1.本发明涉及一种显示装置。
背景技术：
：：2.随着多媒体的发展，显示装置的重要性正在增加。响应于此，正在使用诸如有机发光显示装置(oled：organiclightemittingdisplay)、液晶显示装置(lcd：liquidcrystaldisplay)等的多种类型的显示装置。3.作为显示显示装置的图像的装置，包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板之类的显示面板。其中，作为发光显示面板，可以包括发光元件，例如，在作为发光元件而包括发光二极管(led：lightemittingdiode，)的情况下，所述发光二极管可以包括将有机物用作荧光物质的有机发光二极管、将无机物用作荧光物质的无机发光二极管等。4.利用无机物半导体作为荧光物质的无机发光二极管即使在高温环境下也具有耐久性，并且与有机发光二极管相比具有蓝色光的效率高的优点。并且，在曾经被指出为现有的无机发光二极管元件的局限性的制造工艺中，也开发了利用介电电泳(dep：dielectrophoresis)法的转移方法。因此，正在持续进行对与有机发光二极管相比耐久性及效率优异的无机发光二极管的研究。技术实现要素：5.本发明期望解决的技术问题在于提供一种能够防止第一有源层因所述第一有源层下部的阶梯差而断开(open)的显示装置。6.本发明的技术问题并不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以从以下记载明确理解未提及的其他技术问题。7.用于解决所述技术问题的根据一实施例的一种显示装置包括：基板；第一有源层，在所述基板上沿第一方向延伸；以及第一导电层，布置于所述基板与所述第一有源层之间，并包括沿所述第一方向彼此隔开的第一导电图案和第二导电图案，其中，所述第一有源层共形(conformal)地反映所述第一导电层的阶梯差，所述第一有源层在所述第一导电图案与所述第二导电图案的隔开空间上具有分支的结构。8.用于解决所述技术问题的根据另一实施例的一种显示装置包括：基板；第一有源层，在所述基板上沿第一方向延伸；以及第一导电层，布置于所述基板与所述第一有源层之间，并包括沿所述第一方向彼此隔开的第一导电图案和第二导电图案，其中，所述第一有源层共形(conformal)地反映所述第一导电层的阶梯差，所述第一有源层在所述第一导电图案与所述第二导电图案的隔开空间上具有分支的结构，所述第一有源层具有沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此隔开且沿所述第一方向延伸的第一分支部和第二分支部以及与所述第一分支部及所述第二分支部连接的茎部，所述第一分支部及所述第二分支部分别是从所述茎部分支的结构，所述第一分支部及所述第二分支部中的一个包括物理分离的分支图案，并且另一个不包括物理分离的分支图案。9.其他实施例的具体事项包括于详细的说明及附图。10.基于根据实施例的显示装置，能够防止第一有源层因所述第一有源层下部的阶梯差而断开(open)。11.根据实施例的效果不限于以上例示的内容，并且在本说明书中包括更加多样的效果。附图说明12.图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。13.图2是示出包括于根据一实施例的显示装置的布线的示意性的布置图。14.图3是根据一实施例的一子像素的等效电路图。15.图4是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。16.图5是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。17.图6是放大图5的a区域的平面图。18.图7是沿图6的p1-p1'线剖切的剖面图。19.图8是沿图6的p2-p2'线剖切的剖面图。20.图9是示出包括于根据一实施例的显示装置的一像素的多个电极和堤的示意性的平面图。21.图10是沿图9的q1-q1'线、q2-q2'线及q3-q3'线剖切的剖面图。22.图11是根据一实施例的发光元件的示意图。23.图12是根据另一实施例的放大图5的a区域的平面图。24.图13是根据又一实施例的放大图5的a区域的平面图。25.图14是沿图13的p1-p1'线剖切的剖面图。26.附图标记说明27.10：显示装置ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ21：第一电极28.22：第二电极ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ26：第一接触电极29.27：第二接触电极ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ28：第三接触电极30.30：发光元件ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ40：第一堤31.45：第二堤ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ41：第一子堤32.42：第二子堤ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ51：第一绝缘层33.52：第二绝缘层ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ53：第三绝缘层34.54：第四绝缘层具体实施方式35.参照与附图一起详细后述的实施例，可以明确本发明的优点和特征以及达成这些的方法。然而本发明可以实现为彼此不同的多样的形态，而不限于以下公开的实施例，并且提供本实施例的目的仅在于使本发明的公开完整并向本发明所属
技术领域：
：中具有普通知识的人员完整地告知本发明的范围，本发明仅由权利要求的范围所定义。36.当元件(elements)或层被描述为位于其他元件或层“之上(on)”时，包括其他元件或层的紧邻的上方或中间夹设有其他元件或其他层的情况。与此相同地，被描述为“下(below)”、“左(left)”及“右(right)”的情况包括与其他元件或层直接相邻地布置的情况或在中间夹设有其他层或其他元件的情况。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的构成要素。37.虽然“第一”、“第二”等用于叙述多样的构成要素，但这些构成要素显然不受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构成要素与其他构成要素进行区分。因此，以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内，显然也可以是第二构成要素。38.以下，参照附图对实施例进行说明。39.图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。40.在本说明书中，“上部”、“顶部(top)”、“上表面”表示以显示装置10为基准的上部方向(即，第三方向dr3的一方向)，“下部”、“底部(bottom)”、“下表面”表示第三方向dr3的另一方向。并且，“左”、“右”、“上”、“下”表示当从平面观察显示装置10时的方向。例如，“左”表示第一方向dr1的一方向，“右”表示第一方向dr1的另一方向，“上”表示第二方向dr2的一方向，“下”表示第二方向dr2的另一方向。41.参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指代提供显示画面的所有电子装置。例如，提供显示画面的电视、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc：personalcomputer)、电子表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp：portablemultimediaplayer)、导航仪、游戏机、数码相机、摄像机等可以包括于显示装置10。42.显示装置10可以包括提供显示画面的显示面板。作为显示面板的示例，可以列举无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。以下，作为显示面板的一示例，例示了应用无机发光二极管显示面板的情况，但并不限于此，如果可以应用相同的技术思想，则也可以应用其他显示面板。43.显示装置10的形状可以多样地变形。例如，显示装置10可以具有横向的长度较长的矩形、纵向的长度较长的矩形、正方形、边角部(顶点)弧形的四边形、其他多边形、圆形等的形状。显示装置10的显示区域dpa的形状也可以与显示装置10的整体形状相似。在图1中，例示了横向的长度较长的矩形形状的显示装置10及显示区域dpa。44.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa是可显示画面的区域，非显示区域nda是不显示画面的区域。显示区域dpa可以被称为有效区域，并且非显示区域nda可以被称为非有效区域。显示区域dpa可以大致占据显示装置10的中心。45.显示区域dpa可以包括多个像素px。多个像素px可以沿行列方向排列。各个像素px的形状在平面上可以是矩形或正方形，但并不限于此，也可以是各边相对于一方向倾斜的菱形形状。多个像素px可以以条纹型或五瓦片型交替排列。并且，像素px中的每一个可以包括发出特定波段的光的一个以上的发光元件30(参照图10)来显示特定颜色。46.在显示区域dpa的周围可以布置有非显示区域nda。非显示区域nda可以完全或局部地包围显示区域dpa。显示区域dpa可以是矩形形状，非显示区域nda可以布置为与显示区域dpa的四个边相邻。非显示区域nda可以构成显示装置10的边框。在各个非显示区域nda可以布置有包括于显示装置10的布线或电路驱动部，或者可以安装有外部装置。47.图2是示出包括于根据一实施例的显示装置的布线的示意性的布置图。48.参照图2，显示装置10可以包括多条布线。多条布线可以包括扫描线scl、感测线ssl、数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl等。并且，虽然未图示，在显示装置10还可以布置有其他布线。49.扫描线scl和感测线ssl可以沿第一方向dr1延伸。扫描线scl和感测线ssl可以连接到扫描驱动部sdr。扫描驱动部sdr可以包括驱动电路。扫描驱动部sdr可以布置于显示区域dpa的第一方向dr1的一侧，但不限于此。扫描驱动部sdr可以与信号连接布线cwl连接，并且信号连接布线cwl的至少一端部可以在非显示区域nda中形成垫wpd_cw而与外部装置连接。50.另外，在本说明书中，“连接”的含义不仅可以表示一个部件与另一部件通过彼此的物理接触而连接，而且还可以表示通过另一部件连接。并且，可以理解为这是一个一体化的部件，并且一部分和另一部分借由一体化的部件而彼此连接。进而，一个部件与另一部件之间的连接可以解释为除了包括直接接触连接之外还包括通过另一部件的电连接。51.数据线dtl和初始化电压布线vil可以沿与第一方向dr1交叉的第二方向dr2延伸。初始化电压布线vil除了可以包括沿第二方向dr2延伸的部分之外还包括从该部分沿第一方向dr1分支的部分。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl也可以包括沿第二方向dr2延伸的部分和与此连接而沿第一方向dr1延伸的部分。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl可以具有网格(mesh)结构，但不限于此。虽然未图示，但是显示装置10的各个像素px可以连接到至少一条数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl。52.数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl和第二电压布线vsl可以与至少一个布线垫wpd电连接。各个布线垫wpd可以布置于非显示区域nda。在一实施例中，数据线dtl的布线垫wpd_dt(以下，称为“数据垫”)可以布置于位于显示区域dpa的第二方向dr2一侧的垫区域pda，初始化电压布线vil的布线垫wpd_vint(以下，称为“初始化电压垫”)、第一电压布线vdl的布线垫wpd_vdd(以下，称为“第一电源垫”)及第二电压布线vsl的布线垫wpd_vss(以下，称为“第二电源垫”)可以布置于位于显示区域dpa的第二方向dr2另一侧的垫区域pda。作为另一示例，数据垫wpd_dt、初始化电压垫wpd_vint、第一电源垫wpd_vdd及第二电源垫wpd_vss也可以全部布置于相同的区域(例如，位于显示区域dpa的上侧的非显示区域nda)。在布线垫wpd上可以安装有外部装置。外部装置可以通过各向异性导电膜、超声波接合等而安装在布线垫wpd上。53.显示装置10的各个像素px或子像素pxn(n是1至3的整数)包括像素驱动电路。上述的布线可以在经过各个像素px或其周围时对各个像素驱动电路施加驱动信号。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。各个像素驱动电路的晶体管和电容器的数量可以多样地变形。根据一实施例，显示装置10的各个子像素pxn可以是像素驱动电路包括三个晶体管和一个电容器的3t1c结构。以下，将3t1c结构作为示例对像素驱动电路进行说明，但不限于此，也可以应用2t1c结构、4t1c结构、7t1c结构等的多样的其他变形像素px结构。54.图3是根据一实施例的一子像素的等效电路图。55.参照图3，根据一实施例的显示装置10的各个子像素pxn除了发光二极管el之外还包括三个晶体管t1、t2、t3和一个存储电容器cst。56.发光二极管el根据通过第一晶体管t1供应的电流而发光。发光二极管el包括第一电极、第二电极及布置于它们之间的至少一个发光元件。所述发光元件可以借由从第一电极和第二电极传输的电信号而发出特定波段的光。57.发光二极管el的一端可以连接到第一晶体管t1的源极电极，另一端可以连接到被供应比第一电压布线vdl的高电位电压(以下，第一电源电压)低的低电位电压(以下，第二电源电压)的第二电压布线vsl。58.第一晶体管t1根据栅极电极与源极电极的电压差来调整从被供应第一电源电压的第一电压布线vdl流向发光二极管el的电流。作为一示例，第一晶体管t1可以是用于驱动发光二极管el的驱动晶体管。第一晶体管t1的栅极电极可以连接到第二晶体管t2的源极电极，第一晶体管t1的源极电极可以连接到发光二极管el的第一电极，第一晶体管t1的漏极电极可以连接到被施加第一电源电压的第一电压布线vdl。59.第二晶体管t2借由扫描线scl的扫描信号而导通，以将数据线dtl连接到第一晶体管t1的栅极电极。第二晶体管t2的栅极电极可以连接到扫描线scl，并且第二晶体管t2的源极电极可以连接到第一晶体管t1的栅极电极，第二晶体管t2的漏极电极可以连接到数据线dtl。60.第三晶体管t3借由感测线ssl的感测信号而导通，以将初始化电压布线vil连接到发光二极管el的一端。第三晶体管t3的栅极电极可以连接到感测线ssl，第三晶体管t3的漏极电极可以连接到初始化电压布线vil，并且第三晶体管t3的源极电极可以连接到发光二极管el的一端或第一晶体管t1的源极电极。61.在一实施例中，各个晶体管t1、t2、t3的源极电极和漏极电极并不限于上述内容，也可以是相反的情况。62.存储电容器cst形成于第一晶体管t1的栅极电极与源极电极之间。存储电容器cst存储第一晶体管t1的栅极电压与源极电压的差电压。63.晶体管t1、t2、t3中的每一个可以利用薄膜晶体管(thinfilmtransistor)形成。并且，在图3中，以各个晶体管t1、t2、t3利用n型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet：metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)形成的情况为中心进行了说明，但并不限于此。即，各个晶体管t1、t2、t3可以利用p型mosfet形成，或者也可以是晶体管t1、t2、t3中的一部分利用n型mosfet形成且另一部分利用p型mosfet形成。64.