包括至少一个有机膜而保护显示装置10免受诸如灰尘之类的异物质的影响。
106.图4是示出根据一实施例的显示装置的像素的平面图。
107.参照图4，多个像素px分别可以包括第一子像素spx1至第三子像素spx3。第一子像素spx1至第三子像素spx3可以分别对应于第一发光区域la1至第三发光区域la3。第一子像素spx1至第三子像素spx3的发光元件ed可以分别通过第一发光区域la1至第三发光区域la3而发出光。
108.第一子像素spx1至第三子像素spx3可以发出相同颜色的光。例如，第一子像素spx1至第三子像素spx3可以包括相同种类的发光元件ed，并且可以发出第三颜色的光或蓝色光。作为另一例，第一子像素spx1可以发出第一颜色的光或红色光，第二子像素spx2可以发出第二颜色的光或绿色光，第三子像素spx3可以发出第三颜色的光或蓝色光。
109.第一子像素spx1至第三子像素spx3中的每一个可以包括第一电极ae、第二电极ce、发光元件ed、多个接触电极cte以及多个第二堤bnk2。
110.第一电极ae及第二电极ce可以与发光元件ed电连接而接收预定的电压，并且发光元件ed可以发出特定波长带的光。第一电极ae以及第二电极ce的至少一部分可以在像素px内形成电场，并且发光元件ed可以借由电场而对准。
111.例如，第一电极ae可以是在第一子像素spx1至第三子像素spx3中的每一个分离的像素电极，第二电极ce可以是共同连接于第一子像素spx1至第三子像素spx3的公共电极。第一电极ae和第二电极ce中的一个可以是发光元件ed的阳极(anode)电极，另一个可以是发光元件ed的阴极(cathode)电极。
112.第一电极ae可以包括沿第一方向dr1延伸的第一电极干线部ae1以及从第一电极干线部ae1分支并沿第二方向dr2延伸的至少一个第一电极支线部ae2。
113.第一子像素spx1至第三子像素spx3中的每一个的第一电极干线部ae1可以与相邻的子像素的第一电极干线部ae1隔开，第一电极干线部ae1可以与沿第一方向dr1相邻的子像素的第一电极干线部ae1布置于虚拟的延长线上。第一子像素spx1至第三子像素spx3中的每一个的第一电极干线部ae1可以接收彼此不同的信号，并且可以被独立地驱动。
114.第一电极支线部ae2可以从第一电极干线部ae1分支并沿第二方向dr2延伸。第一电极支线部ae2的一端可以与第一电极干线部ae1连接，第一电极支线部ae2的另一端可以和与第一电极干线部ae1相向的第二电极干线部ce1隔开。
115.第二电极ce可以包括沿第一方向dr1延伸的第二电极干线部ce1以及从第二电极干线部ce1分支并沿第二方向dr2延伸的第二电极支线部ce2。第一子像素spx1至第三子像素spx3中的每一个的第二电极干线部ce1可以与相邻的子像素的第二电极干线部ce1连接。第二电极干线部ce1可以沿第一方向dr1延伸而横跨多个像素px。第二电极干线部ce1可以与在显示区域da的外围部或在非显示区域nda中沿一方向延伸的部分连接。
116.第二电极支线部ce2可以与第一电极支线部ae2隔开并相向。第二电极支线部ce2的一端可以与第二电极干线部ce1连接，并且第二电极支线部ce2的另一端可以与第一电极干线部ae1隔开。
117.第一电极ae可以通过第一接触孔cnt1而与显示装置10的薄膜晶体管层tftl电连接，第二电极ce可以通过第二接触孔cnt2而与显示装置10的薄膜晶体管层tftl电连接。例如，第一接触孔cnt1可以布置于多个第一电极干线部ae1中的每一个，第二接触孔cnt2可以布置于第二电极干线部ce1，但不限于此。
118.第二堤bnk2可以布置于多个像素px之间的边界。多个第一电极干线部ae1可以以第二堤bnk2为基准彼此隔开。第二堤bnk2可以沿第二方向dr2延伸，并且可以布置于沿第一方向dr1排列的像素px的边界。追加地，第二堤bnk2还可以布置于沿第二方向dr2排列的像素px的边界。第二堤bnk2可定义多个像素px的边界。
119.当制造显示装置10时，第二堤bnk2可以防止当喷射分散有发光元件ed的墨时墨越过像素px的边界。第二堤bnk2可以分离分散有彼此不同的发光元件ed的墨而使其不会彼此混合。
