一种晶体管及其制备方法

技术特征：
1.一种晶体管，其特征在于：包括本体，所述本体包括氮化物材料层，所述氮化物材料层包括相互连接的n型氮化物材料层和p型氮化物材料层，所述n型氮化物材料层设置于所述p型氮化物材料层上，所述p型氮化物材料层一侧、第一钝化层与源极依次连接，所述p型氮化物材料层另一侧、第二钝化层与漏极依次连接，所述n型氮化物材料层与所述漏极相向设置。2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述本体包括相对设置的栅极和衬底，在第一方向上，所述栅极与所述衬底之间依次层叠有成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和所述氮化物材料层，所述第一方向为由所述衬底指向所述栅极的方向；所述p型氮化物材料层另一侧、第一钝化层与源极依次连接，所述源极、所述第一钝化层、所述第二钝化层与所述漏极均设置于所述势垒层上。3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于：所述n型氮化物材料层、p型氮化物材料层与所述栅极形成结型栅。4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于：所述成核层、所述缓冲层和所述沟道层采用相同或不同的材料制成，所述材料为氮化镓、氮化铝、铝镓氮中的一种或几种，所述势垒层采用氮化铝或铝镓氮制成。5.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于：所述势垒层与所述沟道层之间设置有插入层，所述插入层采用氮化铝、铟铝氮或者铝镓氮制成。6.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于：所述第一钝化层采用氮化硅、氧化铝或者氮化铝中的一种制成。7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于：所述源极采用ti/al/ni/au或者ti/al/pt/au的金属组合制备，所述漏极采用ti/al/ni/au或者ti/al/pt/au的金属组合制备。8.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于：所述栅极与所述p型氮化物材料层能够形成欧姆接触或肖特基接触。9.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于：所述结型栅为pn结，所述pn结的电场能够缓解器件的电场。10.如权利要求1～9中任一项所述的晶体管，其特征在于：所述p型氮化物材料层为p型氮化镓层、p型铝镓氮层或者氮化铝层，所述n型氮化物材料层为n型氮化镓层、n型铝镓氮层或者氮化铝层。

技术总结
本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种晶体管及其制备方法。常规器件电场集中使得器件击穿电压低，抗单粒子特性很差，因此限制P-GaNHEMT器件在高压工作模式和宇航环境的应用。本申请提供了一种晶体管，包括本体，所述本体包括氮化物材料层，所述氮化物材料层包括相互连接的N型氮化物材料层和P型氮化物材料层，所述N型氮化物材料层设置于所述P型氮化物材料层上，所述P型氮化物材料层一侧、第一钝化层与源极依次连接，所述P型氮化物材料层另一侧、第二钝化层与漏极依次连接，所述N型氮化物材料层与所述漏极相向设置。提高器件的击穿电压以及抗单粒子特性。以及抗单粒子特性。以及抗单粒子特性。


技术研发人员：赵胜雷 张嘎 张进成 南继澳 刘爽 宋秀峰 王中旭 郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2022.08.26
技术公布日：2022/12/12