以下，将进一步参照其他附图对根据一实施例的显示装置10的一像素px的结构进行详细说明。65.图4是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。图5是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。图4所示的子像素pxn并非以区分它们所占据的区域的方式被示出，而是以区分连接到布置于各个子像素pxn的发光二极管的电路元件层的方式被示出。66.在以下的各个附图中，第一方向dr1的两侧可以分别表示左侧和右侧，第二方向dr2的两侧可以分别表示上侧和下侧。67.参照图4及图5，显示装置10的多个像素px中的每一个可以包括多个子像素pxn(n为1至3的整数)。例如，一个像素px可以包括第一子像素px1、第二子像素px2及第三子像素px3。第一子像素px1可以发出第一颜色的光，第二子像素px2可以发出第二颜色的光，第三子像素px3可以发出第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。但是，并不限于此，各个子像素pxn也可以发出相同颜色的光。68.显示装置10的各个子像素pxn可以包括发光区域(图9的ema)及非发光区域(未图示)。发光区域ema可以是布置有发光元件(图10的30)而射出特定波段的光的区域，非发光区域可以是未布置有发光元件30且从发光元件30发出的光未到达而不射出光的区域。发光区域包括布置有发光元件30的区域，并且可以包括与发光元件30相邻且射出从发光元件30发出的光的区域。69.不限于此，发光区域还可以包括从发光元件30发出的光被其他部件反射或折射而射出的区域。多个发光元件30布置于各个子像素pxn，并可以形成包括布置有它们的区域和与此相邻的区域的发光区域。70.在显示装置10的各个像素px及子像素pxn布置有多条布线。例如，显示装置可以包括沿第一方向dr1延伸布置的扫描线scl、感测线ssl。并且，显示装置10包括沿第二方向dr2延伸布置的数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl。71.扫描线scl沿第一方向dr1延伸，并且横跨沿第一方向dr1排列的多个子像素pxn而布置。并且，多条扫描线scl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第二方向dr2彼此隔开布置。扫描线scl可以以各个像素px或子像素pxn的中心为基准布置于上侧。扫描线scl可以与第二晶体管t2的栅极电极电连接，并可以对第二晶体管t2施加扫描信号。72.与此类似地，感测线ssl沿第一方向dr1延伸，并且横跨沿第一方向dr1排列的多个子像素pxn而布置。并且，多条感测线ssl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第二方向dr2彼此隔开布置。感测线ssl可以以各个像素px或子像素pxn的中心为基准布置于上侧。感测线ssl可以与第三晶体管t3的栅极电极电连接，并可以对第三晶体管t3施加感测信号。73.扫描线scl和感测线ssl可以构成为后述的数据导电层(或第三导电层)。74.数据线dtl沿第二方向dr2延伸，并且横跨沿第二方向dr2排列的多个子像素pxn而布置。并且，多条数据线dtl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第一方向dr1彼此隔开布置。数据线dtl可以布置于各个子像素pxn的右侧。数据线dtl可以与第二晶体管t2的漏极电极电连接，且可以对第二晶体管t2施加数据信号。75.初始化电压布线vil沿第二方向dr2延伸，并且横跨沿第二方向dr2排列的多个像素px而布置。并且，多条初始化电压布线vil横跨显示区域dpa的整个表面而沿第一方向dr1彼此隔开布置。初始化电压布线vil可以分别布置于每三个子像素pxn或每一个像素px。作为一示例，初始化电压布线vil可以布置于连接到任意一个子像素pxn的数据线dtl的左侧。初始化电压布线vil可以与第三晶体管t3的漏极电极电连接，并可以对第三晶体管t3施加初始化电压。76.数据线dtl和初始化电压布线vil可以构成为后述的第一导电层。77.第一电压布线vdl和第二电压布线vsl可以沿第二方向dr2延伸，并且横跨沿第二方向dr2相邻的多个子像素pxn而布置。并且，多条第一电压布线vdl和第二电压布线vsl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第一方向dr1彼此隔开布置。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl在平面上可以布置于多条数据线dtl之间。以各个子像素pxn的中心为基准，第一电压布线vdl可以布置于左侧，第二电压布线vsl可以布置于右侧。78.第一电压布线vdl可以与第一晶体管t1的漏极电极电连接，并可以对第一晶体管t1施加第一电源电压。第二电压布线vsl可以与发光二极管el的第二电极电连接，并可以对发光元件施加第二电源电压。第一电压布线vdl及第二电压布线vsl可以构成为所述第一导电层。另外，第一电压布线vdl可以与沿第一方向dr1延伸的第一电源布线vdl'电连接。如图5所示，第一电源布线vdl'可以构成为所述数据导电层(或所述第三导电层)。79.图6是放大图5的a区域的平面图。图7是沿图6的p1-p1'线剖切的剖面图。图8是沿图6的p2-p2'线剖切的剖面图。图9是示出包括于根据一实施例的显示装置的一像素的多个电极和堤的示意性的平面图。图10是沿图9的q1-q1'线、q2-q2'线及q3-q3'线剖切的剖面图。作为布置于各个像素px的显示元件层，图9除了示出构成发光二极管el的各个电极21、22和发光元件30的布置之外还示出多个堤40、45及接触电极26、27的布置。图10除了示出第一晶体管t1之外还示出横穿发光元件30的两端部的剖面。80.结合图4及图5参照图6至图10，显示装置10可以包括电路元件层和显示元件层。显示元件层可以是包括发光二极管el的发光元件30且布置有第一电极21和第二电极22的层，电路元件层可以是包括用于驱动发光二极管el的像素电路元件且布置有多条布线的层。例如，电路元件层除了包括扫描线scl、感测线ssl、数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl之外还可以包括各个晶体管t1、t2、t3。81.并且，各个子像素pxn可以包括布置于非发光区域的截断部区域(图9的cba)。截断部区域cba可以布置于发光区域ema的第二方向dr2一侧。截断部区域cba可以布置于沿第二方向dr2相邻的子像素pxn的发光区域ema之间。在显示装置10的显示区域dpa可以排列多个发光区域ema和截断部区域cba。例如，多个发光区域ema和截断部区域cba分别可以沿第一方向dr1反复排列，且发光区域ema和截断部区域cba可以沿第二方向dr2交替排列。并且，截断部区域cba沿第一方向dr1隔开的间隔可以小于发光区域ema沿第一方向dr1隔开的间隔。如下所述，在截断部区域cba和发光区域ema之间可以布置有第二堤45，且它们之间的间隔可以根据第二堤45的宽度而不同。在截断部区域cba未布置发光元件30而不射出光，但是可以布置有布置于各个子像素pxn的电极21、22的一部分。布置于每个子像素pxn的电极21、22可以在截断部区域cba彼此分离而布置。82.第二堤45可以包括在平面上沿第一方向dr1及第二方向dr2延伸的部分，并可以在显示区域dpa的整个表面布置成网格型图案。第二堤45可以跨过各个子像素pxn的边界而布置，从而区分相邻的子像素pxn。并且，第二堤45可以以包围布置于每个子像素pxn的发光区域ema和截断部区域cba的方式布置，从而区分它们。在第二堤45的沿第二方向dr2延伸的部分中，布置在发光区域ema之间的部分可以具有比布置在截断部区域cba之间的部分的宽度更大的宽度。据此，截断部区域cba之间的间隔可以小于发光区域ema之间的间隔。83.显示装置10包括用于布置电路元件层及显示元件层的第一基板11。第一基板11可以是绝缘基板，并可以利用玻璃、石英或高分子树脂等的绝缘物质构成。并且，第一基板11可以是刚性(rigid)基板，但也可以是能够进行弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。84.第一导电层可以布置于第一基板11上。所述第一导电层布置成与显示装置10的第一晶体管t1的第一有源层act1重叠。所述第一导电层可以包括阻断光的材料以防止光入射到第一晶体管t1的第一有源层act1。作为一示例，所述第一导电层可以利用阻断光的透射的不透明的金属物质形成。例如，所述第一导电层可以包括所述不透明的金属物质中的一种或至少两种。例如，所述第一导电层可以以钛(ti)及铜(cu)的堆叠膜的形态提供。所述第一导电层可以包括第二电容电极cse2、第一电压布线vdl、第二电压布线vsl、数据线dtl。85.另外，所述第一导电层可以具有第一厚度。所述第一导电层的厚度可以是7000埃至9000埃，但不限于此。例如，所述第一导电层的厚度可以是约8200埃。86.如上所述，所述第一导电层可以应用为第一电压布线vdl、第二电压布线vsl、数据线dtl等的像素的信号布线。为了应用为所述信号布线，优选降低每条所述信号布线的电阻。对所述信号布线的电阻而言，优选地，不仅所述信号布线的物质包括低电阻物质，而且包括所述信号布线的所述第一导电层的厚度也较大。上述的所述第一导电层的厚度采用7000埃至9000埃的范围，从而能够降低应用为所述像素的信号布线的所述第一导电层整体的电阻。87.缓冲层12可以覆盖第一导电层，且可以全面地布置于第一基板11上。缓冲层12可以形成在第一基板11上以保护各个晶体管t1、t2、t3免受通过易受透湿影响的第一基板11而渗透的水分的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以利用交替堆叠的多个无机层而构成。例如，缓冲层12可以形成为包括硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。缓冲层12可以共形(conformal)地反映位于缓冲层12的下部的所述第一导电层的阶梯差。88.半导体层布置于缓冲层12上。半导体层可以包括各个晶体管t1、t2、t3的有源层act1、act2、act3。89.在示例性实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。多晶硅可以通过结晶化非晶硅而形成。在半导体层包括氧化物半导体的情况下，各个有源层act1、act2、act3可以包括多个导电区域act_a、act_b以及它们之间的沟道区域act_c。所述氧化物半导体可以是含有铟(in)的氧化物半导体。在若干实施例中，所述氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ito：indium-tinoxide)、铟锌氧化物(izo：indium-zincoxide)、铟镓氧化物(igo：indium-galliumoxide)、铟锌锡氧化物(izto：indium-zinc-tinoxide)、铟镓锌氧化物(igzo：indium-gallium-zincoxide)、铟镓锡氧化物(igto：indium-gallium-tinoxide)、铟镓锌锡氧化物(igzto：indium-gallium-zinc-tinoxide)等。90.在另一示例性实施例中，半导体层也可以包括多晶硅。多晶硅可以通过结晶化非晶硅来形成，并且在此情况下，有源层act1、act2、act3的导电区域分别可以是掺杂有杂质的掺杂区域。然而，不限于此。91.半导体层布置于共形(conformal)地反映所述第一导电层的阶梯差的缓冲层12上，并且与缓冲层12相同地，可以共形地反映所述第一导电层的阶梯差。半导体层的厚度可以是约400埃。即，半导体层的厚度可以是上述的所述第一导电层的厚度的约1/20的程度。并且，由于半导体层共形地反映所述第一导电层的阶梯差，因此，在特定区域中，半导体层可以因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)。对此的说明将进行后述。92.第一栅极绝缘层13布置于半导体层及缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以覆盖半导体层，并且可以布置于缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以起到各个晶体管的栅极绝缘膜的功能。第一栅极绝缘层13可以利用包括无机物(例如，硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion))的无机层构成，或者可以形成为将所述无机层堆叠的结构。93.第一栅极导电层(或第二导电层)布置于第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括各个晶体管t1、t2、t3的栅极电极g1、g2、g3、存储电容器cst的第一电容电极cse1。94.第一栅极导电层的栅极电极g1、g2、g3可以布置成分别与晶体管t1、t2、t3的有源层局部重叠。例如，第一晶体管t1的第一栅极电极g1可以布置成与第一有源层act1局部重叠。第一栅极电极g1可以与存储电容器cst的第一电容电极cse1连接而被一体化。95.第二晶体管t2的第二栅极电极g2布置成与第二有源层act2局部地重叠，第三晶体管t3的第三栅极电极g3布置成与第三有源层act3局部地重叠。96.第二栅极电极g2可以与扫描线scl电连接，并且第二晶体管t2可以被施加扫描信号。第三栅极电极g3可以与感测线ssl电连接，并且在第三晶体管t3中，感测信号可以被施加到栅极电极。97.第一电容电极cse1可以与第一晶体管t1的第一栅极电极g1及第二晶体管t2的源极电极电连接。作为一示例，第一电容电极cse1可以与第一栅极电极g1一体化而形成，并可以通过接触孔ct5而与第二晶体管t2的源极电极连接。98.在一实施例中，第一栅极导电层还可以包括第三电极图案ep3。第三电极图案ep3可以与从扫描线scl沿第二方向dr2分支的区域重叠。第三电极图案ep3可以构成第二晶体管t2的栅极电极g2，并可以通过接触孔ct8而与扫描线scl连接。第一栅极导电层还可以包括与从感测线ssl沿第二方向dr2分支的区域重叠的第五电极图案ep5。第五电极图案ep5构成第三晶体管t3的栅极电极g3，且可以通过接触孔ct10而与感测线ssl连接。99.第一栅极导电层可以形成为利用钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)及铜(cu)中的任意一种或它们的合金构成的单层或多层。然而，不限于此。100.第一保护层15布置于第一栅极导电层上。第一保护层15可以以覆盖第一栅极导电层的方式布置，以执行保护第一栅极导电层的功能。第一保护层15可以利用包括无机物(例如，包括硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion))的无机层构成，或者可以形成为将所述无机层堆叠的结构。101.数据导电层(或第三导电层)布置于第一保护层15上。第一数据导电层可以包括各个晶体管t1、t2、t3的源极电极和漏极电极、多个电极图案ep1、ep2、ep4、ep6。102.第一晶体管t1的第一源极电极s1及第一漏极电极d1布置成与第一有源层act1局部重叠。第一电极图案ep1可以包括第一漏极电极d1。第一源极电极s1及第一漏极电极d1可以分别通过贯通第一保护层15及第一栅极绝缘层13的接触孔ct1、ct2而与第一有源层act1接触。103.第一漏极电极d1可以通过接触孔ct3而与第一电压布线vdl电连接，第一源极电极s1可以通过接触孔ct4而连接于与发光二极管el的第一电极21连接的存储电容器cst的第二电容电极cse2。104.第一晶体管t1可以借由从第二晶体管t2传输的数据信号而导通，以将第一电源电压传输到第一电极21。105.第二晶体管t2的第二源极电极s2及第二漏极电极d2布置成与第二有源层act2局部重叠。第二源极电极s2及第二漏极电极d2可以分别通过贯通第一保护层15及第一栅极绝缘层13的接触孔ct6、ct7而与第二有源层act2接触。