120.发光元件ed可以布置于第一电极ae及第二电极ce之间。发光元件ed的一端可以与第一电极ae连接，发光元件ed的另一端可以与第二电极ce连接。例如，发光元件ed可以通过第一接触电极cte1而与第一电极ae连接，并且可以通过第二接触电极cte2而与第二电极ce连接。发光元件ed可以具有沿第一方向dr1延伸的形状。即，发光元件ed可以包括在平面上沿第一方向dr1延伸的长边和沿第二方向dr2延伸的短边。
121.多个发光元件ed可以布置为彼此隔开，并且可以实质上彼此平行地对准。发光元件ed相隔的间隔不受特别限制。多个发光元件ed中的一部分的发光元件ed可以相邻地布置，另一部分的发光元件ed可以以预定间隔隔开，又一部分的发光元件ed可以具有不均匀的密度并沿特定方向对准。例如，多个发光元件ed可以沿与第一电极支线部ae2或第二电极支线部ce2延伸的方向垂直的方向布置。作为另一例，多个发光元件ed还可以沿与第一电极支线部ae2或第二电极支线部ce2延伸的方向倾斜的方向布置。
122.多个发光元件ed可以包括具有相同物质的活性层而发出相同波长带的光或相同颜色的光。第一子像素spx1至第三子像素spx3可以发出相同颜色的光。例如，多个发光元件ed可以发出440nm至480nm范围的峰值波长的第三颜色的光或蓝色光。因此，显示装置10的发光元件层eml可以发出第三颜色的光或蓝色光。作为另一例，第一子像素spx1至第三子像素spx3可以包括具有彼此不同的活性层的发光元件ed而发出彼此不同的颜色的光。
123.接触电极cte可以包括第一接触电极cte1及第二接触电极cte2。第一接触电极cte1可以覆盖第一电极支线部ae2和发光元件ed的一部分，并且可以电连接第一电极支线部ae2和发光元件ed。第二接触电极cte2可以覆盖第二电极支线部ce2和发光元件ed的另一部分，并且可以电连接第二电极支线部ce2和发光元件ed。
124.第一接触电极cte1可以布置于第一电极支线部ae2上并沿第二方向dr2延伸。第一接触电极cte1可以与发光元件ed的一端接触。发光元件ed可以通过第一接触电极cte1而与第一电极ae电连接。
125.第二接触电极cte2可以布置于第二电极支线部ce2上并沿第二方向dr2延伸。第二接触电极cte2可以沿第一方向dr1与第一接触电极cte1隔开。第二接触电极cte2可以与发光元件ed的另一端接触。发光元件ed可以通过第二接触电极cte2而与第二电极ce电连接。
126.例如，第一接触电极cte1及第二接触电极cte2中的每一个的宽度可以大于第一电极支线部ae2及第二电极支线部ce2中的每一个的宽度。作为另一例，第一接触电极cte1及第二接触电极cte2可以覆盖第一电极支线部ae2及第二电极支线部ce2中的每一个的一侧。
127.另外，第一子像素spx1至第三子像素spx3中的每一个还可以包括布置于第一电极ae与第二电极ce之间的至少一个反射结构物rs。反射结构物rs可以与发光元件ed隔开。发光元件ed和反射结构物rs可以沿第二方向dr2彼此隔开。至少一个反射结构物rs可以是多
个。多个发光元件ed和多个反射结构物rs可以沿第二方向dr2交替布置。相邻的反射结构物rs之间可以布置有发光元件ed。另外，发光元件ed和反射结构物rs也可以沿第一方向dr1交替布置。
128.如图4所示，发光元件ed可以包括沿第一方向dr1延伸的长边以及沿第二方向dr2延伸的短边。发光元件ed可以具有大致上沿第一方向dr1延伸的线形状。光可以从发光元件ed通过发光元件ed的长边侧端部和短边侧端部发出，然而通过发光元件ed的短边侧端部发出的光可以通过第一电极ae及第二电极ce反射而朝上部方向(或第三方向dr3)行进。通过此，在发光元件ed的短边侧端部可以增加朝上部方向发出的光的亮度。相反，在针对通过发光元件ed的长边侧端部发出的光不存在用于将光路径转换为向上部方向(或第三方向dr3)的部件的情况下，在发光元件的长边侧端部可能降低朝上部方向发出的光的亮度。然而，根据一实施例的显示装置10还包括布置于相邻的发光元件ed之间的反射结构物rs，从而可以将从发光元件ed的长边侧端部发出的光朝上部方向反射而在发光元件ed的长边侧端部也能够改善朝上部方向发出的光的亮度降低。
