半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多层金属层和衬底；所述金属层上设有多个虚拟金属块和至少一个信号线；相邻的两层金属层上的所述虚拟金属块在垂直于所述衬底的方向上相互错开；第一虚拟金属块在所述衬底上的第一投影呈多边形，所述第一投影有多个与目标信号线在所述衬底上的第二投影相对的有效边，且所述第一投影的有效边到所述第二投影所在直线的距离不同；其中，所述第一虚拟金属块是目标金属层中距离所述目标信号线最近的虚拟金属块，所述目标金属层是所述目标信号线所在的金属层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述相邻的两层金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底的投影不重叠。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二投影所在的直线到所述第一投影的几何中心的第一距离，小于或等于所述第二投影所在的直线到第二虚拟金属块在所述衬底上的第三投影的几何中心的第二距离；其中，所述第二虚拟金属块是其他金属层中距离所述目标信号线最近的虚拟金属块，所述其他金属层是所述目标金属层以外的金属层。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二虚拟金属块所在的金属层与所述目标金属层之间相差2n层金属层，n≥0，n且为整数。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，每层金属层上的虚拟金属块呈阵列分布。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述目标金属层上的虚拟金属块在所述衬底上的投影矩阵和所述第二虚拟金属块所在的金属层上的虚拟金属块在所述衬底上的投影矩阵相互交叉布置。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述目标金属层上的四个相邻的虚拟金属块的投影之间有一个所述第二虚拟金属块所在的金属层上的虚拟金属块的投影；所述四个相邻的虚拟金属块在所述衬底上的投影位于不同象限。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述每层金属层上的虚拟金属块呈矩形阵列分布。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，不相邻的两层金属层上的虚拟金属块在所述衬底上的投影重叠。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，重叠金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影与所述目标金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影重叠；其中，所述重叠金属层与所述目标金属层之间相差2n 1层金属层，n≥0，n且为整数。11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，与所述目标金属层之间相差2n 1层金属层的所述金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影重叠，n≥0，n且为整数。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述多层金属层包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层；所述第一金属层为底层金属层，所述第二金属层高于所述第一金属层，所述第三金属层高于所述第二金属层；所述第一金属层上设有目标信号线，所述第一金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影呈矩形阵列分布，所述第二金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影呈矩
形阵列分布，所述第三金属层上的所述虚拟金属块在所述衬底上的投影呈矩形阵列分布；所述第一金属层上的四个相邻的虚拟金属块的投影之间有一个所述第二金属层上的虚拟金属块的投影；所述四个相邻的虚拟金属块在所述衬底上的投影位于不同象限；所述第一金属层上的虚拟金属块在所述衬底上的投影与所述第三金属层上的虚拟金属块在所述衬底上的投影重叠。13.根据权利要求1至12中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述虚拟金属块在所述衬底上的投影呈十字型、六边形或者八边形。14.根据权利要求1至12中任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述目标信号线是根据所述至少一个信号线的布局，从所述至少一个信号线中选择的。15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述目标信号线用于传输时钟信号。

技术总结
本申请提供一种半导体结构，包括：多层金属层和衬底，金属层上设有多个虚拟金属块和至少一个信号线，相邻的两层金属层上的虚拟金属块在垂直于衬底的方向上相互错开，第一虚拟金属块在衬底上的第一投影呈多边形，第一投影有多个与目标信号线在衬底上的第二投影相对的有效边，且第一投影的有效边到第二投影所在直线的距离不同，其中，第一虚拟金属块是目标金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，目标金属层是目标信号线所在的金属层。本方案可减少虚拟金属块之间的寄生电容以及目标信号线上的寄生电容，还可以使各层金属层布线均匀。还可以使各层金属层布线均匀。还可以使各层金属层布线均匀。


技术研发人员：翁坤
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2022/11/22