106.第二漏极电极d2可以通过第二电极图案ep2而与数据线dtl连接(通过接触孔ct9连接)，第二源极电极s2可以通过贯通第一保护层15的接触孔ct5与而第一电容电极cse1接触。第二晶体管t2可以借由扫描信号而导通，以将从数据线dtl施加的数据信号传输到第一晶体管t1的第一栅极电极g1。107.第三晶体管t3的第三源极电极s3及第三漏极电极d3布置成与第三有源层act3局部重叠。第三源极电极s3及第三漏极电极d3可以通过贯通第一保护层15及第一栅极绝缘层13的接触孔ct11而分别与第三有源层act3接触。第三源极电极s3可以与存储电容器cst的第二电容电极cse2连接。并且，第三漏极电极d3可以通过第六电极图案ep6而与初始化电压布线vil连接(通过接触孔ct12连接)。108.第三晶体管t3可以借由感测信号而导通，以通过第二电容电极cse2向发光二极管el的第一电极21传输初始化电压。109.存储电容器cst的第二电容电极cse2布置成与第一电容电极cse1重叠。并且，第二电容电极cse2可以通过贯通布置于其上部的绝缘层的电极接触孔ctd而与发光二极管el的第一电极21电连接。110.第一数据导电层(或第三导电层)可以形成为利用钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)及铜(cu)中的任意一种或它们的合金构成的单层或多层。然而，不限于此。111.第一层间绝缘层17布置于第一数据导电层上。第一层间绝缘层17可以在第一数据导电层与布置于第一层间绝缘层17上的其他层之间执行绝缘膜的功能。并且，第一层间绝缘层17可以执行覆盖第一数据导电层并保护第一数据导电层的功能。第一层间绝缘层17可以利用包括无机物(例如，硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion))的无机层构成，或者可以形成为将所述无机层堆叠的结构。112.第一平坦化层19布置于第一层间绝缘层17上。第一平坦化层19可以包括有机绝缘物质，例如，可以包括诸如聚酰亚胺(pi：polyimide)之类的有机物质，以执行表面平坦化功能。113.在第一平坦化层19上布置有多个第一堤40、多个电极21、22、发光元件30、第二堤45及多个接触电极26、27。并且，在第一平坦化层19上还可以布置有多个绝缘层51、52、53、54。114.多个第一堤40可以直接布置于第一平坦化层19上。多个第一堤40可以在各个子像素pxn内沿第二方向dr2延伸，并且以不向沿第二方向dr2相邻的其他子像素pxn延伸的方式布置于发光区域ema内。并且，多个第一堤40可以沿第一方向dr1彼此隔开布置，并且可以在它们之间形成布置发光元件30的区域。多个第一堤40可以布置于每个子像素pxn，并可以在显示装置10的显示区域dpa沿第二方向dr2延伸。附图中示出了2个第一堤40，但不限于此。根据后述的电极21、22的数量，还可以布置更多数量的第一堤40。115.第一堤40可以具有以第一平坦化层19的上表面为基准凸出至少一部分的结构。第一堤40的凸出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件30发出的光可以朝向第一堤40的倾斜的侧表面行进。布置于第一堤40上的电极21、22可以包括反射率较高的材料，并且从发光元件30发出的光可以从布置于第一堤40的侧表面的电极21、22反射而向第一平坦化层19的上部方向射出。即，第一堤40在提供布置发光元件30的区域的同时，还可以执行将从发光元件30发出的光反射到上部方向的反射隔壁的功能。第一堤40的侧表面可以以线形形状倾斜，但不限于此，第一堤40也可以具有外表面具有曲率的半圆形或半椭圆形的形状。在示例性实施例中，第一堤40可以包括诸如聚酰亚胺(pi：polyimide)之类的有机绝缘物质，但不限于此。116.多个电极21、22布置于第一堤40和第一平坦化层19上。多个电极21、22可以包括第一电极21及第二电极22。第一电极21及第二电极22可以沿第二方向dr2延伸，并且它们可以沿第一方向dr1彼此隔开布置。117.第一电极21和第二电极22可以分别在子像素pxn内沿第二方向dr2延伸，并且可以在截断部区域cba与其他电极21、22分离。在若干实施例中，在沿第二方向dr2相邻的子像素pxn的发光区域ema之间布置有截断部区域cba，第一电极21及第二电极22可以在截断部区域cba与布置于沿第二方向dr2相邻的子像素pxn的其他第一电极21及第二电极22分离。然而，本发明不限于此，若干电极21、22可以不会在每个子像素pxn分离，其可以跨过沿第二方向dr2相邻的子像素pxn而延伸布置，或者也可以使第一电极21及第二电极22中仅有一个电极分离。118.第一电极21可以与第一晶体管t1及第三晶体管t3电连接，并且第二电极22可以与第二电压布线vsl电连接。119.例如，第一电极21可以通过贯通第一平坦化层19、第一层间绝缘层17、第一保护层15、第一栅极绝缘层13及缓冲层12的第一电极接触孔ctd而与第二电容电极cse2接触。120.第二电极22可以通过贯通第一平坦化层19、第一层间绝缘层17、第一保护层15、第一栅极绝缘层13及缓冲层12的第二电极接触孔cts而与第二电压布线vsl连接。121.第一电极21及第二电极22可以分别布置于第一堤40上。在若干实施例中，第一电极21和第二电极22可以分别形成为具有比第一堤40的宽度更大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以分别布置为覆盖第一堤40的外表面。在第一堤40的侧表面上可以分别布置有第一电极21和第二电极22，并且第一电极21与第二电极22之间的间隔可以比第一堤40之间的间隔窄。并且，第一电极21和第二电极22的至少一部分区域可以直接布置于第一平坦化层19上。122.各个电极21、22可以包括反射率较高的导电性物质。例如，各个电极21、22可以包括诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)等的金属作为反射率较高的物质，或者可以是包括铝(al)、镍(ni)、镧(la)等的合金。各个电极21、22可以将从发光元件30发出并向第一堤40的侧表面行进的光向各个子像素pxn的上部方向反射。123.然而，不限于此，各个电极21、22还可以包括透明导电性物质。例如，各个电极21、22可以包括诸如铟锡氧化物(ito：indiumtinoxide)、铟锌氧化物(izo：indiumzincoxide)、铟锡锌氧化物(itzo：indiumtin-zincoxide)等的物质。在若干实施例中，各个电极21、22可以构成将透明导电性物质和反射率较高的金属层分别堆叠有一层以上的结构，或者也可以形成为包括它们的一个层。例如，各个电极21、22可以具有ito/银(ag)/ito、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo等的堆叠结构。124.多个电极21、22可以与发光元件30电连接，并可以被施加预定的电压，以使发光元件30发出光。例如，多个电极21、22可以通过后述的接触电极26、27与发光元件30电连接，并通过接触电极26、27将施加到电极21、22的电信号传输到发光元件30。125.在示例性实施例中，第一电极21和第二电极22中的一个可以与发光元件30的阳极(anode)电极电连接，另一个可以与发光元件30的阴极(cathode)电极电连接。然而，不限于此，也可以是与其相反的情况。126.并且，为了使发光元件30对齐，各个电极21、22也可以用于在子像素pxn内形成电场。发光元件30可以借由形成在第一电极21和第二电极22上的电场而布置于第一电极21与第二电极22之间。在示例性实施例中，显示装置10的发光元件30可以通过喷墨印刷工艺而喷射到电极21、22上。当包括发光元件30的墨喷射到电极21、22上时，向电极21、22施加对齐信号而产生电场。分散在墨内的发光元件30可以借由在电极21、22上产生的电场而接收介电电泳力，从而在电极21、22上对齐。127.第一绝缘层51布置于第一平坦化层19、第一电极21及第二电极22上。第一绝缘层51包括第一电极21与第二电极22之间的区域，并布置为局部覆盖第一电极21和第二电极22。例如，第一绝缘层51可以布置为覆盖第一电极21和第二电极22的大部分上表面且暴露第一电极21和第二电极22的一部分。换句话说，第一绝缘层51可以实质上全面地形成在第一平坦化层19上且包括局部暴露第一电极21和第二电极22的开口部。128.在示例性实施例中，第一绝缘层51可以在第一电极21与第二电极22之间以上表面的一部分凹陷的方式形成有阶梯差。然而，不限于此。第一绝缘层51可以形成平坦的上表面以布置发光元件30。129.第一绝缘层51可以在保护第一电极21和第二电极22的同时使它们彼此绝缘。并且，还可以防止布置在第一绝缘层51上的发光元件30与其他部件直接接触而损坏。然而，第一绝缘层51的形状及结构不限于此。130.第二堤45可以布置于第一绝缘层51上。第二堤45可以包括在平面上沿第一方向dr1及第二方向dr2延伸的部分并可以在显示区域dpa的整个表面布置成网格型图案。第二堤45可以跨过各个子像素pxn的边界而布置，从而区分相邻的子像素pxn。并且，根据一实施例，第二堤45可以形成为具有比第一堤40的高度更大的高度。第二堤45可以执行在显示装置10的制造工艺的喷墨印刷工艺中防止墨溢出到相邻的子像素pxn的功能。第二堤45可以使分散有不同的发光元件30的墨按彼此不同的每个子像素pxn而分离，使得它们不彼此混合。131.并且，第二堤45可以以包围布置于每个子像素pxn的发光区域ema和截断部区域cba的方式布置，从而将它们区分。第一电极21和第二电极22可以沿第二方向dr2延伸，从而横穿第二堤45的沿第一方向dr1延伸的部分而布置。在第二堤45的沿第二方向dr2延伸的部分中，布置在发光区域ema之间的部分可以具有比布置在截断部区域cba之间的部分的宽度更大的宽度。据此，截断部区域cba之间的间隔可以小于发光区域ema之间的间隔。如同第一堤40，第二堤45可以包括聚酰亚胺(pi：polyimide)，然而，不限于此。132.发光元件30可以布置于第一绝缘层51上。多个发光元件30可以沿各个电极21、22延伸的第二方向dr2彼此隔开而布置，并且实质上相互平行地对齐。发光元件30所隔开的间隔不受特别限制。并且，发光元件30可以具有沿一方向延伸的形状，各个电极21、22延伸的方向和发光元件30延伸的方向可以实质上垂直。然而，不限于此，发光元件30也可以与各个电极21、22延伸的方向不垂直而倾斜地布置。133.发光元件30可以包括包含彼此不同的物质的发光层36(参照图11)，以向外部发出彼此不同的波段的光。显示装置10可以包括发出彼此不同的波段的光的发光元件30。据此，第一子像素px1、第二子像素px2及第三子像素px3可以分别射出第一颜色、第二颜色及第三颜色的光。然而，不限于此。根据情况，各个子像素pxn也可以包括相同种类的发光元件30而发出实质上相同颜色的光。134.并且，发光元件30的两端部可以在第一堤40之间布置于各个电极21、22上。例如，发光元件30可以布置成一端部放置于第一电极21上且另一端部放置于第二电极22上。发光元件30的延伸长度可以比第一电极21与第二电极22之间的间隔长，且发光元件30的两端部可以分别布置于第一电极21和第二电极22上。135.发光元件30可以沿着与第一基板11或第一平坦化层19的上表面垂直的方向布置有多个层。显示装置10的发光元件30可以布置为延伸的一方向与第一平坦化层19平行，包括于发光元件30的多个半导体层可以沿着与第一平坦化层19的上表面平行的方向依次布置。然而，不限于此。根据情况，在发光元件30具有不同的结构的情况下，多个层也可以沿着与第一平坦化层19垂直的方向布置。136.并且，发光元件30的两端部可以分别与接触电极26、27接触。根据一实施例，由于发光元件30在延伸的一方向侧端部面不形成绝缘膜38(参照图11)而是暴露半导体层的一部分，因此所述暴露的半导体层可以与接触电极26、27接触。然而，不限于此。根据情况，可以在发光元件30去除绝缘膜38中的至少一部分区域，并且因去除绝缘膜38而局部暴露半导体层的两端部侧表面。所述暴露的半导体层的侧表面也可以与接触电极26、27直接接触。137.第二绝缘层52可以局部布置于发光元件30上。作为一示例，第二绝缘层52布置为局部地包围发光元件30的外表面，从而布置为不覆盖发光元件30的一端部及另一端部。后述的接触电极26、27可以与第二绝缘层52未覆盖的发光元件30的两端部接触。在平面上，第二绝缘层52中布置于发光元件30上的部分在第一绝缘层51上沿第二方向dr2延伸而布置，从而可以在各个子像素pxn内形成线形或岛状的图案。第二绝缘层52可以在保护发光元件30的同时在显示装置10的制造工艺中固定发光元件30。138.在第二绝缘层52上可以布置有多个接触电极26、27和第三绝缘层53。139.多个接触电极26、27可以具有沿一方向延伸的形状。接触电极26、27中的第一接触电极26和第二接触电极27可以分别布置于第一电极21和第二电极22中的一部分上。第一接触电极26可以布置于第一电极21上，第二接触电极27可以布置于第二电极22上，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以分别具有沿第二方向dr2延伸的形状。第一接触电极26和第二接触电极27可以沿第一方向dr1彼此隔开，并且它们可以在各个子像素pxn的发光区域ema内形成条纹形图案。140.在若干实施例中，第一接触电极26和第二接触电极27的沿一方向测量的宽度可以分别等于或小于第一电极21和第二电极22的沿所述一方向测量的宽度。第一接触电极26和第二接触电极27可以布置为在分别与发光元件30的一端部以及另一端部接触的同时覆盖第一电极21和第二电极22的上表面的一部分。141.多个接触电极26、27可以分别与发光元件30及电极21、22接触。在发光元件30的延伸的方向上的两端部面暴露有半导体层，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以在暴露有所述半导体层的端部面与发光元件30接触。发光元件30的一端部可以通过第一接触电极26与第一电极21电连接，另一端部可以通过第二接触电极27与第二电极22电连接。142.附图中示出了在一个子像素pxn布置有一个第一接触电极26和第二接触电极27的情形，但不限于此。第一接触电极26和第二接触电极27的数量可以根据布置于各个子像素pxn的第一电极21和第二电极22的数量而不同。143.第三绝缘层53布置于第一接触电极26上。第三绝缘层53可以使第一接触电极26和第二接触电极27彼此电绝缘。第三绝缘层53可以布置为覆盖第一接触电极26，且不布置在发光元件30的另一端部上，使得发光元件30可以与第二接触电极27接触。第三绝缘层53可以在第二绝缘层52的上表面与第一接触电极26及第二绝缘层52局部接触。第三绝缘层53的布置有第二电极22的方向的侧表面可以与第二绝缘层52的一侧表面对齐。并且，第三绝缘层53也可以布置于非发光区域(例如，布置于第一平坦化层19上的第一绝缘层51上)。然而，不限于此。144.第二接触电极27布置于第二电极22、第二绝缘层52及第三绝缘层53上。第二接触电极27可以与发光元件30的另一端部及第二电极22的暴露的上表面接触。发光元件30的另一端部可以通过第二接触电极27而与第二电极22电连接。145.第二接触电极27可以局部地与第二绝缘层52、第三绝缘层53、第二电极22及发光元件30接触。第一接触电极26和第二接触电极27可以借由第二绝缘层52和第三绝缘层53而彼此不接触。然而，不限于此，根据情况，可以省略第三绝缘层53。146.接触电极26、27可以包括导电性物质。例如，可以包括ito、izo、itzo、铝(al)等。作为一示例，接触电极26、27包括透明导电性物质，从发光元件30发出的光可以透过接触电极26、27而朝向电极21、22行进。然而，不限于此。147.第四绝缘层54可以全面地布置于第一基板11上。第四绝缘层54可以起到保护布置在第一基板11上的部件免受外部环境影响的功能。148.第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53及第四绝缘层54中的每一个可以包括无机物绝缘性物质或有机物绝缘性物质。