129.图5是沿图4的ii-ii’线剖切的剖视图。图6是放大图5的b区域的剖视图。
130.参照图4至图6，显示装置10的发光元件层eml可以布置于薄膜晶体管层tftl上，并且可以包括第一绝缘层il1、第二绝缘层il2、第三绝缘层il3。
131.多个第一堤bnk1可以布置于第一发光区域la1至第三发光区域la3中的每一个。多个第一堤bnk1可以与第一电极ae或第二电极ce对应。第一电极ae及第二电极ce可以布置于对应的第一堤bnk1上。例如，第一电极支线部ae2及第二电极支线部ce2可以布置于对应的第一堤bnk1上。第一堤bnk1可以包括聚酰亚胺(pi)，但不限于此。
132.多个第一堤bnk1可以布置于第一平坦化层oc1上，并且多个第一堤bnk1中的每一个的侧表面可以与第一平坦化层oc1倾斜。第一堤bnk1的倾斜面可以反射从发光元件ed发出的光。例如，第一电极ae及第二电极ce可以包括反射率较高的物质，并且可以布置于第一堤bnk1的倾斜面上而将从发光元件ed发出的光朝显示装置10的上部方向反射。
133.第一电极干线部ae1可以包括贯通第一平坦化层oc1的第一接触孔cnt1。第一电极干线部ae1可以通过第一接触孔cnt1而与薄膜晶体管tft电连接。因此，第一电极ae可以从薄膜晶体管tft接收预定的电信号。
134.第二电极干线部ce1可以沿第一方向dr1延伸，并且还可以布置于未布置有发光元件ed的非发光区域。第二电极干线部ce1可以包括贯通第一平坦化层oc1的第二接触孔cnt2。第二电极干线部ce1可以通过第二接触孔cnt2而与电源电极电连接。第二电极ce可以从电源电极接收预定的电信号。
135.第一电极ae及第二电极ce可以包括透明导电性物质。例如，第一电极ae及第二电极ce可以包括铟锡氧化物(ito：indium tin oxide)、铟锌氧化物(izo：indium zinc oxide)以及铟锡锌氧化物(itzo：indium tin-zinc oxide)中的至少一种，但不限于此。
136.第一电极ae及第二电极ce可以包括反射率较高的导电性物质。例如，第一电极ae及第二电极ce可以包括反射率较高的诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)等的金属。第一电极ae及第二电极ce可以将从发光元件ed入射的光朝显示装置10的上部反射。
137.第一电极ae及第二电极ce可以构成为透明导电性物质和反射率较高的金属中的每一个堆叠有一层以上的结构，或者包括上述物质而形成为一个层。例如，第一电极ae及第
二电极ce可以具有ito/银(ag)/ito/izo的堆叠结构，或者可以是包括铝(al)、镍(ni)、镧(la)等的合金，但不限于此。
138.第一绝缘层il1可以布置于第一平坦化层oc1、第一电极ae及第二电极ce上。第一绝缘层il1可以覆盖第一电极ae及第二电极ce中的每一个的一部分。例如，第一绝缘层il1可以暴露第一电极ae及第二电极ce中的与第一堤bnk1的上表面对应的部分，并且可以覆盖第一电极ae及第二电极ce中的与第一堤bnk1的上表面不对应的部分。因此，第一绝缘层il1可以包括暴露第一电极ae及第二电极ce的与第一堤bnk1的上表面对应的一部分的开口部。
139.例如，第一绝缘层il1可以包括无机绝缘物质，并且可以包括在第一电极ae与第二电极ce之间凹陷的阶梯差。第二绝缘层il2可以填充第一绝缘层il1的凹陷的阶梯差。因此，第二绝缘层il2可以使第一绝缘层il1的上表面平坦化，并且发光元件ed可以布置于第一绝缘层il1及第二绝缘层il2上。
140.第一绝缘层il1可以保护第一电极ae及第二电极ce，并且可以使第一电极ae与第二电极ce彼此绝缘。第一绝缘层il1可以防止发光元件ed与其他部件直接接触而受损。
