氮化物发光器件制备方法

技术特征：
1.一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层dbr层；在所述底层dbr层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温gan成核层和gan buffer层；在所述gan buffer层上外延rcled主体结构，所述rcled主体结构在所述gan buffer层上由下至上依次包括：n-gan层、多量子阱发光层及p-gan层；在所述p-gan层进行硼离子注入形成高阻区；并在所述p-gan层上蒸镀金属氧化物透明导电层；在所述金属氧化物透明导电层两侧进行刻蚀至所述n-gan层，形成台阶区域；在所述金属氧化物透明导电层的中间区域上制备顶层的顶层dbr层并光刻定义图形作为出光口；在所述顶层dbr层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。2.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述底层dbr层的介质dbr和所述顶层dbr层的介质dbr分别为周期性交替生长的折射率不同的两种薄膜介质，且底层dbr层的介质dbr的反射率大于所述顶层dbr层的介质dbr的反射率。3.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述二维材料薄膜层的材料为石墨烯、氮化硼、二硫化钼和二硫化钨其中一种。4.根据权利要求3所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述二维材料缓冲层可通过湿法转移、干法转移及cvd法中一种制备得到。5.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述低温gan成核层位于二维材料表面，其生长温度为900～1100℃。6.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述gan buffer层的厚度为10～200nm。7.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述n-gan层用于提供电子，注入到外延rcled主体结构的rcled有源区；所述多量子阱发光层为algan/gan或ingan/gan量子阱发光层；所述p-gan层用于提供空穴，注入到外延rcled主体结构的rcled有源区，并用于欧姆接触。8.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述硼离子注入为在p电极的下方注入硼离子，进而形成所述高阻区，所述高阻区用于阻碍所述高阻区的电流的注入。9.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述金属氧化物透明导电层能够在p电极区域实现横向电流扩展并增强出光率。10.根据权利要求1所述的氮化物发光器件制备方法，其中，所述外延rcled主体结构的rcled的外延生长方法为mocvd、mbe、hvpe及cvd中一种。

技术总结
本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层；在所述GaN buffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaN buffer层上由下至上依次包括：n-GaN层、多量子阱发光层及p-GaN层；在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。备。备。


技术研发人员：伊晓燕 宋武睿 刘志强 梁萌 张逸韵 王军喜 李晋闽
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2022/12/19