在示例性实施例中，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53及第四绝缘层54可以包括诸如硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sioxny)、氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)等的无机物绝缘性物质。或者，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53及第四绝缘层54可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂等作为有机物绝缘性物质。然而，不限于此。149.另外，第一电极21及第二电极22可以在显示装置10的驱动期间将驱动信号传输到发光元件30，使得发光元件30发出光。在显示装置10的驱动期间或者在驱动模式中，通过第一晶体管t1向第一电极21传输第一电源电压，并通过第二电压布线vsl向第二电极22传输第二电源电压。并且，可以通过第二晶体管t2向第一晶体管t1的第一栅极电极g1施加数据信号，并可以通过第三晶体管t3向第一源极电极s1或第一电极21传输初始化电压。150.如上所述，由于半导体层的厚度为上述的所述第一导电层的厚度的约1/20程度，且半导体层共形地反映所述第一导电层的阶梯差，因此，在特定区域中，半导体层可能因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)。如图6所示，所述特定区域可以包括所述第一导电层的第一电压布线vdl与第二电容电极cse2之间的隔开空间。151.如果参照图6至图8更详细地说明，则第一有源层act1可以在第一电压布线vdl(或第一导电图案)与第二电容电极cse2(或第二导电图案)之间的隔开空间上具有分支的结构。152.即，第一有源层act1可以具有沿第二方向dr2彼此隔开且沿第一方向dr1延伸的第一分支部act1a和第二分支部act1b以及连接到第一分支部act1a及第二分支部act1b的茎部act1c。所述第一分支部act1a及所述第二分支部act1b分别可以是从所述茎部act1c分支的结构。153.所述第一分支部act1a及所述第二分支部act1b可以分别与第一电压布线vdl及第二电容电极cse2之间的隔开空间重叠。进而，所述第一分支部act1a及所述第二分支部act1b可以分别从第一电压布线vdl上延伸至第二电容电极cse2。第一晶体管t1的栅极电极g1可以与所述茎部act1c重叠，第一电极图案ep1的第一漏极电极d1及第一源极电极s1可以分别与所述第一分支部act1a的端部、所述第二分支部act1b的端部以及所述第一分支部act1a与所述第二分支部act1b的隔开空间重叠。154.所述第一电极图案ep1可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第1a接触孔ct1a而与所述第一分支部act1a电连接，并且所述第一电极图案ep1可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第1b接触孔ct1b而与所述第二分支部act1b电连接。155.第一源极电极s1可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第二接触孔ct2而与所述茎部act1c电连接。156.根据本实施例，由于第一有源层act1在第一电压布线vdl(或第一导电图案)与第二电容电极cse2(或第二导电图案)之间的间隔空间上具有分支的结构，并且作为各个分支结构的第一分支部act1a和第二分支部act1b与第一晶体管t1的第一漏极电极d1电连接，因此，即使第一有源层act1中的一个(第一分支部act1a或第二分支部act1b)因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)，也能够实现第一有源层act1与第一漏极电极d1之间的电连接，从而能够确保元件可靠性。157.图11是根据一实施例的发光元件的示意图。158.发光元件30可以是发光二极管(lightemittingdiode)，具体而言，发光元件30可以是具有微米(micro-meter)或纳米(nano-meter)单位的大小且利用无机物构成的无机发光二极管。当在彼此对向的两个电极之间沿特定方向形成电场时，无机发光二极管可以具有预定的极性，从而无机发光二极管可以在所述两个电极之间对齐。发光元件30可以借由形成在两个电极上的电场而在电极之间对齐。159.根据一实施例的发光元件30可以具有沿一方向延伸的形状。发光元件30可以具有杆、线、管等形状。在示例性的实施例中，发光元件30可以是圆筒形或杆形(rod)。但是，发光元件30的形态不限于此，发光元件30可以具有诸如立方体、长方体、六棱柱形等的多棱柱的形状，或者沿一方向延伸且外表面局部倾斜的形状等的多样的形态。后述的包括于发光元件30的多个半导体可以具有沿所述一方向依次布置或堆叠的结构。160.发光元件30可以包括掺杂有任意的导电型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以被传输从外部电源施加的电信号而发出特定波段的光。161.参照图11，发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37以及绝缘膜38。162.第一半导体层31可以是n型半导体。作为一示例，在发光元件30发出蓝色波段的光的情况下，第一半导体层31可以包括具有化学式alxgayin1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，可以是掺杂为n型的algainn、gan、algan、ingan、aln及inn中的任意一种以上。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，作为一示例，n型掺杂剂可以是si、ge、sn等。在示例性实施例中，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。第一半导体层31的长度可以具有1.5μm至5μm的范围，但不限于此。163.第二半导体层32布置于后述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体，作为一示例，在发光元件30发出蓝色或绿色波段的光的情况下，第二半导体层32可以包括具有化学式alxgayin1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，可以是掺杂为p型的algainn、gan、algan、ingan、aln及inn中的任意一种以上。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，作为一示例，p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、sr、ba等。在示例性实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。第二半导体层32的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但不限于此。164.另外，虽然在附图中示出了第一半导体层31和第二半导体层32分别构成为一个层的情形，但不限于此。根据发光层36的物质，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多数量的层(例如，包覆层(cladlayer)或拉伸应变势垒降低(tsbr：tensilestrainbarrierreducing)层)。165.发光层36布置于第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的物质。在发光层36包括多量子阱结构的物质的情况下，也可以是量子层(quantumlayer)和阱层(welllayer)彼此交替地堆叠多个的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31及第二半导体层32施加的电信号而通过电子-空穴对的结合来发出光。作为一示例，在发光层36发出蓝色波段的光的情况下，可以包括algan、algainn等的物质。尤其，在发光层36为作为量子层和阱层交替地堆叠的结构的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn等的物质，阱层可以包括诸如gan或alinn等的物质。在示例性实施例中，发光层36可以包括algainn作为量子层，且包括alinn作为阱层，从而发光层36可以发出中心波段具有450nm至495nm的范围的蓝色(blue)光。166.然而，不限于此，发光层36可以是能带隙(bandgap)较大的种类的半导体物质和能带隙较小的半导体物质彼此交替地堆叠的结构，也可以根据发出的光的波段而包括不同的iii族至v族半导体物质。由发光层36发出的光不限于蓝色波段的光，根据情况也可以发出红色、绿色波段的光。发光层36的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但不限于此。167.另外，从发光层36发出的光不仅可以从发光元件30的长度方向外部面发出，还可以从两个侧表面发出。从发光层36发出的光的方向性不限于一个方向。168.电极层37可以是欧姆(ohmic)接触电极。然而，并不限于此，也可以是肖特基(schottky)接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。虽然图11示出了发光元件30包括一个电极层37的情形，但不限于此。根据情况，发光元件30也可以包括更多数量的电极层37，或者也可以省略电极层37。即使电极层37的数量改变或进一步包括其他结构，也可以同样应用后述的针对发光元件30的说明。169.在根据一实施例的显示装置10中，当发光元件30与电极或接触电极电连接时，电极层37可以减小发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、铟锡氧化物(ito：indiumtinoxide)、铟锌氧化物(izo：indiumzincoxide)及铟锡锌氧化物(itzo：indiumtin-zincoxide)中的至少一种。并且，电极层37还可以包括n型或p型掺杂的半导体物质。电极层37可以包括相同的物质，也可以包括彼此不同的物质，但不限于此。170.绝缘膜38布置成包围多个半导体层及电极层的外表面。在示例性实施例中，绝缘膜38可以布置成至少包围发光层36的外表面，并且沿发光元件30延伸的一方向延伸。绝缘膜38可以执行保护上述的部件的功能。作为一示例，绝缘膜38可以形成为包围所述部件的侧面部，并可以形成为暴露发光元件30的长度方向的两端部。171.虽然在附图中示出了绝缘膜38形成为沿发光元件30的长度方向延伸且从第一半导体层31覆盖至电极层37的侧表面的情形，但不限于此。绝缘膜38可以仅覆盖包括发光层36在内的半导体层的一部分外表面，或者也可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分而局部地暴露各个电极层37的外表面。并且，绝缘膜38也可以在与发光元件30的至少一端部相邻的区域中以上表面在剖面上形成为弧形的方式形成。172.绝缘膜38的厚度可以具有10nm至1.0μm的范围，但不限于此。优选地，绝缘膜38的厚度可以为40nm左右。173.绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的物质(例如，硅氧化物(siox：siliconoxide)、硅氮化物(sinx：siliconnitride)、硅氮氧化物(sioxny)、铝氮化物(aln：aluminumnitride)、铝氧化物(al2o3：aluminumoxide)等)。据此，可以防止在发光层36与向发光元件30传输电信号的电极直接接触的情况下可能发生的电短路。并且，由于绝缘膜38可以保护包括发光层36在内的发光元件30的外表面，因此可以防止发光效率的降低。174.并且，在若干实施例中，绝缘膜38的外表面可以被表面处理。发光元件30可以以分散在预定的墨内的状态被喷射到电极上而对齐。在此，为了保持发光元件30与在墨内相邻的其他发光元件30不聚集而分散的状态，绝缘膜38的表面可以被疏水化处理或亲水化处理。175.发光元件30的长度h可以具有1μm至10μm或2μm至6μm的范围，优选地，可以具有3μm至5μm的长度。并且，发光元件30的直径可以具有30nm至700nm的范围，发光元件30的纵横比(aspectratio)可以是1.2至100。然而，不限于此，包括于显示装置10的多个发光元件30也可以根据发光层36的组成差异而具有彼此不同的直径。优选地，发光元件30的直径可以具有500nm左右的范围。176.以下，对其他实施例进行说明。177.图12是根据另一实施例的放大图5的a区域的平面图。178.参照图12，根据本实施例的显示装置的第一晶体管t1_1的第一有源层act1_1与图6的第一有源层act1的不同之处在于，第一有源层act1_1还包括第三分支部act1d，并且接触孔ct1_1还包括第1c接触孔ct1c。179.第三分支部act1d可以从茎部act1c分支。第三分支部act1d可以布置于第一分支部act1a与第二分支部act1b之间，但不限于此。第三分支部act1d可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第1c接触孔ct1c而与所述第一电极图案ep1电连接。180.在本实施例的情况下，同样地，由于第一有源层act1_1在第一电压布线vdl(或第一导电图案)与第二电容电极cse2(或第二导电图案)之间的隔开空间上具有分支结构，并且作为各个分支结构的第一分支部act1a、第二分支部act1b和第三分支部act1d中的每一个与第一晶体管t1的第一漏极电极d1电连接，因此即使第一有源层act1中的一个(第一分支部act1a、第二分支部act1b、第三分支部act1d)因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)，也能够实现第一有源层act1与第一漏极电极d1之间的电连接，从而能够确保元件可靠性。181.图13是根据又一实施例的放大图5的a区域的平面图。图14是沿图13的p1-p1'线剖切的剖面图。182.参照图13及图14，根据本实施例的显示装置的第一晶体管t1_1的第一有源层act1_2与根据图6的第一有源层act1的不同之处在于，所述第一分支部及所述第二分支部中的一个包括物理分离的分支图案。183.更具体地说明，在根据本实施例的显示装置的第一有源层act1_2中，所述第一分支部及所述第二分支部中的一个可以包括物理分离的分支图案。图13及图14例示了所述第一分支部及所述第二分支部中第一分支部act1a_1包括物理分离的分支图案的情况。184.第一分支部act1a_1可以包括物理分离的分支图案act1a1、act1a2。第一分支图案act1a1可以通过第1a接触孔ct1a连接到第一电极图案ep1，并且第二分支图案act1a2可以连接到茎部act1c。分支图案act1a1、act1a2中的一个可以沿第一方向dr1彼此物理分离。185.根据本实施例的第一分支部act1a_1表示因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)的情况。即，基于根据本实施例的显示装置，即使第一有源层act1_2中的第一分支部act1a_1因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)，由于第二分支部act1b仍然不断开而形成为一体，从而能够实现第一有源层act1与第一漏极电极d1之间的电连接，进而能够确保元件可靠性。186.以上，参照附图对本发明的实施例进行了说明，但只要是在本发明所属
技术领域：
