半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；阵列结构，位于所述衬底上；所述阵列结构包括第一晶体管阵列和第二晶体管阵列，所述第一晶体管阵列包括多个第一半导体柱，所述第二晶体管阵列包括多个第二半导体柱；存储结构，位于所述第一晶体管阵列与所述第二晶体管阵列之间；所述存储结构包括多个第一电容和多个第二电容，所述第一电容包括与所述第一半导体柱顶面电接触的第一电极，所述第二电容包括与所述第二半导体柱底面电接触的第二电极，所述第一电容和所述第二电容之间设有共用电极；引线结构，所述引线结构包括至少一个电极引线，所述电极引线与所述共用电极电接触，且所述电极引线在所述衬底表面上的正投影，与所述阵列结构在所述衬底表面上的正投影不重合。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述共用电极包括：第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分的外围，所述第一部分在所述衬底表面上的正投影与所述阵列结构在所述衬底表面上的正投影重合，所述电极引线与所述第二部分电连接。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述电极引线的底部位于所述共用电极内。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述电极引线贯穿所述共用电极。5.如权利要求2～4中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分包括多个拐角区，每一所述拐角区的所述共用电极连接至少一个所述电极引线。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电极引线包括：延伸部，沿平行于所述衬底表面的方向延伸，所述延伸部的一端与所述共用电极的侧面电接触；主体部，沿垂直于所述衬底表面的方向延伸，所述主体部的一端与所述延伸部的另一端电接触。7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述共用电极具有多个侧面，且每一所述侧面均与至少一个所述电极引线电接触。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，每一所述侧面与多个所述电极引线电接触，且与同一所述侧面电接触的多个所述电极引线中，不同的所述电极引线的延伸部在所述衬底表面上的正投影相互重合，不同的所述电极引线的主体部在所述衬底表面上的正投影相互错开。9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，每一所述侧面与多个所述电极引线电接触，且与同一所述侧面电接触的多个所述电极引线中，不同的所述电极引线的所述延伸部在所述衬底表面上的正投影相互错开，不同的所述电极引线的主体部在所述衬底表面上的正投影相互错开。10.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：字线引线和位线引线；每一所述延伸部对应与多个所述主体部电接触，与同一所述延伸部电接触的不同所述主体部之间的间距为第一间距，所述第一间距大于相邻的所述位线引线之间的间距或者相邻的字线引线之间的间距。
11.如权利要求1中所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：沿垂直所述衬底表面方向堆叠的多个阵列单元，每个所述阵列单元包括依次堆叠的所述第一晶体管阵列、所述第一电容、所述第二电容以及所述第二晶体管阵列，多个所述阵列单元之间共用所述引线结构。12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第一阵列单元和第二阵列单元，所述第二阵列单元位于所述第一阵列单元上方，所述电极引线贯穿所述第二阵列单元的共用电极，且所述电极引线的底部位于所述第一阵列单元的共用电极内。13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第一阵列单元和第二阵列单元，所述第二阵列单元位于所述第一阵列单元上方，所述第一阵列单元的侧面电连接第一电极引线，所述第一电极引线包括电连接的第一延伸部和第一主体部，所述第二阵列单元的侧面电连接第二电极引线，所述第二电极引线包括电连接的第二延伸部和第二主体部，所述第一延伸部电连接所述第一阵列单元的侧面，所述第二延伸部电连接所述第二阵列单元的侧面，所述第一主体部电连接所述第二主体部。14.如权利要求12或13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阵列单元包括第一晶体管阵列和第二晶体管阵列，所述第二阵列单元包括第三晶体管阵列和第四晶体管阵列，所述第二晶体管阵列与所述第三晶体管阵列之间设有共用的位线结构。15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述第二晶体管阵列在所述衬底表面上的正投影，与所述第三晶体管阵列在所述衬底表面上的正投影至少部分重叠或相互错开。

技术总结
本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：衬底及位于衬底上的阵列结构；阵列结构包括第一晶体管阵列和第二晶体管阵列，第一晶体管阵列包括多个第一半导体柱，第二晶体管阵列包括多个第二半导体柱；存储结构，位于第一晶体管阵列与第二晶体管阵列之间；存储结构包括多个第一电容和多个第二电容，第一电容包括与第一半导体柱顶面电接触的第一电极，第二电容包括与第二半导体柱底面电接触的第二电极，第一电容和第二电容之间设有共用电极；引线结构，引线结构包括至少一个电极引线，电极引线与共用电极电接触，且电极引线在衬底表面的正投影与阵列结构在衬底表面的正投影不重合，以提高半导体结构的集成密度，降低电容引线的难度。降低电容引线的难度。降低电容引线的难度。


技术研发人员：邵光速
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.09.30
技术公布日：2022/12/16