141.发光元件ed可以在第一绝缘层il1及第二绝缘层il2上布置于第一电极ae与第二电极ce之间。发光元件ed的一端可以与第一电极ae连接，发光元件ed的另一端可以与第二电极ce连接。例如，发光元件ed可以通过第一接触电极cte1而与第一电极ae连接，并且可以通过第二接触电极cte2而与第二电极ce连接。
142.第一电极ae及第二电极ce可以将从发光元件ed入射的光朝显示装置10的上部反射。例如，如图5所示，从发光元件ed的短边侧一端以及发光元件ed的短边侧另一端可以发出光la，并且从发光元件ed的短边侧一端以及发光元件ed的短边侧另一端发出的光la可以分别通过第一电极ae及第二电极ce而朝上部发射。
143.第三绝缘层il3可以部分地布置于在第一电极ae与第二电极ce之间布置的发光元件ed上。第三绝缘层il3可以局部地围绕发光元件ed的外表面。第三绝缘层il3可以保护发光元件ed。第三绝缘层il3可以围绕发光元件ed的外表面。
144.接触电极cte可以包括第一接触电极cte1及第二接触电极cte2。第一接触电极cte1可以覆盖第一电极支线部ae2和发光元件ed的一部分，并且可以电连接第一电极支线部ae2和发光元件ed。第二接触电极cte2可以覆盖第二电极支线部ce2和发光元件ed的另一部分，并且可以电连接第二电极支线部ce2和发光元件ed。
145.第一接触电极cte1可以布置于第一电极支线部ae2上，并且沿第二方向dr2延伸。第一接触电极cte1可以与发光元件ed的一端接触。发光元件ed可以通过第一接触电极cte1而与第一电极ae电连接。
146.第二接触电极cte2可以布置于第二电极支线部ce2上并沿第二方向dr2延伸。第二接触电极cte2可以沿第一方向dr1与第一接触电极cte1隔开。第二接触电极cte2可以与发光元件ed的另一端接触。发光元件ed可以通过第二接触电极cte2而与第二电极ce电连接。
147.接触电极cte可以包括导电性物质。例如，接触电极cte可以包括ito、izo、itzo、铝(al)等，但不限于此。
148.另外，反射结构物rs可以与发光元件ed布置于同一层。反射结构物rs可以布置于第一绝缘层il1及第二绝缘层il2上。第三绝缘层il3可以部分地布置于在第一电极ae与第二电极ce之间布置的反射结构物rs上。第三绝缘层il3可以局部地围绕反射结构物rs的外
表面。第三绝缘层il3可以保护反射结构物rs。第三绝缘层il3可以围绕反射结构物rs的外表面。第一接触电极cte1可以电连接反射结构物rs与第一电极ae，并且第二接触电极cte2可以电连接反射结构物rs与第二电极ce。第一接触电极cte1可以与反射结构物rs的一端接触，并且第二接触电极cte2可以与发光元件ed的另一端接触。
149.图7是示出根据一实施例的发光元件的图。
150.参照图7，发光元件ed可以是发光二极管(light emitting diode)。例如，发光元件ed可以具有微米(micro-meter)或纳米(nano-meter)单位的大小，并且可以是包含无机物的无机发光二极管。无机发光二极管可以根据在彼此相对的两个电极之间沿特定方向形成的电场而在两个电极之间对准。
151.发光元件ed可以具有沿一方向延伸的形状。发光元件ed可以具有棒、线、管等的形状。例如，发光元件ed可以是圆筒形或杆形(rod)。作为另一例，发光元件ed可以具有立方体、长方体、六角柱形等多角柱的形状，或者具有沿一方向延伸且局部地倾斜的形状等多种形态。发光元件ed的多个半导体可以沿一方向依次布置或具有堆叠的结构。
152.发光元件ed可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、活性层115、电极层117及绝缘膜118。
153.第一半导体层111可以是n型半导体。例如，在发光元件ed发出蓝色光的情况下，第一半导体层111可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体物质。第一半导体层111可以包括掺杂为n型的algainn、gan、algan、ingan、aln及inn中的至少一种半导体物质。第一半导体层111可以掺杂有si、se、ge、sn等的n型掺杂剂。第一半导体层111可以是掺杂有n型si的n-gan。第一半导体层111的长度可以具有1.5μm至5μm的范围，但不限于此。