：中具有普通知识的人员，便可以理解在不改变本发明的其技术思想或必要特征的情况下能够以其他具体形态实施。因此，应当理解，以上记述的实施例在所有方面均为示例性的，而不是限定性的。当前第1页12当前第1页12
背景技术：
：：2.随着多媒体的发展，显示装置的重要性正在增加。响应于此，正在使用诸如有机发光显示装置(oled：organiclightemittingdisplay)、液晶显示装置(lcd：liquidcrystaldisplay)等的多种类型的显示装置。3.作为显示显示装置的图像的装置，包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板之类的显示面板。其中，作为发光显示面板，可以包括发光元件，例如，在作为发光元件而包括发光二极管(led：lightemittingdiode，)的情况下，所述发光二极管可以包括将有机物用作荧光物质的有机发光二极管、将无机物用作荧光物质的无机发光二极管等。4.利用无机物半导体作为荧光物质的无机发光二极管即使在高温环境下也具有耐久性，并且与有机发光二极管相比具有蓝色光的效率高的优点。并且，在曾经被指出为现有的无机发光二极管元件的局限性的制造工艺中，也开发了利用介电电泳(dep：dielectrophoresis)法的转移方法。因此，正在持续进行对与有机发光二极管相比耐久性及效率优异的无机发光二极管的研究。技术实现要素：5.本发明期望解决的技术问题在于提供一种能够防止第一有源层因所述第一有源层下部的阶梯差而断开(open)的显示装置。6.本发明的技术问题并不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以从以下记载明确理解未提及的其他技术问题。7.用于解决所述技术问题的根据一实施例的一种显示装置包括：基板；第一有源层，在所述基板上沿第一方向延伸；以及第一导电层，布置于所述基板与所述第一有源层之间，并包括沿所述第一方向彼此隔开的第一导电图案和第二导电图案，其中，所述第一有源层共形(conformal)地反映所述第一导电层的阶梯差，所述第一有源层在所述第一导电图案与所述第二导电图案的隔开空间上具有分支的结构。8.用于解决所述技术问题的根据另一实施例的一种显示装置包括：基板；第一有源层，在所述基板上沿第一方向延伸；以及第一导电层，布置于所述基板与所述第一有源层之间，并包括沿所述第一方向彼此隔开的第一导电图案和第二导电图案，其中，所述第一有源层共形(conformal)地反映所述第一导电层的阶梯差，所述第一有源层在所述第一导电图案与所述第二导电图案的隔开空间上具有分支的结构，所述第一有源层具有沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此隔开且沿所述第一方向延伸的第一分支部和第二分支部以及与所述第一分支部及所述第二分支部连接的茎部，所述第一分支部及所述第二分支部分别是从所述茎部分支的结构，所述第一分支部及所述第二分支部中的一个包括物理分离的分支图案，并且另一个不包括物理分离的分支图案。9.其他实施例的具体事项包括于详细的说明及附图。10.基于根据实施例的显示装置，能够防止第一有源层因所述第一有源层下部的阶梯差而断开(open)。11.根据实施例的效果不限于以上例示的内容，并且在本说明书中包括更加多样的效果。附图说明12.图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。13.图2是示出包括于根据一实施例的显示装置的布线的示意性的布置图。14.图3是根据一实施例的一子像素的等效电路图。15.图4是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。16.图5是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。17.图6是放大图5的a区域的平面图。18.图7是沿图6的p1-p1'线剖切的剖面图。19.图8是沿图6的p2-p2'线剖切的剖面图。20.图9是示出包括于根据一实施例的显示装置的一像素的多个电极和堤的示意性的平面图。21.图10是沿图9的q1-q1'线、q2-q2'线及q3-q3'线剖切的剖面图。22.图11是根据一实施例的发光元件的示意图。23.图12是根据另一实施例的放大图5的a区域的平面图。24.图13是根据又一实施例的放大图5的a区域的平面图。25.图14是沿图13的p1-p1'线剖切的剖面图。26.附图标记说明27.10：显示装置ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ21：第一电极28.22：第二电极ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ26：第一接触电极29.27：第二接触电极ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ28：第三接触电极30.30：发光元件ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ40：第一堤31.45：第二堤ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ41：第一子堤32.42：第二子堤ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ51：第一绝缘层33.52：第二绝缘层ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ53：第三绝缘层34.54：第四绝缘层具体实施方式35.参照与附图一起详细后述的实施例，可以明确本发明的优点和特征以及达成这些的方法。然而本发明可以实现为彼此不同的多样的形态，而不限于以下公开的实施例，并且提供本实施例的目的仅在于使本发明的公开完整并向本发明所属
技术领域：
：中具有普通知识的人员完整地告知本发明的范围，本发明仅由权利要求的范围所定义。36.当元件(elements)或层被描述为位于其他元件或层“之上(on)”时，包括其他元件或层的紧邻的上方或中间夹设有其他元件或其他层的情况。与此相同地，被描述为“下(below)”、“左(left)”及“右(right)”的情况包括与其他元件或层直接相邻地布置的情况或在中间夹设有其他层或其他元件的情况。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的构成要素。37.虽然“第一”、“第二”等用于叙述多样的构成要素，但这些构成要素显然不受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构成要素与其他构成要素进行区分。因此，以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内，显然也可以是第二构成要素。38.以下，参照附图对实施例进行说明。39.图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。40.在本说明书中，“上部”、“顶部(top)”、“上表面”表示以显示装置10为基准的上部方向(即，第三方向dr3的一方向)，“下部”、“底部(bottom)”、“下表面”表示第三方向dr3的另一方向。并且，“左”、“右”、“上”、“下”表示当从平面观察显示装置10时的方向。例如，“左”表示第一方向dr1的一方向，“右”表示第一方向dr1的另一方向，“上”表示第二方向dr2的一方向，“下”表示第二方向dr2的另一方向。41.参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指代提供显示画面的所有电子装置。例如，提供显示画面的电视、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc：personalcomputer)、电子表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp：portablemultimediaplayer)、导航仪、游戏机、数码相机、摄像机等可以包括于显示装置10。42.显示装置10可以包括提供显示画面的显示面板。作为显示面板的示例，可以列举无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。以下，作为显示面板的一示例，例示了应用无机发光二极管显示面板的情况，但并不限于此，如果可以应用相同的技术思想，则也可以应用其他显示面板。43.显示装置10的形状可以多样地变形。例如，显示装置10可以具有横向的长度较长的矩形、纵向的长度较长的矩形、正方形、边角部(顶点)弧形的四边形、其他多边形、圆形等的形状。显示装置10的显示区域dpa的形状也可以与显示装置10的整体形状相似。在图1中，例示了横向的长度较长的矩形形状的显示装置10及显示区域dpa。44.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa是可显示画面的区域，非显示区域nda是不显示画面的区域。显示区域dpa可以被称为有效区域，并且非显示区域nda可以被称为非有效区域。显示区域dpa可以大致占据显示装置10的中心。45.显示区域dpa可以包括多个像素px。多个像素px可以沿行列方向排列。各个像素px的形状在平面上可以是矩形或正方形，但并不限于此，也可以是各边相对于一方向倾斜的菱形形状。多个像素px可以以条纹型或五瓦片型交替排列。并且，像素px中的每一个可以包括发出特定波段的光的一个以上的发光元件30(参照图10)来显示特定颜色。46.在显示区域dpa的周围可以布置有非显示区域nda。非显示区域nda可以完全或局部地包围显示区域dpa。显示区域dpa可以是矩形形状，非显示区域nda可以布置为与显示区域dpa的四个边相邻。非显示区域nda可以构成显示装置10的边框。在各个非显示区域nda可以布置有包括于显示装置10的布线或电路驱动部，或者可以安装有外部装置。47.图2是示出包括于根据一实施例的显示装置的布线的示意性的布置图。48.参照图2，显示装置10可以包括多条布线。多条布线可以包括扫描线scl、感测线ssl、数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl等。并且，虽然未图示，在显示装置10还可以布置有其他布线。49.扫描线scl和感测线ssl可以沿第一方向dr1延伸。扫描线scl和感测线ssl可以连接到扫描驱动部sdr。扫描驱动部sdr可以包括驱动电路。扫描驱动部sdr可以布置于显示区域dpa的第一方向dr1的一侧，但不限于此。扫描驱动部sdr可以与信号连接布线cwl连接，并且信号连接布线cwl的至少一端部可以在非显示区域nda中形成垫wpd_cw而与外部装置连接。50.另外，在本说明书中，“连接”的含义不仅可以表示一个部件与另一部件通过彼此的物理接触而连接，而且还可以表示通过另一部件连接。并且，可以理解为这是一个一体化的部件，并且一部分和另一部分借由一体化的部件而彼此连接。进而，一个部件与另一部件之间的连接可以解释为除了包括直接接触连接之外还包括通过另一部件的电连接。51.数据线dtl和初始化电压布线vil可以沿与第一方向dr1交叉的第二方向dr2延伸。初始化电压布线vil除了可以包括沿第二方向dr2延伸的部分之外还包括从该部分沿第一方向dr1分支的部分。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl也可以包括沿第二方向dr2延伸的部分和与此连接而沿第一方向dr1延伸的部分。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl可以具有网格(mesh)结构，但不限于此。虽然未图示，但是显示装置10的各个像素px可以连接到至少一条数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl。52.数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl和第二电压布线vsl可以与至少一个布线垫wpd电连接。各个布线垫wpd可以布置于非显示区域nda。在一实施例中，数据线dtl的布线垫wpd_dt(以下，称为“数据垫”)可以布置于位于显示区域dpa的第二方向dr2一侧的垫区域pda，初始化电压布线vil的布线垫wpd_vint(以下，称为“初始化电压垫”)、第一电压布线vdl的布线垫wpd_vdd(以下，称为“第一电源垫”)及第二电压布线vsl的布线垫wpd_vss(以下，称为“第二电源垫”)可以布置于位于显示区域dpa的第二方向dr2另一侧的垫区域pda。作为另一示例，数据垫wpd_dt、初始化电压垫wpd_vint、第一电源垫wpd_vdd及第二电源垫wpd_vss也可以全部布置于相同的区域(例如，位于显示区域dpa的上侧的非显示区域nda)。在布线垫wpd上可以安装有外部装置。外部装置可以通过各向异性导电膜、超声波接合等而安装在布线垫wpd上。53.显示装置10的各个像素px或子像素pxn(n是1至3的整数)包括像素驱动电路。上述的布线可以在经过各个像素px或其周围时对各个像素驱动电路施加驱动信号。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。各个像素驱动电路的晶体管和电容器的数量可以多样地变形。根据一实施例，显示装置10的各个子像素pxn可以是像素驱动电路包括三个晶体管和一个电容器的3t1c结构。以下，将3t1c结构作为示例对像素驱动电路进行说明，但不限于此，也可以应用2t1c结构、4t1c结构、7t1c结构等的多样的其他变形像素px结构。54.图3是根据一实施例的一子像素的等效电路图。55.参照图3，根据一实施例的显示装置10的各个子像素pxn除了发光二极管el之外还包括三个晶体管t1、t2、t3和一个存储电容器cst。56.发光二极管el根据通过第一晶体管t1供应的电流而发光。发光二极管el包括第一电极、第二电极及布置于它们之间的至少一个发光元件。所述发光元件可以借由从第一电极和第二电极传输的电信号而发出特定波段的光。57.发光二极管el的一端可以连接到第一晶体管t1的源极电极，另一端可以连接到被供应比第一电压布线vdl的高电位电压(以下，第一电源电压)低的低电位电压(以下，第二电源电压)的第二电压布线vsl。58.第一晶体管t1根据栅极电极与源极电极的电压差来调整从被供应第一电源电压的第一电压布线vdl流向发光二极管el的电流。作为一示例，第一晶体管t1可以是用于驱动发光二极管el的驱动晶体管。第一晶体管t1的栅极电极可以连接到第二晶体管t2的源极电极，第一晶体管t1的源极电极可以连接到发光二极管el的第一电极，第一晶体管t1的漏极电极可以连接到被施加第一电源电压的第一电压布线vdl。59.第二晶体管t2借由扫描线scl的扫描信号而导通，以将数据线dtl连接到第一晶体管t1的栅极电极。第二晶体管t2的栅极电极可以连接到扫描线scl，并且第二晶体管t2的源极电极可以连接到第一晶体管t1的栅极电极，第二晶体管t2的漏极电极可以连接到数据线dtl。60.第三晶体管t3借由感测线ssl的感测信号而导通，以将初始化电压布线vil连接到发光二极管el的一端。第三晶体管t3的栅极电极可以连接到感测线ssl，第三晶体管t3的漏极电极可以连接到初始化电压布线vil，并且第三晶体管t3的源极电极可以连接到发光二极管el的一端或第一晶体管t1的源极电极。61.在一实施例中，各个晶体管t1、t2、t3的源极电极和漏极电极并不限于上述内容，也可以是相反的情况。62.存储电容器cst形成于第一晶体管t1的栅极电极与源极电极之间。存储电容器cst存储第一晶体管t1的栅极电压与源极电压的差电压。63.晶体管t1、t2、t3中的每一个可以利用薄膜晶体管(thinfilmtransistor)形成。并且，在图3中，以各个晶体管t1、t2、t3利用n型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet：metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)形成的情况为中心进行了说明，但并不限于此。即，各个晶体管t1、t2、t3可以利用p型mosfet形成，或者也可以是晶体管t1、t2、t3中的一部分利用n型mosfet形成且另一部分利用p型mosfet形成。