半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：一基板，具有一顶面；一鳍结构，位于该基板上，且沿一第一方向纵向延伸，该鳍结构包括一通道层堆叠；一源极部件和一漏极部件，形成于该鳍结构上；一栅极结构，位于该基板上，且沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸，且介于该源极部件和该漏极部件之间，该栅极结构具有与该通道层堆叠接合的一栅极堆叠；一栅极通孔，直接设置在该栅极堆叠上；一源极通孔，电性连接该源极部件；以及一漏极通孔，电性连接该漏极部件，其中该源极通孔具有沿该第二方向的一第一尺寸和沿该第一方向的一第二尺寸，该漏极通孔具有沿该第二方向的一第三尺寸和沿该第一方向的一第四尺寸，以及其中该第一尺寸对该第二尺寸的比率大于该第三尺寸对该第四尺寸的比率。

技术总结
一种半导体装置，包括具有顶面的基板、沿第一方向纵向延伸的鳍、源极部件和漏极部件、沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且介于源极部件和源极部件之间的具有栅极堆叠的栅极结构。直接设置在栅极堆叠上的栅极通孔、电性连接源极部件的源极通孔以及电性连接漏极部件的漏极通孔。鳍包括由栅极堆叠接合的通道层堆叠。源极通孔具有沿第二方向的第一尺寸和沿第一方向的第二尺寸，漏极通孔部件具有沿第二方向的第三尺寸和沿第一方向的第四尺寸。第一尺寸与第二尺寸的比率大于第三尺寸与第四尺寸的比率。的比率。的比率。


技术研发人员：廖忠志
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.15
技术公布日：2022/12/12