154.第二半导体层113可以布置于活性层115上。例如，在发光元件ed发出蓝色或绿色光的情况下，第二半导体层113可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体物质。例如，第二半导体层113可以包括掺杂为p型的algainn、gan、algan、ingan、aln及inn中的至少一种半导体物质。第二半导体层113可以掺杂有mg、zn、ca、ba的p型掺杂剂。第二半导体层113可以是掺杂有p型mg的p-gan。第二半导体层113的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但不限于此。
155.第一半导体层111及第二半导体层113可以构成为一个层，但不限于此。例如，第一半导体层111及第二半导体层113还可以包括覆盖层(clad layer)或拉伸应变阻挡减少(tsbr：tensile strain barrier reducing)层而具有多个层。
156.活性层115可以布置于第一半导体层111与第二半导体层113之间。活性层115可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的物质。在活性层115包括多量子阱结构的物质的情况下，量子层(quantum layer)和阱层(well layer)可以彼此交替地堆叠有多个。活性层115可以根据通过第一半导体层111及第二半导体层113而施加的电信号来借由电子-空穴对的结合而发光。例如，活性层115在发出蓝色光的情况下，可以包括algan、algainn等的物质。在活性层115为交替堆叠量子层和阱层作为多量子阱结构的结构的情况下，量子层可以包括algan或algainn等的物质，阱层可以包括gan或alinn等的物质。活性层115包括algainn作为量子层的，并包括alinn作为阱层的，从而可以发出蓝色光。
157.作为另一例，活性层115可以具有带隙(band gap)能量大的种类的半导体物质和
带隙能量小的半导体物质彼此交替堆叠的结构，并且可以根据发出的光的波长带而包括iii族至v族类半导体物质。活性层115发出的光不限于蓝色光，根据情况可以发出红色或绿色的光。活性层115的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但不限于此。
158.从活性层115发出的光可以沿发光元件ed的长度方向发出，并且也可以从两侧面发出。从活性层115发出的光的方向性可以不受限制。
159.电极层117可以是欧姆(ohmic)接触电极。作为另一例，电极层117还可以是肖特基(schottky)接触电极。发光元件ed可以包括至少一个电极层117。当发光元件ed与电极或接触电极cte电连接时，电极层117可以降低发光元件ed与电极或接触电极cte之间的电阻。电极层117可以包括具有导电性的金属。例如，电极层117可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、铟锡氧化物(ito：indium tin oxide)、铟锌氧化物(izo：indium zinc oxide)和铟锡锌氧化物(itzo：indium tin-zinc oxide)中的至少一种。电极层117可以包括掺杂为n型或p型的半导体物质。
160.绝缘膜118可以围绕多个半导体层及电极层的外表面。绝缘膜118可以围绕活性层115的外表面，并且可以沿发光元件ed延伸的方向延伸。绝缘膜118可以保护发光元件ed。例如，绝缘膜118可以围绕发光元件ed的侧面，并且可以暴露发光元件ed的长度方向的两端。
161.绝缘膜118可以包括具有绝缘特性的物质，例如，可以包括硅氧化物(siox：silicon oxide)、硅氮化物(sinx：silicon nitride)、氮氧化硅(sio
x