64.以下，将进一步参照其他附图对根据一实施例的显示装置10的一像素px的结构进行详细说明。65.图4是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。图5是示出包括于根据一实施例的显示装置的一子像素的多个导电层的布局图。图4所示的子像素pxn并非以区分它们所占据的区域的方式被示出，而是以区分连接到布置于各个子像素pxn的发光二极管的电路元件层的方式被示出。66.在以下的各个附图中，第一方向dr1的两侧可以分别表示左侧和右侧，第二方向dr2的两侧可以分别表示上侧和下侧。67.参照图4及图5，显示装置10的多个像素px中的每一个可以包括多个子像素pxn(n为1至3的整数)。例如，一个像素px可以包括第一子像素px1、第二子像素px2及第三子像素px3。第一子像素px1可以发出第一颜色的光，第二子像素px2可以发出第二颜色的光，第三子像素px3可以发出第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。但是，并不限于此，各个子像素pxn也可以发出相同颜色的光。68.显示装置10的各个子像素pxn可以包括发光区域(图9的ema)及非发光区域(未图示)。发光区域ema可以是布置有发光元件(图10的30)而射出特定波段的光的区域，非发光区域可以是未布置有发光元件30且从发光元件30发出的光未到达而不射出光的区域。发光区域包括布置有发光元件30的区域，并且可以包括与发光元件30相邻且射出从发光元件30发出的光的区域。69.不限于此，发光区域还可以包括从发光元件30发出的光被其他部件反射或折射而射出的区域。多个发光元件30布置于各个子像素pxn，并可以形成包括布置有它们的区域和与此相邻的区域的发光区域。70.在显示装置10的各个像素px及子像素pxn布置有多条布线。例如，显示装置可以包括沿第一方向dr1延伸布置的扫描线scl、感测线ssl。并且，显示装置10包括沿第二方向dr2延伸布置的数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl。71.扫描线scl沿第一方向dr1延伸，并且横跨沿第一方向dr1排列的多个子像素pxn而布置。并且，多条扫描线scl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第二方向dr2彼此隔开布置。扫描线scl可以以各个像素px或子像素pxn的中心为基准布置于上侧。扫描线scl可以与第二晶体管t2的栅极电极电连接，并可以对第二晶体管t2施加扫描信号。72.与此类似地，感测线ssl沿第一方向dr1延伸，并且横跨沿第一方向dr1排列的多个子像素pxn而布置。并且，多条感测线ssl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第二方向dr2彼此隔开布置。感测线ssl可以以各个像素px或子像素pxn的中心为基准布置于上侧。感测线ssl可以与第三晶体管t3的栅极电极电连接，并可以对第三晶体管t3施加感测信号。73.扫描线scl和感测线ssl可以构成为后述的数据导电层(或第三导电层)。74.数据线dtl沿第二方向dr2延伸，并且横跨沿第二方向dr2排列的多个子像素pxn而布置。并且，多条数据线dtl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第一方向dr1彼此隔开布置。数据线dtl可以布置于各个子像素pxn的右侧。数据线dtl可以与第二晶体管t2的漏极电极电连接，且可以对第二晶体管t2施加数据信号。75.初始化电压布线vil沿第二方向dr2延伸，并且横跨沿第二方向dr2排列的多个像素px而布置。并且，多条初始化电压布线vil横跨显示区域dpa的整个表面而沿第一方向dr1彼此隔开布置。初始化电压布线vil可以分别布置于每三个子像素pxn或每一个像素px。作为一示例，初始化电压布线vil可以布置于连接到任意一个子像素pxn的数据线dtl的左侧。初始化电压布线vil可以与第三晶体管t3的漏极电极电连接，并可以对第三晶体管t3施加初始化电压。76.数据线dtl和初始化电压布线vil可以构成为后述的第一导电层。77.第一电压布线vdl和第二电压布线vsl可以沿第二方向dr2延伸，并且横跨沿第二方向dr2相邻的多个子像素pxn而布置。并且，多条第一电压布线vdl和第二电压布线vsl横跨显示区域dpa的整个表面而沿第一方向dr1彼此隔开布置。第一电压布线vdl和第二电压布线vsl在平面上可以布置于多条数据线dtl之间。以各个子像素pxn的中心为基准，第一电压布线vdl可以布置于左侧，第二电压布线vsl可以布置于右侧。78.第一电压布线vdl可以与第一晶体管t1的漏极电极电连接，并可以对第一晶体管t1施加第一电源电压。第二电压布线vsl可以与发光二极管el的第二电极电连接，并可以对发光元件施加第二电源电压。第一电压布线vdl及第二电压布线vsl可以构成为所述第一导电层。另外，第一电压布线vdl可以与沿第一方向dr1延伸的第一电源布线vdl'电连接。如图5所示，第一电源布线vdl'可以构成为所述数据导电层(或所述第三导电层)。79.图6是放大图5的a区域的平面图。图7是沿图6的p1-p1'线剖切的剖面图。图8是沿图6的p2-p2'线剖切的剖面图。图9是示出包括于根据一实施例的显示装置的一像素的多个电极和堤的示意性的平面图。图10是沿图9的q1-q1'线、q2-q2'线及q3-q3'线剖切的剖面图。作为布置于各个像素px的显示元件层，图9除了示出构成发光二极管el的各个电极21、22和发光元件30的布置之外还示出多个堤40、45及接触电极26、27的布置。图10除了示出第一晶体管t1之外还示出横穿发光元件30的两端部的剖面。80.结合图4及图5参照图6至图10，显示装置10可以包括电路元件层和显示元件层。显示元件层可以是包括发光二极管el的发光元件30且布置有第一电极21和第二电极22的层，电路元件层可以是包括用于驱动发光二极管el的像素电路元件且布置有多条布线的层。例如，电路元件层除了包括扫描线scl、感测线ssl、数据线dtl、初始化电压布线vil、第一电压布线vdl及第二电压布线vsl之外还可以包括各个晶体管t1、t2、t3。81.并且，各个子像素pxn可以包括布置于非发光区域的截断部区域(图9的cba)。截断部区域cba可以布置于发光区域ema的第二方向dr2一侧。截断部区域cba可以布置于沿第二方向dr2相邻的子像素pxn的发光区域ema之间。在显示装置10的显示区域dpa可以排列多个发光区域ema和截断部区域cba。例如，多个发光区域ema和截断部区域cba分别可以沿第一方向dr1反复排列，且发光区域ema和截断部区域cba可以沿第二方向dr2交替排列。并且，截断部区域cba沿第一方向dr1隔开的间隔可以小于发光区域ema沿第一方向dr1隔开的间隔。如下所述，在截断部区域cba和发光区域ema之间可以布置有第二堤45，且它们之间的间隔可以根据第二堤45的宽度而不同。在截断部区域cba未布置发光元件30而不射出光，但是可以布置有布置于各个子像素pxn的电极21、22的一部分。布置于每个子像素pxn的电极21、22可以在截断部区域cba彼此分离而布置。82.第二堤45可以包括在平面上沿第一方向dr1及第二方向dr2延伸的部分，并可以在显示区域dpa的整个表面布置成网格型图案。第二堤45可以跨过各个子像素pxn的边界而布置，从而区分相邻的子像素pxn。并且，第二堤45可以以包围布置于每个子像素pxn的发光区域ema和截断部区域cba的方式布置，从而区分它们。在第二堤45的沿第二方向dr2延伸的部分中，布置在发光区域ema之间的部分可以具有比布置在截断部区域cba之间的部分的宽度更大的宽度。据此，截断部区域cba之间的间隔可以小于发光区域ema之间的间隔。83.显示装置10包括用于布置电路元件层及显示元件层的第一基板11。第一基板11可以是绝缘基板，并可以利用玻璃、石英或高分子树脂等的绝缘物质构成。并且，第一基板11可以是刚性(rigid)基板，但也可以是能够进行弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。84.第一导电层可以布置于第一基板11上。所述第一导电层布置成与显示装置10的第一晶体管t1的第一有源层act1重叠。所述第一导电层可以包括阻断光的材料以防止光入射到第一晶体管t1的第一有源层act1。作为一示例，所述第一导电层可以利用阻断光的透射的不透明的金属物质形成。例如，所述第一导电层可以包括所述不透明的金属物质中的一种或至少两种。例如，所述第一导电层可以以钛(ti)及铜(cu)的堆叠膜的形态提供。所述第一导电层可以包括第二电容电极cse2、第一电压布线vdl、第二电压布线vsl、数据线dtl。85.另外，所述第一导电层可以具有第一厚度。所述第一导电层的厚度可以是7000埃至9000埃，但不限于此。例如，所述第一导电层的厚度可以是约8200埃。86.如上所述，所述第一导电层可以应用为第一电压布线vdl、第二电压布线vsl、数据线dtl等的像素的信号布线。为了应用为所述信号布线，优选降低每条所述信号布线的电阻。对所述信号布线的电阻而言，优选地，不仅所述信号布线的物质包括低电阻物质，而且包括所述信号布线的所述第一导电层的厚度也较大。上述的所述第一导电层的厚度采用7000埃至9000埃的范围，从而能够降低应用为所述像素的信号布线的所述第一导电层整体的电阻。87.缓冲层12可以覆盖第一导电层，且可以全面地布置于第一基板11上。缓冲层12可以形成在第一基板11上以保护各个晶体管t1、t2、t3免受通过易受透湿影响的第一基板11而渗透的水分的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以利用交替堆叠的多个无机层而构成。例如，缓冲层12可以形成为包括硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。缓冲层12可以共形(conformal)地反映位于缓冲层12的下部的所述第一导电层的阶梯差。88.半导体层布置于缓冲层12上。半导体层可以包括各个晶体管t1、t2、t3的有源层act1、act2、act3。89.在示例性实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。多晶硅可以通过结晶化非晶硅而形成。在半导体层包括氧化物半导体的情况下，各个有源层act1、act2、act3可以包括多个导电区域act_a、act_b以及它们之间的沟道区域act_c。所述氧化物半导体可以是含有铟(in)的氧化物半导体。在若干实施例中，所述氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ito：indium-tinoxide)、铟锌氧化物(izo：indium-zincoxide)、铟镓氧化物(igo：indium-galliumoxide)、铟锌锡氧化物(izto：indium-zinc-tinoxide)、铟镓锌氧化物(igzo：indium-gallium-zincoxide)、铟镓锡氧化物(igto：indium-gallium-tinoxide)、铟镓锌锡氧化物(igzto：indium-gallium-zinc-tinoxide)等。90.在另一示例性实施例中，半导体层也可以包括多晶硅。多晶硅可以通过结晶化非晶硅来形成，并且在此情况下，有源层act1、act2、act3的导电区域分别可以是掺杂有杂质的掺杂区域。然而，不限于此。91.半导体层布置于共形(conformal)地反映所述第一导电层的阶梯差的缓冲层12上，并且与缓冲层12相同地，可以共形地反映所述第一导电层的阶梯差。半导体层的厚度可以是约400埃。即，半导体层的厚度可以是上述的所述第一导电层的厚度的约1/20的程度。并且，由于半导体层共形地反映所述第一导电层的阶梯差，因此，在特定区域中，半导体层可以因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)。对此的说明将进行后述。92.第一栅极绝缘层13布置于半导体层及缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以覆盖半导体层，并且可以布置于缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以起到各个晶体管的栅极绝缘膜的功能。第一栅极绝缘层13可以利用包括无机物(例如，硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion))的无机层构成，或者可以形成为将所述无机层堆叠的结构。93.第一栅极导电层(或第二导电层)布置于第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括各个晶体管t1、t2、t3的栅极电极g1、g2、g3、存储电容器cst的第一电容电极cse1。94.第一栅极导电层的栅极电极g1、g2、g3可以布置成分别与晶体管t1、t2、t3的有源层局部重叠。例如，第一晶体管t1的第一栅极电极g1可以布置成与第一有源层act1局部重叠。第一栅极电极g1可以与存储电容器cst的第一电容电极cse1连接而被一体化。95.第二晶体管t2的第二栅极电极g2布置成与第二有源层act2局部地重叠，第三晶体管t3的第三栅极电极g3布置成与第三有源层act3局部地重叠。96.第二栅极电极g2可以与扫描线scl电连接，并且第二晶体管t2可以被施加扫描信号。第三栅极电极g3可以与感测线ssl电连接，并且在第三晶体管t3中，感测信号可以被施加到栅极电极。97.第一电容电极cse1可以与第一晶体管t1的第一栅极电极g1及第二晶体管t2的源极电极电连接。作为一示例，第一电容电极cse1可以与第一栅极电极g1一体化而形成，并可以通过接触孔ct5而与第二晶体管t2的源极电极连接。98.在一实施例中，第一栅极导电层还可以包括第三电极图案ep3。第三电极图案ep3可以与从扫描线scl沿第二方向dr2分支的区域重叠。第三电极图案ep3可以构成第二晶体管t2的栅极电极g2，并可以通过接触孔ct8而与扫描线scl连接。第一栅极导电层还可以包括与从感测线ssl沿第二方向dr2分支的区域重叠的第五电极图案ep5。第五电极图案ep5构成第三晶体管t3的栅极电极g3，且可以通过接触孔ct10而与感测线ssl连接。99.第一栅极导电层可以形成为利用钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)及铜(cu)中的任意一种或它们的合金构成的单层或多层。然而，不限于此。100.第一保护层15布置于第一栅极导电层上。第一保护层15可以以覆盖第一栅极导电层的方式布置，以执行保护第一栅极导电层的功能。第一保护层15可以利用包括无机物(例如，包括硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion))的无机层构成，或者可以形成为将所述无机层堆叠的结构。101.数据导电层(或第三导电层)布置于第一保护层15上。第一数据导电层可以包括各个晶体管t1、t2、t3的源极电极和漏极电极、多个电极图案ep1、ep2、ep4、ep6。102.第一晶体管t1的第一源极电极s1及第一漏极电极d1布置成与第一有源层act1局部重叠。第一电极图案ep1可以包括第一漏极电极d1。第一源极电极s1及第一漏极电极d1可以分别通过贯通第一保护层15及第一栅极绝缘层13的接触孔ct1、ct2而与第一有源层act1接触。103.第一漏极电极d1可以通过接触孔ct3而与第一电压布线vdl电连接，第一源极电极s1可以通过接触孔ct4而连接于与发光二极管el的第一电极21连接的存储电容器cst的第二电容电极cse2。104.第一晶体管t1可以借由从第二晶体管t2传输的数据信号而导通，以将第一电源电压传输到第一电极21。105.第二晶体管t2的第二源极电极s2及第二漏极电极d2布置成与第二有源层act2局部重叠。第二源极电极s2及第二漏极电极d2可以分别通过贯通第一保护层15及第一栅极绝缘层13的接触孔ct6、ct7而与第二有源层act2接触。106.