半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；在鳍部结构表面沉积形成保护层；在保护层上形成牺牲层；对所述牺牲层进行改性处理形成第一隔离层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺包括原子层沉积工艺；所述原子层沉积工艺的反应气体包括双二乙基氨基硅烷和氧气的混合气体。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括多晶硅、单晶硅或无定形硅；所述第一隔离层的材料包括氧化硅。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述牺牲层进行改性处理的工艺包括原位水汽生成工艺。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述牺牲层进行改性处理形成第一隔离层之后，还包括：在第一隔离层上和衬底上形成第二隔离层。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述牺牲层进行改性处理形成第一隔离层的方法包括：在牺牲层上和衬底上形成初始第二隔离层；形成初始第二隔离层之后，对所述初始第二隔离层进行第一退火处理形成第二隔离层，并将所述牺牲层改性成第一隔离层。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的工艺包括湿法退火工艺；所述湿法退火工艺的参数包括：气体包括氧气和氢气的混合气体，温度范围为200摄氏度至700摄氏度。9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始第二隔离层的工艺包括化学气相沉积工艺；所述化学气相沉积工艺的参数包括：气体包括o2、nh3、和n(sih3)3气体，o2的流量为20sccm至10000sccm，nh3气体的流量为20sccm至10000sccm，n(sih3)3气体的流量为20sccm至10000sccm，腔室压强为0.01torr至10torr，温度为30摄氏度至200摄氏度。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层之后，在保护层上形成牺牲层之前，还包括：对所述保护层进行第二退火处理。11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理的工艺包括干法退火处理；所述干法退火处理的参数包括：气体包括氮气，温度范围为800摄氏度至1100摄氏度。12.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅。13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的工艺包括原子层沉积工艺。14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：位于所述鳍部结构顶部的硬掩膜层。
15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度范围为：30埃至100埃。16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度范围为：0埃至30埃。17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度范围为：0埃至48埃。

技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；在鳍部结构表面沉积形成保护层；在保护层上形成牺牲层；对所述牺牲层进行改性处理形成第一隔离层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。升。升。


技术研发人员：朱海洋 伍斌 郑春生 雷镇全 吴声清 戴若凌
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2021.06.11
技术公布日：2022/12/12