ny)、铝氮化物(aln：aluminum nitride)、铝氧化物(al2o3：aluminum oxide)等。因此，绝缘膜118可以防止在活性层115与向发光元件ed传输电信号的电极直接接触的情况下可能发生的电短路。并且，绝缘膜118包括活性层115而保护发光元件ed的外表面，从而可以防止发光效率的降低。
162.可以对绝缘膜118的外表面进行表面处理。在制造显示装置10时，发光元件ed可以以分散在预定的墨内的状态喷射到电极上并对准。通过对绝缘膜118的表面进行疏水性或亲水性处理，可以使发光元件ed在墨内不与相邻的其他发光元件ed凝聚而保持分散的状态。
163.以下，对反射结构物rs进行更详细的说明。
164.图8是是沿图4的iii-iii’线剖切的剖视图。图9是放大图8的d区域的剖视图。图10是放大图5的c区域的剖视图。图11是示出根据一实施例的反射结构物的图。
165.参照图4、图8至图11，如上所述，反射结构物rs可以将从发光元件ed的长边侧端部发出的光lb朝上部方向反射。反射结构物rs为了将从发光元件ed的长边侧端部发出的光lb朝上部方向反射，可以包括反射导电图案213。更具体地，反射结构物rs可以包括沿第一方向dr1延伸的芯层211、围绕芯层211的外表面的反射导电图案213以及围绕反射导电图案213的外表面的绝缘膜215。芯层211可以具有棒、线、管等的形状。
166.芯层211可以包括半导体物质。半导体物质可以是algainn、gan、algan、ingan、aln、inn或si等，但不限于此。
167.芯层211可以包括位于第一方向dr1的一侧的一端部211a以及位于第一方向dr1的另一侧的另一端部211b。
168.反射导电图案213可以围绕芯层211的外表面。进而，反射导电图案213可以覆盖芯层211的一端部211a和另一端部211b中的一个。例如，反射导电图案213可以覆盖芯层211的一端部211a，并且可以暴露另一端部211b。反射导电图案213可以与芯层211的一端部211a
直接接触。
169.反射导电图案213可以包括反射物质。所述反射物质可以包括银(ag)、铜(cu)或铝(al)。反射导电图案213可以将从发光元件ed的长边侧端部发出的光lb朝上部方向反射。
170.绝缘膜215可以围绕反射导电图案213的外表面。进而，绝缘膜215可以覆盖芯层211的一端部211a和另一端部211b中的一个。例如，绝缘膜215可以覆盖芯层211的一端部211a，并且可以暴露另一端部211b。绝缘膜215可以与覆盖芯层211的一端部211a的反射导电图案213直接接触。
171.绝缘膜215可以包括具有绝缘特性的物质，例如，硅氧化物(siox：silicon oxide)、硅氮化物(sinx：silicon nitride)、氮氧化硅(sio
x
ny)、铝氮化物(aln：aluminum nitride)、铝氧化物(al2o3：aluminum oxide)等。
172.接触电极cte1、cte2可以与芯层211的另一端部211b、反射导电图案213的沿第一方向dr1的另一侧端部、绝缘膜215的沿第一方向dr1的另一侧端部、借由第三绝缘层il3而暴露的绝缘膜215的上表面直接接触。围绕芯层211的长边的绝缘膜215的下端部可以与第一绝缘层il1及第二绝缘层il2直接接触。
173.图12是放大图4的a区域的平面图。
174.参照图12，如上所述，反射结构物rs可以与发光元件ed隔开。发光元件ed和反射结构物rs可以沿第二方向dr2彼此隔开。至少一个反射结构物rs可以是多个。多个发光元件ed和多个反射结构物rs可以沿第二方向dr2交替地布置。相邻的反射结构物rs之间可以布置有发光元件ed。
175.从发光元件ed的短边侧一端及发光元件ed的短边侧另一端发出光la，从发光元件ed的短边侧一端及发光元件ed的短边侧另一端发出的光la分别通过第一电极ae及第二电极ce而朝上部反射，反射结构物rs可以将从发光元件ed的长边侧端部发出的光lb朝上部方向反射。
176.以下，对上述的反射结构物rs的制造过程进行说明。
177.图13至图16是示出制造根据一实施例的反射结构物的过程的按工艺阶段的剖视图。