第二漏极电极d2可以通过第二电极图案ep2而与数据线dtl连接(通过接触孔ct9连接)，第二源极电极s2可以通过贯通第一保护层15的接触孔ct5与而第一电容电极cse1接触。第二晶体管t2可以借由扫描信号而导通，以将从数据线dtl施加的数据信号传输到第一晶体管t1的第一栅极电极g1。107.第三晶体管t3的第三源极电极s3及第三漏极电极d3布置成与第三有源层act3局部重叠。第三源极电极s3及第三漏极电极d3可以通过贯通第一保护层15及第一栅极绝缘层13的接触孔ct11而分别与第三有源层act3接触。第三源极电极s3可以与存储电容器cst的第二电容电极cse2连接。并且，第三漏极电极d3可以通过第六电极图案ep6而与初始化电压布线vil连接(通过接触孔ct12连接)。108.第三晶体管t3可以借由感测信号而导通，以通过第二电容电极cse2向发光二极管el的第一电极21传输初始化电压。109.存储电容器cst的第二电容电极cse2布置成与第一电容电极cse1重叠。并且，第二电容电极cse2可以通过贯通布置于其上部的绝缘层的电极接触孔ctd而与发光二极管el的第一电极21电连接。110.第一数据导电层(或第三导电层)可以形成为利用钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)及铜(cu)中的任意一种或它们的合金构成的单层或多层。然而，不限于此。111.第一层间绝缘层17布置于第一数据导电层上。第一层间绝缘层17可以在第一数据导电层与布置于第一层间绝缘层17上的其他层之间执行绝缘膜的功能。并且，第一层间绝缘层17可以执行覆盖第一数据导电层并保护第一数据导电层的功能。第一层间绝缘层17可以利用包括无机物(例如，硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion))的无机层构成，或者可以形成为将所述无机层堆叠的结构。112.第一平坦化层19布置于第一层间绝缘层17上。第一平坦化层19可以包括有机绝缘物质，例如，可以包括诸如聚酰亚胺(pi：polyimide)之类的有机物质，以执行表面平坦化功能。113.在第一平坦化层19上布置有多个第一堤40、多个电极21、22、发光元件30、第二堤45及多个接触电极26、27。并且，在第一平坦化层19上还可以布置有多个绝缘层51、52、53、54。114.多个第一堤40可以直接布置于第一平坦化层19上。多个第一堤40可以在各个子像素pxn内沿第二方向dr2延伸，并且以不向沿第二方向dr2相邻的其他子像素pxn延伸的方式布置于发光区域ema内。并且，多个第一堤40可以沿第一方向dr1彼此隔开布置，并且可以在它们之间形成布置发光元件30的区域。多个第一堤40可以布置于每个子像素pxn，并可以在显示装置10的显示区域dpa沿第二方向dr2延伸。附图中示出了2个第一堤40，但不限于此。根据后述的电极21、22的数量，还可以布置更多数量的第一堤40。115.第一堤40可以具有以第一平坦化层19的上表面为基准凸出至少一部分的结构。第一堤40的凸出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件30发出的光可以朝向第一堤40的倾斜的侧表面行进。布置于第一堤40上的电极21、22可以包括反射率较高的材料，并且从发光元件30发出的光可以从布置于第一堤40的侧表面的电极21、22反射而向第一平坦化层19的上部方向射出。即，第一堤40在提供布置发光元件30的区域的同时，还可以执行将从发光元件30发出的光反射到上部方向的反射隔壁的功能。第一堤40的侧表面可以以线形形状倾斜，但不限于此，第一堤40也可以具有外表面具有曲率的半圆形或半椭圆形的形状。在示例性实施例中，第一堤40可以包括诸如聚酰亚胺(pi：polyimide)之类的有机绝缘物质，但不限于此。116.多个电极21、22布置于第一堤40和第一平坦化层19上。多个电极21、22可以包括第一电极21及第二电极22。第一电极21及第二电极22可以沿第二方向dr2延伸，并且它们可以沿第一方向dr1彼此隔开布置。117.第一电极21和第二电极22可以分别在子像素pxn内沿第二方向dr2延伸，并且可以在截断部区域cba与其他电极21、22分离。在若干实施例中，在沿第二方向dr2相邻的子像素pxn的发光区域ema之间布置有截断部区域cba，第一电极21及第二电极22可以在截断部区域cba与布置于沿第二方向dr2相邻的子像素pxn的其他第一电极21及第二电极22分离。然而，本发明不限于此，若干电极21、22可以不会在每个子像素pxn分离，其可以跨过沿第二方向dr2相邻的子像素pxn而延伸布置，或者也可以使第一电极21及第二电极22中仅有一个电极分离。118.第一电极21可以与第一晶体管t1及第三晶体管t3电连接，并且第二电极22可以与第二电压布线vsl电连接。119.例如，第一电极21可以通过贯通第一平坦化层19、第一层间绝缘层17、第一保护层15、第一栅极绝缘层13及缓冲层12的第一电极接触孔ctd而与第二电容电极cse2接触。120.第二电极22可以通过贯通第一平坦化层19、第一层间绝缘层17、第一保护层15、第一栅极绝缘层13及缓冲层12的第二电极接触孔cts而与第二电压布线vsl连接。121.第一电极21及第二电极22可以分别布置于第一堤40上。在若干实施例中，第一电极21和第二电极22可以分别形成为具有比第一堤40的宽度更大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以分别布置为覆盖第一堤40的外表面。在第一堤40的侧表面上可以分别布置有第一电极21和第二电极22，并且第一电极21与第二电极22之间的间隔可以比第一堤40之间的间隔窄。并且，第一电极21和第二电极22的至少一部分区域可以直接布置于第一平坦化层19上。122.各个电极21、22可以包括反射率较高的导电性物质。例如，各个电极21、22可以包括诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)等的金属作为反射率较高的物质，或者可以是包括铝(al)、镍(ni)、镧(la)等的合金。各个电极21、22可以将从发光元件30发出并向第一堤40的侧表面行进的光向各个子像素pxn的上部方向反射。123.然而，不限于此，各个电极21、22还可以包括透明导电性物质。例如，各个电极21、22可以包括诸如铟锡氧化物(ito：indiumtinoxide)、铟锌氧化物(izo：indiumzincoxide)、铟锡锌氧化物(itzo：indiumtin-zincoxide)等的物质。在若干实施例中，各个电极21、22可以构成将透明导电性物质和反射率较高的金属层分别堆叠有一层以上的结构，或者也可以形成为包括它们的一个层。例如，各个电极21、22可以具有ito/银(ag)/ito、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo等的堆叠结构。124.多个电极21、22可以与发光元件30电连接，并可以被施加预定的电压，以使发光元件30发出光。例如，多个电极21、22可以通过后述的接触电极26、27与发光元件30电连接，并通过接触电极26、27将施加到电极21、22的电信号传输到发光元件30。125.在示例性实施例中，第一电极21和第二电极22中的一个可以与发光元件30的阳极(anode)电极电连接，另一个可以与发光元件30的阴极(cathode)电极电连接。然而，不限于此，也可以是与其相反的情况。126.并且，为了使发光元件30对齐，各个电极21、22也可以用于在子像素pxn内形成电场。发光元件30可以借由形成在第一电极21和第二电极22上的电场而布置于第一电极21与第二电极22之间。在示例性实施例中，显示装置10的发光元件30可以通过喷墨印刷工艺而喷射到电极21、22上。当包括发光元件30的墨喷射到电极21、22上时，向电极21、22施加对齐信号而产生电场。分散在墨内的发光元件30可以借由在电极21、22上产生的电场而接收介电电泳力，从而在电极21、22上对齐。127.第一绝缘层51布置于第一平坦化层19、第一电极21及第二电极22上。第一绝缘层51包括第一电极21与第二电极22之间的区域，并布置为局部覆盖第一电极21和第二电极22。例如，第一绝缘层51可以布置为覆盖第一电极21和第二电极22的大部分上表面且暴露第一电极21和第二电极22的一部分。换句话说，第一绝缘层51可以实质上全面地形成在第一平坦化层19上且包括局部暴露第一电极21和第二电极22的开口部。128.在示例性实施例中，第一绝缘层51可以在第一电极21与第二电极22之间以上表面的一部分凹陷的方式形成有阶梯差。然而，不限于此。第一绝缘层51可以形成平坦的上表面以布置发光元件30。129.第一绝缘层51可以在保护第一电极21和第二电极22的同时使它们彼此绝缘。并且，还可以防止布置在第一绝缘层51上的发光元件30与其他部件直接接触而损坏。然而，第一绝缘层51的形状及结构不限于此。130.第二堤45可以布置于第一绝缘层51上。第二堤45可以包括在平面上沿第一方向dr1及第二方向dr2延伸的部分并可以在显示区域dpa的整个表面布置成网格型图案。第二堤45可以跨过各个子像素pxn的边界而布置，从而区分相邻的子像素pxn。并且，根据一实施例，第二堤45可以形成为具有比第一堤40的高度更大的高度。第二堤45可以执行在显示装置10的制造工艺的喷墨印刷工艺中防止墨溢出到相邻的子像素pxn的功能。第二堤45可以使分散有不同的发光元件30的墨按彼此不同的每个子像素pxn而分离，使得它们不彼此混合。131.并且，第二堤45可以以包围布置于每个子像素pxn的发光区域ema和截断部区域cba的方式布置，从而将它们区分。第一电极21和第二电极22可以沿第二方向dr2延伸，从而横穿第二堤45的沿第一方向dr1延伸的部分而布置。在第二堤45的沿第二方向dr2延伸的部分中，布置在发光区域ema之间的部分可以具有比布置在截断部区域cba之间的部分的宽度更大的宽度。据此，截断部区域cba之间的间隔可以小于发光区域ema之间的间隔。如同第一堤40，第二堤45可以包括聚酰亚胺(pi：polyimide)，然而，不限于此。132.发光元件30可以布置于第一绝缘层51上。多个发光元件30可以沿各个电极21、22延伸的第二方向dr2彼此隔开而布置，并且实质上相互平行地对齐。发光元件30所隔开的间隔不受特别限制。并且，发光元件30可以具有沿一方向延伸的形状，各个电极21、22延伸的方向和发光元件30延伸的方向可以实质上垂直。然而，不限于此，发光元件30也可以与各个电极21、22延伸的方向不垂直而倾斜地布置。133.发光元件30可以包括包含彼此不同的物质的发光层36(参照图11)，以向外部发出彼此不同的波段的光。显示装置10可以包括发出彼此不同的波段的光的发光元件30。据此，第一子像素px1、第二子像素px2及第三子像素px3可以分别射出第一颜色、第二颜色及第三颜色的光。然而，不限于此。根据情况，各个子像素pxn也可以包括相同种类的发光元件30而发出实质上相同颜色的光。134.并且，发光元件30的两端部可以在第一堤40之间布置于各个电极21、22上。例如，发光元件30可以布置成一端部放置于第一电极21上且另一端部放置于第二电极22上。发光元件30的延伸长度可以比第一电极21与第二电极22之间的间隔长，且发光元件30的两端部可以分别布置于第一电极21和第二电极22上。135.发光元件30可以沿着与第一基板11或第一平坦化层19的上表面垂直的方向布置有多个层。显示装置10的发光元件30可以布置为延伸的一方向与第一平坦化层19平行，包括于发光元件30的多个半导体层可以沿着与第一平坦化层19的上表面平行的方向依次布置。然而，不限于此。根据情况，在发光元件30具有不同的结构的情况下，多个层也可以沿着与第一平坦化层19垂直的方向布置。136.并且，发光元件30的两端部可以分别与接触电极26、27接触。根据一实施例，由于发光元件30在延伸的一方向侧端部面不形成绝缘膜38(参照图11)而是暴露半导体层的一部分，因此所述暴露的半导体层可以与接触电极26、27接触。然而，不限于此。根据情况，可以在发光元件30去除绝缘膜38中的至少一部分区域，并且因去除绝缘膜38而局部暴露半导体层的两端部侧表面。所述暴露的半导体层的侧表面也可以与接触电极26、27直接接触。137.第二绝缘层52可以局部布置于发光元件30上。作为一示例，第二绝缘层52布置为局部地包围发光元件30的外表面，从而布置为不覆盖发光元件30的一端部及另一端部。后述的接触电极26、27可以与第二绝缘层52未覆盖的发光元件30的两端部接触。在平面上，第二绝缘层52中布置于发光元件30上的部分在第一绝缘层51上沿第二方向dr2延伸而布置，从而可以在各个子像素pxn内形成线形或岛状的图案。第二绝缘层52可以在保护发光元件30的同时在显示装置10的制造工艺中固定发光元件30。138.在第二绝缘层52上可以布置有多个接触电极26、27和第三绝缘层53。139.多个接触电极26、27可以具有沿一方向延伸的形状。接触电极26、27中的第一接触电极26和第二接触电极27可以分别布置于第一电极21和第二电极22中的一部分上。第一接触电极26可以布置于第一电极21上，第二接触电极27可以布置于第二电极22上，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以分别具有沿第二方向dr2延伸的形状。第一接触电极26和第二接触电极27可以沿第一方向dr1彼此隔开，并且它们可以在各个子像素pxn的发光区域ema内形成条纹形图案。140.在若干实施例中，第一接触电极26和第二接触电极27的沿一方向测量的宽度可以分别等于或小于第一电极21和第二电极22的沿所述一方向测量的宽度。第一接触电极26和第二接触电极27可以布置为在分别与发光元件30的一端部以及另一端部接触的同时覆盖第一电极21和第二电极22的上表面的一部分。141.多个接触电极26、27可以分别与发光元件30及电极21、22接触。在发光元件30的延伸的方向上的两端部面暴露有半导体层，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以在暴露有所述半导体层的端部面与发光元件30接触。发光元件30的一端部可以通过第一接触电极26与第一电极21电连接，另一端部可以通过第二接触电极27与第二电极22电连接。142.附图中示出了在一个子像素pxn布置有一个第一接触电极26和第二接触电极27的情形，但不限于此。第一接触电极26和第二接触电极27的数量可以根据布置于各个子像素pxn的第一电极21和第二电极22的数量而不同。143.第三绝缘层53布置于第一接触电极26上。第三绝缘层53可以使第一接触电极26和第二接触电极27彼此电绝缘。第三绝缘层53可以布置为覆盖第一接触电极26，且不布置在发光元件30的另一端部上，使得发光元件30可以与第二接触电极27接触。第三绝缘层53可以在第二绝缘层52的上表面与第一接触电极26及第二绝缘层52局部接触。第三绝缘层53的布置有第二电极22的方向的侧表面可以与第二绝缘层52的一侧表面对齐。并且，第三绝缘层53也可以布置于非发光区域(例如，布置于第一平坦化层19上的第一绝缘层51上)。然而，不限于此。144.第二接触电极27布置于第二电极22、第二绝缘层52及第三绝缘层53上。第二接触电极27可以与发光元件30的另一端部及第二电极22的暴露的上表面接触。发光元件30的另一端部可以通过第二接触电极27而与第二电极22电连接。145.第二接触电极27可以局部地与第二绝缘层52、第三绝缘层53、第二电极22及发光元件30接触。第一接触电极26和第二接触电极27可以借由第二绝缘层52和第三绝缘层53而彼此不接触。然而，不限于此，根据情况，可以省略第三绝缘层53。146.接触电极26、27可以包括导电性物质。例如，可以包括ito、izo、itzo、铝(al)等。作为一示例，接触电极26、27包括透明导电性物质，从发光元件30发出的光可以透过接触电极26、27而朝向电极21、22行进。然而，不限于此。147.第四绝缘层54可以全面地布置于第一基板11上。第四绝缘层54可以起到保护布置在第一基板11上的部件免受外部环境影响的功能。148.第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53及第四绝缘层54中的每一个可以包括无机物绝缘性物质或有机物绝缘性物质。