半导体装置的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：将一处理蒸汽的一流动提供到一化学气相沉积处理室中，其中该处理蒸汽的该流动包括六氟化钨(wf6)及一载体气体的组合；以及使用该处理蒸汽的该流动进行一化学气相沉积操作以在一半导体基板上形成一钨层，其中提供该处理蒸汽的该流动，相较于该六氟化钨的流速较高的情况，使得该六氟化钨在该处理蒸汽的该流动中的一流速导致该钨层以较慢的速率成长，以促进该钨层的大抵上均匀的成长。

技术总结
提供一种半导体装置的形成方法。在此描述的低流量钨化学气相沉积(CVD)技术提供了半导体基板上的大抵上均匀的钨的沉积。在一些实施方式中，将处理蒸汽的流动提供到CVD处理室，相较于六氟化钨的流速较高的情况，使得六氟化钨在处理蒸汽中的流速导致钨层以较慢的速率成长，以促进钨层的大抵上均匀的成长。如此一来，低流量钨CVD技术可以用于达到与原子层沉积(ALD)类似的表面均匀度表现，且为相对ALD更快的沉积制程(例如，由于ALD的较低的沉积速率以及大量的交替的处理循环)。这降低了在钨层中的缺陷形成的可能性，且增加了用于半导体基板(以及其他半导体基板)的半导体装置处理的产能。能。能。


技术研发人员：陈品彣 徐元贞 张根育
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.08.05
技术公布日：2022/12/12