178.如图13所示，首先，在基体部sub上生长芯层211’。芯层211’沿厚度方向生长。芯层211’可以包括半导体物质。半导体物质可以是algainn、gan、algan、ingan、aln、inn或si等，但不限于此。
179.接着，对芯层211’的除了图14所示的底部211_b”以及从底部211_b”沿厚度方向突出(或者延伸)的突出部211_u”之外的部分进行蚀刻。所述蚀刻可以包括湿式蚀刻或干式蚀刻。在所述蚀刻步骤之后，如图14所示，形成芯层211”。
180.接着，如图15所示，形成围绕芯层211”的突出部211_u”的外表面的反射导电图案213。反射导电图案213可以覆盖向沿突出部211_u”的厚度方向延伸的长边部(或侧面部)及突出部211_u”的一端部(参照图10的一端部211a)。
181.反射导电图案213可以包括反射物质。所述反射物质可以包括银(ag)、铜(cu)或铝(al)。
182.接着，形成围绕反射导电图案213的外面的绝缘膜215。绝缘膜215可以覆盖覆盖沿突出部211_u”的厚度方向延伸的长边部(或侧面部)的反射导电图案213、覆盖突出部211_
u”的一端部(参照图10的一端部211a)的反射导电图案213。
183.如图15所示，所制造的反射导电图案213的下端部(图10中的反射导电图案213的第一方向dr1的另一侧端部)、所制造的绝缘膜215的下端部(图10中的绝缘膜215的第一方向dr1的另一侧端部)及芯层211的下端部(图10中的芯层211的另一侧端部211b)可以与底部211_b”直接接触。
184.接着，如图16所示，从底部211_b”剥离(或分离)反射导电图案213的下端部(图10中的反射导电图案213的第一方向dr1的另一侧端部)、绝缘膜215的下端部(图10中的绝缘膜215的第一方向dr1的另一侧端部)及芯层211的下端部(图10中的芯层211的另一端部211b)。反射导电图案213的下端部(图10中的反射导电图案213的第一方向dr1的另一侧端部)、绝缘膜215的下端部(图10中的绝缘膜215的第一方向dr1的另一侧端部)及芯层211的下端部(图10中的芯层211的另一端部211b)从底部211_b”剥离(或分离)可通过切割装置ctd进行。突出部211_u”可以对应于图11的芯层211。
185.以下，针对另一实施例进行说明。
186.图17是示出根据另一实施例的反射结构物的图。
187.参照图17，根据本实施例的反射结构物rs_1与根据一实施例的反射结构物rs_1的不同之处在于，反射导电图案213覆盖芯层211_1的另一端部211b。
188.更具体而言，在根据本实施例的反射结构物rs_1中，反射导电图案213可以覆盖芯层211_1的另一端部211b。反射导电图案213可以与芯层211_1的另一端部211b直接接触。进而，绝缘膜215可以覆盖芯层211_1的另一端部211b。绝缘膜215可以直接接触于与芯层211_1的另一端部211b直接接触的反射导电图案213。
189.根据本实施例的芯层211_1的形状可以与根据一实施例的芯层211的形状相似。例如，与芯层211相似，芯层211_1的形状可以是棒、线、管等的形状。芯层211_1的剖面形状可以具有矩形形状，但不限于此。
190.根据本实施例的芯层211_1与根据一实施例的芯层211的物质不同。根据本实施例的芯层211_1可以包括玻璃(glass)材质。例如，芯层211_1可以包括玻璃珠(glass bead)，但不限于此。
191.图18是示出根据又一实施例的反射结构物的图。
192.参照图18，根据本实施例的反射结构物rs_2的芯层211_2的形状与根据图17的反射结构物rs_1的芯层211_1的形状不同。根据本实施例的芯层211_2的剖面形状可以具有椭圆形状。与根据图17的反射结构物rs_1相比，根据本实施例的反射结构物rs_2在具有包括适合大量生产的芯层211_2结构的优点。
193.以上参照附图说明了本发明的实施例，但在本发明所属技术领域中具有普通知识的人员可以理解的是，可以在不改变本发明的其技术思想或者必要特征的情况下以其他具体的形态实施。因此，以上记载的实施例应当理解为在所有方面均为示例性的，而不是限定性的。