在示例性实施例中，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53及第四绝缘层54可以包括诸如硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sioxny)、氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)等的无机物绝缘性物质。或者，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53及第四绝缘层54可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂等作为有机物绝缘性物质。然而，不限于此。149.另外，第一电极21及第二电极22可以在显示装置10的驱动期间将驱动信号传输到发光元件30，使得发光元件30发出光。在显示装置10的驱动期间或者在驱动模式中，通过第一晶体管t1向第一电极21传输第一电源电压，并通过第二电压布线vsl向第二电极22传输第二电源电压。并且，可以通过第二晶体管t2向第一晶体管t1的第一栅极电极g1施加数据信号，并可以通过第三晶体管t3向第一源极电极s1或第一电极21传输初始化电压。150.如上所述，由于半导体层的厚度为上述的所述第一导电层的厚度的约1/20程度，且半导体层共形地反映所述第一导电层的阶梯差，因此，在特定区域中，半导体层可能因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)。如图6所示，所述特定区域可以包括所述第一导电层的第一电压布线vdl与第二电容电极cse2之间的隔开空间。151.如果参照图6至图8更详细地说明，则第一有源层act1可以在第一电压布线vdl(或第一导电图案)与第二电容电极cse2(或第二导电图案)之间的隔开空间上具有分支的结构。152.即，第一有源层act1可以具有沿第二方向dr2彼此隔开且沿第一方向dr1延伸的第一分支部act1a和第二分支部act1b以及连接到第一分支部act1a及第二分支部act1b的茎部act1c。所述第一分支部act1a及所述第二分支部act1b分别可以是从所述茎部act1c分支的结构。153.所述第一分支部act1a及所述第二分支部act1b可以分别与第一电压布线vdl及第二电容电极cse2之间的隔开空间重叠。进而，所述第一分支部act1a及所述第二分支部act1b可以分别从第一电压布线vdl上延伸至第二电容电极cse2。第一晶体管t1的栅极电极g1可以与所述茎部act1c重叠，第一电极图案ep1的第一漏极电极d1及第一源极电极s1可以分别与所述第一分支部act1a的端部、所述第二分支部act1b的端部以及所述第一分支部act1a与所述第二分支部act1b的隔开空间重叠。154.所述第一电极图案ep1可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第1a接触孔ct1a而与所述第一分支部act1a电连接，并且所述第一电极图案ep1可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第1b接触孔ct1b而与所述第二分支部act1b电连接。155.第一源极电极s1可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第二接触孔ct2而与所述茎部act1c电连接。156.根据本实施例，由于第一有源层act1在第一电压布线vdl(或第一导电图案)与第二电容电极cse2(或第二导电图案)之间的间隔空间上具有分支的结构，并且作为各个分支结构的第一分支部act1a和第二分支部act1b与第一晶体管t1的第一漏极电极d1电连接，因此，即使第一有源层act1中的一个(第一分支部act1a或第二分支部act1b)因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)，也能够实现第一有源层act1与第一漏极电极d1之间的电连接，从而能够确保元件可靠性。157.图11是根据一实施例的发光元件的示意图。158.发光元件30可以是发光二极管(lightemittingdiode)，具体而言，发光元件30可以是具有微米(micro-meter)或纳米(nano-meter)单位的大小且利用无机物构成的无机发光二极管。当在彼此对向的两个电极之间沿特定方向形成电场时，无机发光二极管可以具有预定的极性，从而无机发光二极管可以在所述两个电极之间对齐。发光元件30可以借由形成在两个电极上的电场而在电极之间对齐。159.根据一实施例的发光元件30可以具有沿一方向延伸的形状。发光元件30可以具有杆、线、管等形状。在示例性的实施例中，发光元件30可以是圆筒形或杆形(rod)。但是，发光元件30的形态不限于此，发光元件30可以具有诸如立方体、长方体、六棱柱形等的多棱柱的形状，或者沿一方向延伸且外表面局部倾斜的形状等的多样的形态。后述的包括于发光元件30的多个半导体可以具有沿所述一方向依次布置或堆叠的结构。160.发光元件30可以包括掺杂有任意的导电型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以被传输从外部电源施加的电信号而发出特定波段的光。161.参照图11，发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37以及绝缘膜38。162.第一半导体层31可以是n型半导体。作为一示例，在发光元件30发出蓝色波段的光的情况下，第一半导体层31可以包括具有化学式alxgayin1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，可以是掺杂为n型的algainn、gan、algan、ingan、aln及inn中的任意一种以上。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，作为一示例，n型掺杂剂可以是si、ge、sn等。在示例性实施例中，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。第一半导体层31的长度可以具有1.5μm至5μm的范围，但不限于此。163.第二半导体层32布置于后述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体，作为一示例，在发光元件30发出蓝色或绿色波段的光的情况下，第二半导体层32可以包括具有化学式alxgayin1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，可以是掺杂为p型的algainn、gan、algan、ingan、aln及inn中的任意一种以上。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，作为一示例，p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、sr、ba等。在示例性实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。第二半导体层32的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但不限于此。164.另外，虽然在附图中示出了第一半导体层31和第二半导体层32分别构成为一个层的情形，但不限于此。根据发光层36的物质，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多数量的层(例如，包覆层(cladlayer)或拉伸应变势垒降低(tsbr：tensilestrainbarrierreducing)层)。165.发光层36布置于第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的物质。在发光层36包括多量子阱结构的物质的情况下，也可以是量子层(quantumlayer)和阱层(welllayer)彼此交替地堆叠多个的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31及第二半导体层32施加的电信号而通过电子-空穴对的结合来发出光。作为一示例，在发光层36发出蓝色波段的光的情况下，可以包括algan、algainn等的物质。尤其，在发光层36为作为量子层和阱层交替地堆叠的结构的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn等的物质，阱层可以包括诸如gan或alinn等的物质。在示例性实施例中，发光层36可以包括algainn作为量子层，且包括alinn作为阱层，从而发光层36可以发出中心波段具有450nm至495nm的范围的蓝色(blue)光。166.然而，不限于此，发光层36可以是能带隙(bandgap)较大的种类的半导体物质和能带隙较小的半导体物质彼此交替地堆叠的结构，也可以根据发出的光的波段而包括不同的iii族至v族半导体物质。由发光层36发出的光不限于蓝色波段的光，根据情况也可以发出红色、绿色波段的光。发光层36的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但不限于此。167.另外，从发光层36发出的光不仅可以从发光元件30的长度方向外部面发出，还可以从两个侧表面发出。从发光层36发出的光的方向性不限于一个方向。168.电极层37可以是欧姆(ohmic)接触电极。然而，并不限于此，也可以是肖特基(schottky)接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。虽然图11示出了发光元件30包括一个电极层37的情形，但不限于此。根据情况，发光元件30也可以包括更多数量的电极层37，或者也可以省略电极层37。即使电极层37的数量改变或进一步包括其他结构，也可以同样应用后述的针对发光元件30的说明。169.在根据一实施例的显示装置10中，当发光元件30与电极或接触电极电连接时，电极层37可以减小发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、铟锡氧化物(ito：indiumtinoxide)、铟锌氧化物(izo：indiumzincoxide)及铟锡锌氧化物(itzo：indiumtin-zincoxide)中的至少一种。并且，电极层37还可以包括n型或p型掺杂的半导体物质。电极层37可以包括相同的物质，也可以包括彼此不同的物质，但不限于此。170.绝缘膜38布置成包围多个半导体层及电极层的外表面。在示例性实施例中，绝缘膜38可以布置成至少包围发光层36的外表面，并且沿发光元件30延伸的一方向延伸。绝缘膜38可以执行保护上述的部件的功能。作为一示例，绝缘膜38可以形成为包围所述部件的侧面部，并可以形成为暴露发光元件30的长度方向的两端部。171.虽然在附图中示出了绝缘膜38形成为沿发光元件30的长度方向延伸且从第一半导体层31覆盖至电极层37的侧表面的情形，但不限于此。绝缘膜38可以仅覆盖包括发光层36在内的半导体层的一部分外表面，或者也可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分而局部地暴露各个电极层37的外表面。并且，绝缘膜38也可以在与发光元件30的至少一端部相邻的区域中以上表面在剖面上形成为弧形的方式形成。172.绝缘膜38的厚度可以具有10nm至1.0μm的范围，但不限于此。优选地，绝缘膜38的厚度可以为40nm左右。173.绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的物质(例如，硅氧化物(siox：siliconoxide)、硅氮化物(sinx：siliconnitride)、硅氮氧化物(sioxny)、铝氮化物(aln：aluminumnitride)、铝氧化物(al2o3：aluminumoxide)等)。据此，可以防止在发光层36与向发光元件30传输电信号的电极直接接触的情况下可能发生的电短路。并且，由于绝缘膜38可以保护包括发光层36在内的发光元件30的外表面，因此可以防止发光效率的降低。174.并且，在若干实施例中，绝缘膜38的外表面可以被表面处理。发光元件30可以以分散在预定的墨内的状态被喷射到电极上而对齐。在此，为了保持发光元件30与在墨内相邻的其他发光元件30不聚集而分散的状态，绝缘膜38的表面可以被疏水化处理或亲水化处理。175.发光元件30的长度h可以具有1μm至10μm或2μm至6μm的范围，优选地，可以具有3μm至5μm的长度。并且，发光元件30的直径可以具有30nm至700nm的范围，发光元件30的纵横比(aspectratio)可以是1.2至100。然而，不限于此，包括于显示装置10的多个发光元件30也可以根据发光层36的组成差异而具有彼此不同的直径。优选地，发光元件30的直径可以具有500nm左右的范围。176.以下，对其他实施例进行说明。177.图12是根据另一实施例的放大图5的a区域的平面图。178.参照图12，根据本实施例的显示装置的第一晶体管t1_1的第一有源层act1_1与图6的第一有源层act1的不同之处在于，第一有源层act1_1还包括第三分支部act1d，并且接触孔ct1_1还包括第1c接触孔ct1c。179.第三分支部act1d可以从茎部act1c分支。第三分支部act1d可以布置于第一分支部act1a与第二分支部act1b之间，但不限于此。第三分支部act1d可以通过贯通所述第一保护层15及所述第一栅极绝缘层13的第1c接触孔ct1c而与所述第一电极图案ep1电连接。180.在本实施例的情况下，同样地，由于第一有源层act1_1在第一电压布线vdl(或第一导电图案)与第二电容电极cse2(或第二导电图案)之间的隔开空间上具有分支结构，并且作为各个分支结构的第一分支部act1a、第二分支部act1b和第三分支部act1d中的每一个与第一晶体管t1的第一漏极电极d1电连接，因此即使第一有源层act1中的一个(第一分支部act1a、第二分支部act1b、第三分支部act1d)因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)，也能够实现第一有源层act1与第一漏极电极d1之间的电连接，从而能够确保元件可靠性。181.图13是根据又一实施例的放大图5的a区域的平面图。图14是沿图13的p1-p1'线剖切的剖面图。182.参照图13及图14，根据本实施例的显示装置的第一晶体管t1_1的第一有源层act1_2与根据图6的第一有源层act1的不同之处在于，所述第一分支部及所述第二分支部中的一个包括物理分离的分支图案。183.更具体地说明，在根据本实施例的显示装置的第一有源层act1_2中，所述第一分支部及所述第二分支部中的一个可以包括物理分离的分支图案。图13及图14例示了所述第一分支部及所述第二分支部中第一分支部act1a_1包括物理分离的分支图案的情况。184.第一分支部act1a_1可以包括物理分离的分支图案act1a1、act1a2。第一分支图案act1a1可以通过第1a接触孔ct1a连接到第一电极图案ep1，并且第二分支图案act1a2可以连接到茎部act1c。分支图案act1a1、act1a2中的一个可以沿第一方向dr1彼此物理分离。185.根据本实施例的第一分支部act1a_1表示因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)的情况。即，基于根据本实施例的显示装置，即使第一有源层act1_2中的第一分支部act1a_1因所述第一导电层的阶梯差而断开(open)，由于第二分支部act1b仍然不断开而形成为一体，从而能够实现第一有源层act1与第一漏极电极d1之间的电连接，进而能够确保元件可靠性。186.以上，参照附图对本发明的实施例进行了说明，但只要是在本发明所属
技术领域：
：中具有普通知识的人员，便可以理解在不改变本发明的其技术思想或必要特征的情况下能够以其他具体形态实施。因此，应当理解，以上记述的实施例在所有方面均为示例性的，而不是限定性的。当前第1页12当前第1页12
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